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  • 本申请涉及掩模组装设备、掩模组装方法和掩模。掩模组装设备包括:前掩模安装部和后掩模安装部,其中,前掩模安装部和后掩模安装部中的每一个包括掩模安装架;以及桥接安装部,包括桥接安装架。桥接安装架包括:桥接安装架顶部,位于前掩模安装部和后掩模安装...
  • 本发明属于半导体技术领域,具体涉及掩模版及应用该掩模板的蒸镀对位系统、蒸镀对位方法及蒸镀方法。掩模版,包括掩模版本体,掩模版本体上设有对位标记组,对位标记组用于供图像采集装置进行识别对位,每个对位标记组包括:第一标记,位于掩模版本体面向蒸镀...
  • 本申请涉及一种摩擦配副体系及制备和实现超硬碳膜超低摩擦的方法。所述摩擦配副体系包括分别在摩擦副的两接触表面涂覆的超硬四面体非晶碳膜和多元掺杂类石墨碳膜,以及位于摩擦界面间的纳米固体润滑剂,所述多元掺杂类石墨碳膜中掺杂的多元金属为Ag、Ni、...
  • 本申请提供了一种超硬且高韧的纳米复合涂层的制备方法,1) 对基体进行预清洗;2) 对基体进行辉光放电清洗和离子清洗;3) 采用磁过滤真空阴极弧共沉积方法在基体上沉积形成过渡层;4) 采用磁过滤真空阴极弧共沉积方法在过渡层上沉积形成TiAlS...
  • 本发明涉及纳米涂层技术领域,具体公开了一种高导电纳米涂层及其检测装置,包括基底材料;所述基底材料上自下至上依次镀设有打底层、过渡层、高导电耐腐蚀层和防护层;打底层的厚度为100nm;过渡层的厚度为200‑500nm;高导电耐腐蚀层的厚度为2...
  • 本发明公开了一种电子元器件中使用的氧化钨薄膜的制备方法,属于薄膜材料技术领域。主要是利用离子束沉积系统进行薄膜的制备。将衬底送入离子镀膜沉积系统中,在改变镀膜工艺参数的过程中,进行氧化钨薄膜的镀制。本发明操作简便,可控性强,所制备的薄膜性能...
  • 本发明涉及一种超薄连续金属膜及其制备方法和应用,所述制备方法包括如下步骤:(1)在原子层沉积系统中,使用金属有机物前驱体对衬底进行第一沉积,得到预处理后衬底;其中,所述预处理后衬底的表面具有单分子层;(2)采用物理气相沉积在所述预处理后衬底...
  • 本发明公开的橡胶件的表面处理方法,包括:将橡胶件置于真空腔室内,控制所述真空腔室处于第一气压;向所述真空腔室通入丙烯酸酯类气体,并调节所述真空腔室处于第二气压;对所述橡胶件的表面进行离子轰击;以及在所述橡胶件的表面上沉积金属层。该方法简单有...
  • 本发明提供了一种腔室内工件表面的处理方法及半导体设备,涉及半导体技术领域。其中凹凸表面的设计增大了工件的表面积,改善了副产物镀层在破裂之前形成的时间和厚度,能在一定程度上延续IBS稳定生产的工艺过程。对凹凸表面进行粗化处理的设计,进一步增强...
  • 本申请公开了粉体包覆组件以及粉体包覆设备,其中,粉体包覆组件包括腔体、托盘、搅拌桨叶、驱动元件、自转结构以及工位切换结构;腔体具有多个用于安装靶材的安装位;托盘具有容纳槽,托盘倾斜设置在腔体内;搅拌桨叶用于搅拌粉体,驱动元件用于驱动搅拌桨叶...
  • 本发明公开了一种蒸镀线源遮挡装置,包括遮挡部以及用于驱动所述遮挡部靠近或远离蒸镀线源的驱动部;所述遮挡部包括挡板移动机构以及驱动所述挡板移动机构动作的导向机构,所述挡板移动机构包括底板以及在所述底板上水平滑动的固定块,所述固定块下方活动连接...
  • 本申请涉及蒸镀系统技术领域,特别是涉及一种坩埚材料剩余质量的监测方法。所述方法,包括:在正式蒸镀蒸发源材料之前,进行至少一次蒸镀实验,确定蒸镀实验后,蒸发源材料的消耗厚度及消耗的蒸发源材料的重量;基于所述蒸镀材料厚度及所需要的材料重量,确定...
  • 本发明公开了一种智能温控移动式金属真空镀膜方法,该方法核心在于将程序化智能温控与动态移动镀膜过程进行协同集成,包括:设备准备、工件装载、真空建立、温控规划、程序化加热、金属沉积、动态均匀化、实时反馈控制、程序化冷却及工件取出步骤。通过本发明...
  • 本发明涉及一种在铝基底上电子束蒸发镀制铝膜的方法。一种在铝基底上电子束蒸发镀制铝膜的方法,包括以下步骤:S1 : 对铝基底进行预处理;S2 : 将预处理后的铝基底放置于电子束蒸发镀膜设备的基片架上,伞架匀速自转;S3 : 对镀膜设备的真空室...
  • 本发明涉及真空镀膜领域,特别是涉及一种嵌套式双坩埚电子束连续蒸发镀膜装置,包括外置的大坩埚、嵌套于大坩埚内部的小坩埚、设置在大坩埚和小坩埚之间的连通通道料槽以及填充在大坩埚周围的绝热材料;大坩埚的侧壁设有电阻加热丝,连通通道料槽用于实现熔融...
  • 本发明涉及真空镀膜技术领域,特别是涉及一种用于真空电子枪镀膜机的电子束电磁约束系统,包括外聚焦线圈、内聚焦线圈、绝缘组件、冷却结构、监测组件、控制模块和低温漂电源模块;外聚焦线圈和内聚焦线圈呈同轴嵌套式设置,两者构成多层同轴螺线管线圈,且两...
  • 本公开属于超导薄膜制备技术领域,提供了一种超导单晶薄膜及其制备方法和应用。制备方法:以过渡金属作为靶材,在距靶材>30cm处通入氩氮混合气体,距靶材0~5cm处通入氩气,于真空条件下经反应溅射在基片上沉积氮化物薄膜,即得;反应溅射中基片的温...
  • 本发明涉及一种磁控溅射制备钙钛矿电池中电子传输层的方法及钙钛矿电池,采用本发明提供的方法进行磁控溅射,作为阴极的靶材产生的二次电子被电场和磁场交互作用,进而被有效地控制在至少2个靶材围成的空间内,形成柱状的等离子体,进而增加了电子与反应气之...
  • 本发明公开的承载基体的表面处理方法,包括:将承载基体置于腔室内,控制腔室处于第一真空度,在承载基体的表面采用磁控溅射离子镀沉积Cr层;保持腔室处于所述第一真空度,在所述Cr层上沉积CrC层;以及降低所述第一真空度使腔室处于第二真空度,在所述...
  • 本发明公开了一种基于磁场分区域动态调节的真空镀膜均匀性控制方法及装置,涉及真空镀膜技术领域。该装置包括分区磁场生成模块、膜厚实时监测模块、智能控制模块和磁场‑溅射耦合模块。分区磁场生成模块在靶材背面设置多组独立可控的电磁单元阵列;膜厚实时监...
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