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最新专利技术
  • 发光装置和电子设备
    发光装置和电子设备_索尼集团公司_202480050245.7
    提供了能够有效地散热的发光装置。发光装置包括：多个发光元件；驱动基板，具有用于驱动发光元件的驱动电路部；以及散热基板，直接接合到驱动基板。
    2026-03-26
  • 具有公共电极的多芯片LED封装
    具有公共电极的多芯片LED封装_科锐LED公司_202480051955.1
    公开了发光二极管(LED)封装，并且更具体地，公开了具有公共电极的多芯片LED封装。LED封装包括引线框结构，该引线框结构具有用于多个LED芯片的公共电极和分别耦接至各个LED芯片的其他对应电极。公共电极形成用于每个LED芯片的阳极连接或阴...
    2026-03-26
  • 光电转换元件、摄像元件、摄像元件的制造方法、光传感器、化合物
    光电转换元件、摄像元件、摄像元件的制造方法、光传感器、化合物_富士胶片株式会社_202480052591.9
    本发明提供一种对蓝绿色光的灵敏度优异的光电转换元件、以及与上述光电转换元件相关的摄像元件、摄像元件的制造方法、光传感器及化合物。本发明的光电转换元件依次具有光电转换元件导电性膜、光电转换膜及透明导电性膜，上述光电转换膜包含式(1)所表示的化...
    2026-03-26
  • 发光元件、显示装置、发光元件的制造方法
    发光元件、显示装置、发光元件的制造方法_夏普显示科技株式会社_202380101638.1
    发光元件(2)具备第一电极(21)、第二电极(25)、第一发光层(23)和第一电荷传输层(24)。发光层位于第一电极与第二电极之间，并且在靠近第二电极侧的表面上具有朝向第一电极侧凹陷的第一凹部(32)。第一电荷传输层与第一发光层的第二电极侧...
    2026-03-26
  • 苯并唑化合物及使用了该化合物的有机电致发光元件
    苯并唑化合物及使用了该化合物的有机电致发光元件_保土谷化学工业株式会社_202480052891.7
    本发明提供在覆盖层中使用了波长450nm～750nm的折射率高、消光系数低的化合物的有机EL元件，用以改善有机电致发光(EL)元件的光取出效率。一种有机EL元件，依次具有阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层、阴极及覆盖层，其中，覆盖层含有由...
    2026-03-26
  • 可拉伸显示装置及其制造方法
    可拉伸显示装置及其制造方法_三星显示有限公司_202480054452.X
    本发明的一个实施方式中公开可拉伸显示装置和制造可拉伸显示装置的方法，该可拉伸显示装置包括显示区域和在显示区域外侧的非显示区域，其中可拉伸显示装置包括：多个岛部分，布置在显示区域中并且设置为彼此间隔开；多个桥部分，各自连接多个岛部分中彼此相邻...
    2026-03-26
  • 用于OLED像素沉积的沉积掩模
    用于OLED像素沉积的沉积掩模_LG伊诺特有限公司_202480053131.8
    根据实施例的沉积掩模包括：金属板，包括第一表面和与第一表面相对的第二表面；以及多个通孔，形成在金属板中，其中：金属板包括沉积区域和非沉积区域；通孔布置在沉积区域中；通孔包括设置在第一表面上的大表面孔、设置在第二表面上的小表面孔、以及连接大表...
    2026-03-26
  • 热电装置
    热电装置_国立研究开发法人物质·材料研究机构_202480051366.3
    使热流高效地集中在热电材料，由此实现高效率的热电转换元件。本发明的热电装置具备：具有剩余磁化的热电材料的块体(块体热电永磁铁)、用于与对象物接触的接触面、隔着块体热电永磁铁与上述接触面对置的散热面、以及在与接触面和散热面不同的方向夹持块体热...
    2026-03-26
  • 热电转换器件、热电转换模块及热电转换方法
    热电转换器件、热电转换模块及热电转换方法_国立大学法人东京大学_202480054469.5
    本发明的热电转换器件200具备：对沿第1方向输入的热流H具有非线性热电响应特性的热电转换部202；和用于提取因沿第1方向从外部输入至热电转换部202的热流H而在热电转换部202产生的热电信号JN的电极部207a、207b。
    2026-03-26
  • 用于转移包含封装的换能器的电子电路的方法、转移装置和用于制造该装置的方法以及在转移之后获得的复合物
    用于转移包含封装的换能器的电子电路的方法、转移装置和用于制造该装置的方法以及在转移之后获得的复合物_阿科玛法国公司_202480051744.8
    本发明涉及一种设计为将电子电路(6)从母基板(2)转移到子基板的装置(1)，包含a)面积SM的母基板(2)，b)面积SL1的聚合物组合物c1层L1(3)，其布置在母基板(2)的全部或一部分上，以及c)面积ST的至少一个电子电路(6)，其包含...
