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最新专利技术
  • 一种具有流场匀化功能的微纳米颗粒复合镀电镀装置
    一种具有流场匀化功能的微纳米颗粒复合镀电镀装置_中国航发北京航空材料研究院_202511303877.2
    本发明属于表面工程领域，具体涉及一种具有流场匀化功能的微纳米颗粒复合镀电镀装置。包括电镀池、镀液循环系统、分散池、重力回流管路以及双层冲孔板流场匀化系统包。电镀池顶部和底部均设置有双层冲孔板，通过梯度孔径设计实现动态流场匀化。镀液经对称设置...
    2026-02-13
  • 一种太阳能电池片金属电极的电镀悬挂装置及电镀设备
    一种太阳能电池片金属电极的电镀悬挂装置及电镀设备_苏州皓申智能科技有限公司_202511348372.8
    本申请涉及电镀悬挂装置的技术领域，尤其是涉及一种太阳能电池片金属电极的电镀悬挂装置及电镀设备，电镀悬挂装置包括架体，所述架体包括安装框组件、弹性夹持组件，所述安装框组件设有用于安装工件的安装区，所述弹性夹持组件设置于工件的两端且与所述安装框...
    2026-02-13
  • 一种自动化生产用的翻水挂具
    一种自动化生产用的翻水挂具_重庆捷升表面处理有限公司_202511367901.9
    本发明涉及电镀技术领域，具体涉及一种自动化生产用的翻水挂具，包括翻水组件，翻水组件包括驱动构件、升降构件、挂杆、安装架、挂具架、转轴、第一齿轮和齿轮条；在使用装置时将需要电镀的零件悬挂在转轴上的挂杆上，转轴上设置多个螺纹孔方便挂杆安装，可以...
    2026-02-13
  • 基于智能穿戴设备的氰化氢废气处理方法及电子设备
    基于智能穿戴设备的氰化氢废气处理方法及电子设备_宁波施捷电子有限公司_202511272566.4
    本发明公开了一种基于智能穿戴设备的氰化氢废气处理方法及电子设备，涉及有害气体处理技术领域，包括：通过智能穿戴设备获取惯性测量数据、位置向量数据和视觉辅助数据；根据所述惯性测量数据、位置向量数据和视觉辅助数据确定初始位置向量；根据所述初始位置...
    2026-02-13
  • 一种基于等离子电解氧化电解液的智能管理系统
    一种基于等离子电解氧化电解液的智能管理系统_重庆工程职业技术学院_202511400025.5
    本发明涉及电解处理技术领域，具体涉及一种基于等离子电解氧化电解液的智能管理系统。包括：电解氧化装置含电解槽、阳极、阴极及进、出液口。传感器模块有多个传感器，可检测电解液组成和状态；控制单元含微处理器和无线通信模块，能接收分析传感器数据，判断...
    2026-02-13
  • 一种基于电化学处理的碳纤维丝表面微螺纹化装置及方法
    一种基于电化学处理的碳纤维丝表面微螺纹化装置及方法_扬州大学_202511135489.8
    本发明公开一种基于电化学处理的碳纤维丝表面微螺纹化装置及方法，包括：电解液槽，电解液槽内填充有电解液；传送系统，传送系统包括主动辊轮和从动辊轮，主动辊轮和从动辊轮通过安装架对称安装在电解液槽顶部，碳纤维丝穿过主动轮和从动轮；数控系统，数控系...
    2026-02-13
  • 一种纳米晶的结晶装置
    一种纳米晶的结晶装置_重庆鑫合创电器有限责任公司_202511120941.3
    本发明公开了一种纳米晶的结晶装置，涉及纳米晶制备技术领域。该纳米晶的结晶装置，包括结晶釜、混合模块、研磨出料组件、循环机构和冷却模块。混合模块通过横置 U 型扰流叶片与倾斜分散叶片配合，结合超声波震动棒及环形超声波震动环，提升混合效果并减少...
    2026-02-13
  • 一种砷化硼生长晶体用助溶剂、立方砷化硼晶体及其合成方法
    一种砷化硼生长晶体用助溶剂、立方砷化硼晶体及其合成方法_中山大学_202511381326.8
    本发明公开了一种砷化硼生长晶体用助溶剂、立方砷化硼晶体及其合成方法，涉及砷化硼晶体合成技术领域。助溶剂包括锑和砷，合成方法包括将真空密封有硼、助溶剂的容器放置于双温区加热设备，高温端加热至800‑920℃，低温端加热至650‑850℃，高温...
    2026-02-13
  • 一种大尺寸P型磷化铟单晶的制备方法
    一种大尺寸P型磷化铟单晶的制备方法_华冠半导体(河源)有限公司_202511464172.9
    本发明提出了一种大尺寸P型磷化铟单晶的制备方法，属于半导体材料技术领域。本发明的制备方法为：将InP多晶料、单质锌、三氧化二硼和红磷按顺序装入坩埚，然后将坩埚放入石英管中，对石英管抽真空后进行熔封形成石英杜瓦管，并放入单晶炉中，密封后启动单...
    2026-02-13
  • 一种氧化镓晶体制备工艺及其装置
    一种氧化镓晶体制备工艺及其装置_安徽环巢光电科技有限公司_202511395920.2
    本发明涉及氧化镓晶体制备技术领域，具体是一种氧化镓晶体制备工艺及其装置。具体的制备工艺包括以下步骤：S1、混合物料压制成料胚；S2、料胚在氯化镓溶液中真空浸渍；S3、料胚在氯化钾溶液中真空浸渍；S4、将料胚放入到生长炉内，对坩埚升温；S5、...
