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最新专利技术
  • 包括承载连接器的电子板的电子外壳
    包括承载连接器的电子板的电子外壳_欧摩威德国有限公司_202480043978.8
    披露了一种电子外壳(1)，该电子外壳包括：‑电子板(4)，该电子板承载至少两个连接器(6)；‑两个半壳(2, 3)，这两个半壳被配置成组装在一起以形成所述外壳，这些半壳中的一个包括至少两个开口(33)，所述电子板(4)布置在外壳中，使得每个...
    2026-01-29
  • 结构体
    结构体_三菱电机株式会社_202380099741.7
    结构体是使多个金属板(10、20)在板厚方向上重叠而成的，该多个金属板是具有导电性的母材被绝缘覆膜覆盖而成的，该结构体具备：突出部(11)，其设置于彼此相邻并通过螺钉(51)紧固的金属板(10、20)彼此中的一方的金属板(10)，并朝向另一...
    2026-01-29
  • 电磁波吸收体
    电磁波吸收体_麦克赛尔株式会社_202480043895.9
    本发明得到一种电磁波吸收体，其能够良好地吸收毫米波段以上的高频率的电磁波，并且即使在周围的温度产生变化的情况下也能够良好地吸收所希望的频率的电磁波。一种电磁波吸收体，其为在粘合剂(1b)内包含在毫米波段的频带进行磁共振的磁铅石型六方晶铁氧体...
    2026-01-29
  • 管理装置、移动型作业装置、安装系统、管理方法及移动型作业装置的控制方法
    管理装置、移动型作业装置、安装系统、管理方法及移动型作业装置的控制方法_株式会社富士_202380099860.2
    本公开的管理装置具备管理控制部，该管理控制部在将基于通用设置的供料器装配于安装用装配部之后，在基于该通用设置的处理对象物的生产结束的预定定时，向移动型作业装置输出使未被装配到安装用装配部上的通用设置所包含的供料器向通用设置的装配位置移动的恢...
    2026-01-29
  • 部件安装装置以及部件安装方法
    部件安装装置以及部件安装方法_松下知识产权经营株式会社_202480042203.9
    部件安装装置(100)具备部件供给部(带式供给器(5))、装配部(部件安装机构(130))、对供给到部件取出位置的后续带的部件执行给定的后续带处理的后续带处理执行部(LCR检测器(19))和控制部(110)，控制部(110)在第1往复中检测...
    2026-01-29
  • 三维半导体装置及其形成方法
    三维半导体装置及其形成方法_长江存储科技有限责任公司_202480001298.X
    本公开内容涉及用于管理三维(3D)半导体装置的方法、装置、系统和技术。示例半导体装置包括存储单元阵列。存储单元阵列中的存储单元包括沿第一方向堆叠的第一垂直晶体管和第一电容器。第一电容器包括第一电极，第一电极包括填充物结构和围绕填充物结构的导...
    2026-01-29
  • 半导体装置及半导体装置的制造方法
    半导体装置及半导体装置的制造方法_株式会社半导体能源研究所_202480042332.8
    提供一种能够实现高集成化的存储装置及包括该存储装置的半导体装置。半导体装置包括电容器、第一晶体管及第二晶体管。电容器包括第一导电层、第一导电层上的第二导电层及具有位于第一导电层与第二导电层之间的区域的第一绝缘层。第一绝缘层上设置有用作第一晶...
    2026-01-29
  • 具有低势垒高度Schottky接触的半导体器件
    具有低势垒高度Schottky接触的半导体器件_沃孚半导体公司_202480028124.2
    根据一些实施例的Schottky二极管包括具有第一导电类型的碳化硅漂移层和在该漂移层中的结屏蔽区域。结屏蔽区域具有与第一导电类型相反的第二导电类型。Schottky二极管还包括在碳化硅漂移层上的阳极接触。阳极接触包括难熔金属氮化物，并且与漂...
    2026-01-29
  • 半导体装置
    半导体装置_富士电机株式会社_202580003469.7
    本发明提供一种半导体装置，其在第一方向上重复设置有第一阴极区和第二阴极区，在与所述第一方向交叉的第二方向设置有一个以上的所述第一阴极区，所述一个以上的所述第一阴极区的所述第二方向上的两端之间的长度Lx和一个所述第一阴极区的所述第一方向上的宽...
    2026-01-29
  • 高电子迁移率晶体管、RF开关电路、功率放大器电路及无线通信终端
    高电子迁移率晶体管、RF开关电路、功率放大器电路及无线通信终端_索尼半导体解决方案公司_202480041467.2
    根据本技术的实施方式的高电子迁移率晶体管包括半导体层、栅电极、以及设置在半导体层与栅电极之间的栅绝缘膜。栅绝缘膜具有与半导体层相接触的第一绝缘膜和与第一绝缘膜和栅电极相接触的第二绝缘膜。第一绝缘膜和第二绝缘膜满足以下关系式(A)、(B)和(...