    2026-03-26
  • 树脂组合物、附有压电膜的基板、附有压电膜的基板的制造方法
    树脂组合物、附有压电膜的基板、附有压电膜的基板的制造方法_东丽株式会社_202480052074.1
    本发明的目的是提供一种在压电粒子由粘合剂树脂固定的压电膜中，压电粒子的分散性良好，并能够获得良好的面内均匀性的树脂组合物。本发明是包含下述(A)～(C)的树脂组合物。(A)粘合剂树脂(B)压电粒子(C)具有通式(1)所表示的结构及酸性基的化...
    2026-03-26
  • 压电体膜基板的制造方法及压电体膜基板
    压电体膜基板的制造方法及压电体膜基板_住友精密工业株式会社_202480054025.1
    该压电体膜基板的制造方法具备：在基板上形成下部电极层的工序；在下部电极层上形成含有规定金属元素的调整层的工序；在基板通过加热装置以规定的成膜时设定温度被加热的状态下，在调整层上成膜压电体层的工序，该压电体层含有具有钙钛矿结构的锆钛酸铅；继成...
    2026-03-26
  • 垂直型III-V族霍尔传感器
    垂直型III-V族霍尔传感器_TDK-微开有限公司_202480038542.X
    一种垂直型III‑V族霍尔传感器，其具有：带有上表面和下表面的衬底层；构造在所述衬底层上的第一绝缘层；构造在所述第一绝缘层上的III‑V族半导体层；以及，构造在所述III‑V族半导体层上的第二绝缘层，其中，所述第二绝缘层被结构化并且具有至少...
    2026-03-26
  • SOI晶圆及其制造方法
    SOI晶圆及其制造方法_信越半导体株式会社_202480052966.1
    本发明提供一种SOI晶圆，其在电阻率为10Ω·cm以上且5000Ω·cm以下的单晶硅基板上依次具备硅外延膜、电介质层及单晶硅膜，所述硅外延膜的碳浓度为2×1019个原子/cm3以上且小于3×1020个原子/cm3，并且所述硅外延膜包含碳缺陷...
    2026-03-26
  • 基板处理方法和基板处理装置
    基板处理方法和基板处理装置_东京毅力科创株式会社_202480052367.X
    基板处理方法包括保持工序和供给工序。在保持工序中，保持在表面具有含有铟(In)、镓(Ga)以及锌(Zn)的氧化物半导体的基板。在供给工序中，向在保持工序中被保持的基板供给用于对氧化物半导体进行蚀刻的蚀刻液。在供给工序中，供给硫酸或氢氟酸作为...
    2026-03-26
  • 基板处理方法及基板处理装置
    基板处理方法及基板处理装置_株式会社斯库林集团_202480053143.0
    基板处理方法包含：液膜形成步骤，向基板W的正面供给包含升华性物质的升华性物质含有液，由此在基板W的正面形成升华性物质含有液的液膜；固化膜形成步骤，使升华性物质含有液的液膜在基板W的正面变成包含升华性物质的固化膜SF；升华步骤，使固化膜SF升...
    2026-03-26
  • 使得能够在高温下进行液滴喷射清洁的方法和设备
    使得能够在高温下进行液滴喷射清洁的方法和设备_应用材料公司_202480050176.X
    本公开内容的实施例包括一种清洁基板的设备和方法。本公开内容描述了一种清洁基板的方法，所述方法包括向喷嘴供应处于气体温度和气体质量流率的气体。所述方法还包括向所述喷嘴供应处于液体温度和液体质量流率的液体。所述方法还包括在所述喷嘴中将所述气体与...
    2026-03-26
  • 于低温下蚀刻含碳特征的方法
    于低温下蚀刻含碳特征的方法_应用材料公司_202480052871.X
    示例性半导体处理方法可包括向半导体处理腔室的处理区域提供含氧前驱物和含硫前驱物。基板可容纳在处理区域中。含碳材料层可安置在基板上。所述方法可包括形成含氧前驱物和含硫前驱物的等离子体流出物。所述方法可包括使基板与含氧前驱物和含硫前驱物的等离子...
    2026-03-26
  • 反应副产物捕集装置
    反应副产物捕集装置_MMT株式会社_202580003676.2
    本发明提供一种反应副产物捕集装置。根据本发明的一方面的反应副产物捕集装置，所述反应副产物捕集装置从作为半导体工艺的反应副产物的废气中捕集粉末，包括：粉末捕集部，从所述废气中析出所述粉末，并且使析出的所述粉末分离并脱落；粉末输送部，设置在所述...
    2026-03-26
  • 用于基板的存储和/或运输的容器
    用于基板的存储和/或运输的容器_布鲁克斯自动化(德国)有限公司_202480052281.7
    本发明涉及一种容器(100)，被配置用于且适于存储和/或运输基板，设有气缸‑活塞机构(200)，该气缸‑活塞机构包括可在气缸(220)内往复移动的活塞(210)，气缸‑活塞机构被配置为且适于通过将基板与附接到活塞(210)的接合构件(210...
    2026-03-26
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