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最新专利技术
  • 半导体器件、芯片及电子设备
    半导体器件、芯片及电子设备_华为技术有限公司_202380100406.4
    本申请实施方式提供一种半导体器件、芯片及电子设备。半导体器件包括：衬底；设置于衬底上的介质层；凹槽，凹槽的至少部分处于介质层中；凹槽中设置有依次层叠设置的第一金属层、介电材料和第二金属层，第一金属层和第二金属层通过介电材料隔离，第一金属层至...
    2026-03-06
  • 用于功率模块的冷却体元件，功率模块和用于制造这种冷却体元件的方法
    用于功率模块的冷却体元件，功率模块和用于制造这种冷却体元件的方法_罗杰斯德国有限公司_202480046946.3
    一种用于电功率模块(10)的冷却体元件(1)，所述冷却体元件包括：具有第一端侧(S)和与第一端侧(S1)相对置的第二端侧(S2)的基体，所述第一端侧在装配状态中朝向待冷却的面；以及冷却通道(30, 30’)，所述冷却通道在第一端侧(S1)与...
    2026-03-06
  • 集成电路封装件及其形成方法
    集成电路封装件及其形成方法_美敦力公司_202480045585.0
    公开了集成电路封装件的各种实施方案。封装件包括插入器和在器件接口处耦合到插入器的电子器件。插入器包括半导体衬底、设置在衬底的第一主表面上或第一主表面中的器件接口和邻近器件接口设置在衬底的第一主表面上的互连区域。互连区域包括设置在衬底的第一主...
    2026-03-06
  • 再布线层叠体的制造方法及带载体的金属箔
    再布线层叠体的制造方法及带载体的金属箔_三井金属株式会社_202480048892.4
    提供能够减少翘曲的再布线层叠体的制造方法。该再布线层叠体的制造方法包括：在依次具备第1载体、第1剥离层和第1金属层的第1带载体的金属箔的第1金属层上形成厚度100μm以下的第1再布线层，得到第1层叠体的工序；准备在第2载体上具备厚度100μ...
    2026-03-06
  • 芯片间超精细互连封装结构及其制备方法
    芯片间超精细互连封装结构及其制备方法_广东省科学院半导体研究所_202580003525.7
    本发明公开一种芯片间超精细互连封装结构及其制备方法，其中，封装结构包括至少两颗芯片，芯片的至少部分芯片引脚上制备有金属凸块，金属凸块的高度不低于硅桥结构的高度；用于将至少部分相邻芯片电气互连的硅桥结构，其通过激光辅助键合技术直接键合在至少部...
    2026-03-06
  • 接合片材、半导体装置、半导体装置的制造方法以及半导体装置的制造装置
    接合片材、半导体装置、半导体装置的制造方法以及半导体装置的制造装置_松下知识产权经营株式会社_202480048977.2
    接合片材(10)是将第1构件和第2构件接合的一对片材之中的1个，具备与第1构件或第2构件接合的主面(11)、和位于主面(11)的相反侧的主面(12)，主面(12)相对于主面(11)倾斜，接合片材(10)具有导电性。
    2026-03-06
  • 紧凑型锚
    紧凑型锚_维耶尔公司_202480043168.2
    本公开涉及将微装置固定至盒或供体衬底的方法。在此处，锚定层和释放层位于该供体衬底上，并且该释放层被移除并且独立锚定层固定该微装置。本发明还涉及微装置转移过程，其通过减小该微装置下方的释放层面积来减小接合力。在此处，可使用蚀刻以及用于控制蚀刻...
    2026-03-06
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