    2026-02-13
  • 一种CeF3掺杂M型钡铁氧体单晶的制备方法
    一种CeF3掺杂M型钡铁氧体单晶的制备方法_中国科学院新疆理化技术研究所_202511305666.2
    本发明提出了一种CeF3掺杂M型钡铁氧体单晶的制备方法，包括以下步骤：S1、将原料BaCO3、Fe2O3以及CeF3与助熔剂LiF‑NaF‑B2O3烘干；S2、将原料BaCO3与Fe2O3进行称量，同时添加适量CeF3粉末，将上述原料和助熔...
    2026-02-13
  • 一种用于调节炉内含氧量的移动加热装置及操作方法
    一种用于调节炉内含氧量的移动加热装置及操作方法_云南嘉泰来新材料有限公司_202511327788.1
    本发明涉及单晶硅生产技术领域，具体是涉及一种用于调节炉内含氧量的移动加热装置及操作方法，包括加热机构，加热机构包括若干个弧形加热板，其中一个弧形加热板上设有位于其中心的激光测距机构，单晶炉内设有位于坩埚旁侧的定位区，定位区内设有激光接收机构...
    2026-02-13
  • 一种提高自动放肩成活率的方法
    一种提高自动放肩成活率的方法_宜宾英发德坤科技有限公司_202511452327.7
    本发明公开了一种提高自动放肩成活率的方法，涉及硅棒拉制技术领域，包括：当单晶炉炉内硅料全熔后，将导流筒降至下限位；启动视觉判断功能，根据视觉判断结果调整功率以控制液面温度；依据导流筒倒影月牙面积确定液面与导流筒下沿距离，调整埚位；进行自动增...
    2026-02-13
  • 一种动态控制生长压力与侧向缓冲层的AlN单晶PVT生长方法及装置
    一种动态控制生长压力与侧向缓冲层的AlN单晶PVT生长方法及装置_俞瑞仙_202511361159.0
    本发明公开了一种动态控制生长压力与侧向缓冲层的氮化铝(AlN)单晶PVT生长方法及装置。该方法在生长过程中分段调节压力：升温过程中将腔体压力维持在0.9Mpa‑大气压。达到生长温度时，气压降低至0.5‑0.8MPa，压力在生长过程中周期性微...
    2026-02-13
  • 一种大尺寸晶圆级硒氧化铋单晶薄膜及制备方法和应用
    一种大尺寸晶圆级硒氧化铋单晶薄膜及制备方法和应用_北京大学_202511109831.7
    本发明提供一种大尺寸晶圆级硒氧化铋单晶薄膜及制备方法和应用，涉及半导体材料技术领域。本发明的大尺寸晶圆级硒氧化铋单晶薄膜为连续均一硒氧化铋单晶薄膜，且所述大尺寸晶圆级硒氧化铋单晶薄膜的晶圆直径大于等于4英寸。本发明的大尺寸晶圆级硒氧化铋单晶...
    2026-02-13
  • 基于团簇束与局域基底偏压的一体化金刚石生长抛光方法
    基于团簇束与局域基底偏压的一体化金刚石生长抛光方法_哈尔滨工业大学_202511399686.0
    本发明涉及金刚石材料制备技术领域，具体涉及基于团簇束与局域基底偏压的一体化金刚石生长抛光方法，首先对金刚石基底预处理并利用原子力显微镜扫描获取表面三维形貌，确定凹陷与平整区域，据此设计局域偏压分布图谱，对凹陷区域施加较大负偏压，平整区域施加...
    2026-02-13
  • 一种用于MBE工艺的真空腔系统及其操作方法
    一种用于MBE工艺的真空腔系统及其操作方法_合肥致真精密设备有限公司_202511218438.1
    本发明公开了一种用于MBE工艺的真空腔系统及其操作方法，具体涉及MBE薄膜生长设备技术领域，包括真空腔体系统和传送样系统；真空腔体系统包括通过闸板阀依次连接的快速进样腔、预处理腔、工艺腔和互联腔；传送样系统包括：安装在快速进样腔底部的样品架...
    2026-02-13
  • 一种外延工艺的反应腔室及多片行星式外延设备
    一种外延工艺的反应腔室及多片行星式外延设备_瑶光半导体(浙江)有限公司_202511354564.X
    本发明公开了一种外延工艺的反应腔室及多片行星式外延设备，涉及半导体制造设备领域。包括上盖，设于所述反应腔顶部；基座，可转动的设于反应腔内且与所述上盖平行间隔设置；多个卫星盘，呈圆周分布在基座上，用于承载待加工件，其中，所述上盖设有第一进气结...
    2026-02-13
  • 一种能够减振的反应室
    一种能够减振的反应室_苏州中科重仪半导体材料有限公司_202511388274.7
    本发明涉及反应室技术领域，公开了一种能够减振的反应室，包括圆筒，其用于盛装反应物料，底座，其设置于圆筒的底部，用于支撑圆筒，若干个第一减振单元，其设置于底座和圆筒之间，用于圆筒的减振，若干个第二减振单元，其设置于底座和圆筒之间，用于圆筒的减...
    2026-02-13
  • 一种用于厚膜外延生长的一体化高效预热组件及其应用工艺
    一种用于厚膜外延生长的一体化高效预热组件及其应用工艺_浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司_202511249947.0
    本发明涉及一种包括反应腔室、设置于反应腔室内的基座及预热环，预热环为无缝一体成型的圆环结构，预热环包括：与反应腔室的下环件内壁匹配固定的下部圆顶集成部以及沿下部圆顶集成部向基座方向水平延伸的预热部，下部圆顶集成部的曲率半径与下环件的曲率半径...
    2026-02-13
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