    2026-01-29
  • 碳化硅半导体装置及其制造方法
    碳化硅半导体装置及其制造方法_株式会社日立制作所_202480042440.5
    碳化硅半导体装置具备：由4H‑SiC构成的半导体基板(SB)、形成在半导体基板(SB)内的集电极区域(CR)、与集电极区域(CR)接触并包含硅化物区域(SCR)和非硅化物区域(NSCR)的接触层(CL)、与接触层(CL)接触的集电极(CE)...
    2026-01-29
  • 碳化硅半导体器件
    碳化硅半导体器件_住友电气工业株式会社_202480042705.1
    碳化硅半导体器件具备具有第一主面和第二主面的碳化硅衬底，碳化硅衬底具有：第一导电型的漂移区；漂移区上的第二导电型的体区；体区上的第一导电型的源极区；第二导电型的连接区，与体区之下相接设置；以及第二导电型的电场缓和区，与连接区之下相接设置，设...
    2026-01-29
  • 逻辑运算元件、逻辑器件、NOT逻辑器件、可切换NOT逻辑器件、XOR逻辑器件、AND逻辑器件、OR逻辑器件以及半加器
    逻辑运算元件、逻辑器件、NOT逻辑器件、可切换NOT逻辑器件、XOR逻辑器件、AND逻辑器件、OR逻辑器件以及半加器_国立研究开发法人科学技术振兴机构_202480044057.3
    逻辑运算元件(1A)具有供电子自旋波传播的一维细线构造(10)、以及沿着一维细线构造(10)的一部分的栅极电极(20A)。逻辑运算元件(1A)的逻辑输入是在一维细线构造(10)中传播之前的电子自旋波的相位状态。逻辑运算元件(1A)的逻辑输出...
    2026-01-29
  • 具有集成的第一类型子晶胞和第二类型子晶胞的半导体器件
    具有集成的第一类型子晶胞和第二类型子晶胞的半导体器件_华为数字能源技术有限公司_202380099532.2
    本发明涉及一种半导体器件(100)，包括：管芯层(110)，包括顶表面和与所述顶表面相对的底表面；所述管芯层(110)形成横跨所述管芯层(110)的所述顶表面并排布置的多个单位晶胞(120)，其中，每个单位晶胞(120)包括集成在所述单位晶...
    2026-01-29
  • 半导体装置
    半导体装置_富士电机株式会社_202480043170.X
    本发明提供一种在电位彼此不同的端子隔着绝缘层配置的情况下能够确保端子间的绝缘性的半导体装置。半导体装置具备：第一端子(5)；第二端子(3)，其局部与第一端子(5)相对，在不与第一端子(5)相对的另一局部设置有第一开口部(34a、34b)；以...
    2026-01-29
  • 具有垂直堆叠的管芯和电压转换器的封装架构
    具有垂直堆叠的管芯和电压转换器的封装架构_英特尔公司_202480042784.6
    微电子组件的实施例可以包括第一集成电路(IC)管芯和第二IC管芯，第一IC管芯具有第一表面、与第一表面相对的第二表面、与第一表面和第二表面正交的第三表面，第一IC管芯包括衬底和金属化堆叠体，金属化堆叠体具有平行于第一表面和第二表面的界面，衬...
    2026-01-29
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社半导体能源研究所_202480041524.7
    提供一种半导体装置。该半导体装置包括第一晶体管、第二晶体管及第三晶体管，第一晶体管包括第一栅极、隔着第一晶体管的沟道形成区域与第一栅极相对的第二栅极、第一源极及第一漏极，第二晶体管包括第三栅极、第二源极及第二漏极，第三晶体管包括第四栅极、第...
    2026-01-29
  • 氮化物半导体装置及其制造方法
    氮化物半导体装置及其制造方法_新唐科技日本株式会社_202480041996.2
    一种氮化物半导体装置(1)，具备有源元件(10)与无源元件(20)，具备：在平面视图中被区分为有源区(101)与无源区(102)的氮化物半导体层(120)；以及在所述无源区(102)与所述氮化物半导体层(120)相接触的金属层(150)。所...
    2026-01-29
  • III-N双栅器件
    III-N双栅器件_蒙德无线公司_202380099417.5
    III‑N双栅器件和制造III‑N双栅器件的方法。示例半导体器件包括III‑N背势垒、在III‑N背势垒之上的III‑N沟道层、以及在III‑N沟道层中的二维电子气(2DEG)沟道。该半导体器件包括源极触点和漏极触点，并且在源极触点和漏极触...
    2026-01-29
  • 阵列基板及其制作方法、显示面板
    阵列基板及其制作方法、显示面板_京东方科技集团股份有限公司_202480000913.5
    本公开提供了一种阵列基板及其制作方法、显示面板，阵列基板包括：衬底和第一多晶硅薄膜晶体管。第一多晶硅薄膜晶体管位于衬底之上。第一多晶硅薄膜晶体管的沟道内包括多个晶粒。第一多晶硅薄膜晶体管的沟道内，晶粒沿第一方向的长度大于沿第二方向的长度；第...
    2026-01-29
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