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最新专利技术
  • 硅生长轴连接装置、硅生长系统及埚转偏差协同补偿方法
    硅生长轴连接装置、硅生长系统及埚转偏差协同补偿方法_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202511840788.1
    本申请提供了一种硅生长轴连接装置。该种硅生长轴连接装置包括第一轴构件、第二轴构件以及面接触传力构件。其中，第一轴构件设置在坩埚侧轴，具有第一轴构件连接端。第二轴构件设置在驱动侧轴，具有第二轴构件连接端。面接触传力构件设置在第一轴构件连接端与...
    2026-04-23
  • 一种硼酸镥钾二阶非线性光学晶体及其制备方法和用途
    一种硼酸镥钾二阶非线性光学晶体及其制备方法和用途_天津理工大学_202411442230.3
    本专利申请涉及一种新型的硼酸镥钾(K7.5Lu2.5B15O30)二阶非线性光学晶体，该晶体具备短的紫外截止边和显著的倍频效应，适用于扩展激光源波长至更宽光谱区域。晶体采用高温固相法和高温溶液法制备，属于三方晶系，R32(No.155)空间...
    2026-04-23
  • 一种零维Cs2CoCl4类钙钛矿单晶、复合柔性薄膜及其制备方法和应用
    一种零维Cs2CoCl4类钙钛矿单晶、复合柔性薄膜及其制备方法和应用_闽都创新实验室_202511755836.7
    本申请公开了一种零维Cs2CoCl4类钙钛矿单晶、复合柔性薄膜及其制备方法和应用，属于半导体X射线探测器领域。所述零维Cs2CoCl4类钙钛矿单晶为由孤立的[CoCl4]2+四面体和Cs+形成零维结构。该单晶具有零维结构，由于电子沿着[Co...
    2026-04-23
  • 一种半导体材料碳化硅重结晶的制作方法
    一种半导体材料碳化硅重结晶的制作方法_王伟东_202310619233.9
    本发明公开了一种半导体材料碳化硅重结晶的制作方法，属于材料科学技术领域，旨在解决碳化硅微分高温气相沉积法制作碳化硅晶体可能会出现材料“死区”，成本高，技术复杂难度高，废品率比较高的问题。包括如下步骤：步骤1：选用高纯度碳化硅24目4kg‑5...
    2026-04-23
  • 一种碳化硅晶须及其应用
    一种碳化硅晶须及其应用_厦门钨业股份有限公司_202511224673.X
    本发明提供了一种碳化硅晶须及其应用，所述碳化硅晶须包括单晶纤维状主体以及覆盖所述单晶纤维状主体表面的二氧化硅氧化层；所述单晶纤维状主体的一端具有块体；所述块体中含有SiO2与SiC。本发明提供的碳化硅晶须，通过二氧化硅氧化层的设置，改善碳化...
    2026-04-23
  • 一种半导体材料制备用倒装对称式铜电极
    一种半导体材料制备用倒装对称式铜电极_上海汉虹精密机械有限公司_202511951813.3
    本发明涉及一种半导体材料制备用倒装对称式铜电极。一种半导体材料制备用倒装对称式铜电极，包括左右镜像对称设置的左电极以及右电极；左电极以及右电极均包括中空弧形电极主体，中空弧形电极主体的两端分别连接第一中空铜柱以及第二中空铜柱，第一中空铜柱开...
    2026-04-23
  • 一种基于多区石墨环调控流场的高质量SiC单晶的制备方法
    一种基于多区石墨环调控流场的高质量SiC单晶的制备方法_山东大学_202610075847.9
    本发明涉及一种基于多区石墨环调控流场的高质量SiC单晶的制备方法，属于SiC生长的技术领域。本发明通过搭建加热式PVT生长系统，采用物理气相传输法(PVT)，在SiC粉料的表面放置石墨环；所述石墨环放置数量为2~10个，相邻石墨环间距为1~...
    2026-04-23
  • 一种籽晶粘接方法
    一种籽晶粘接方法_深圳市海目芯微电子装备科技有限公司_202610322949.6
    本发明公开了一种籽晶粘接方法，涉及碳化硅晶体生长技术领域。该籽晶粘接方法包括：在籽晶的一侧表面涂布粘接剂，形成胶层；将籽晶托、籽晶及上压块依次堆叠放置于加热台上，并使胶层处于籽晶托与籽晶之间；控制加热台启动，并以第一温升速率将加热温度升高至...
    2026-04-23
  • 一种飞灰及废酸耦合制备硫酸钙晶须的设备及方法
    一种飞灰及废酸耦合制备硫酸钙晶须的设备及方法_生态环境部南京环境科学研究所_202610018576.3
    本发明公开了一种飞灰及废酸耦合制备硫酸钙晶须的设备及方法，设备包括酸洗组件和与酸洗组件连接的晶须合成组件；酸洗组件包括酸洗箱和设在酸洗箱内部的破碎混合组件、注酸组件；晶须合成组件包括合成罐、转动卡接在合成罐内部的旋转轴、设在旋转轴底端的安装...
    2026-04-23
  • 一种手性晶体及其制备方法和应用
    一种手性晶体及其制备方法和应用_中国科学院理化技术研究所_202411454122.8
    本发明公开一种手性晶体及其制备方法和应用。该手性晶体的分子式为C5H14N2I4，属于单斜晶系，空间群为P21；所述手性晶体的晶胞参数为：α＝90°，β＝94.75°，γ＝90°，Z＝2；或所述手性晶体的晶胞参数为a＝8.88α＝90°，β...
    2026-04-23
  • 一种半导体结构及其制备方法
    一种半导体结构及其制备方法_中国科学院上海微系统与信息技术研究所_202511994381.4
    本发明提供一种半导体结构及其制备方法，半导体结构包括衬底和超晶格结构，超晶格结构包括1个以上的周期单元结构，每个周期单元结构内包括两层以上的Al(1‑x)ScxN，x为大于0且小于1的数；周期单元结构内各层从远离衬底向靠近衬底方向的Al(1...
    2026-04-23
  • 一种基于液相外延法制备高C轴取向钡铁氧体薄膜的方法
    一种基于液相外延法制备高C轴取向钡铁氧体薄膜的方法_成都飞锐特科技有限公司_202610126800.0
    本发明提供了一种基于液相外延法制备高C轴取向钡铁氧体薄膜的方法。所述方法包括：步骤1、制备熔体：将BaCO3、Fe2O3为原料，K2CO3、Bi2O3、B2O3为助熔剂，称取上述原料和助熔剂进行混料、熔料，得到混合均匀的熔体；步骤2、液相外...
    2026-04-23
  • 一种Bi掺杂的InSe单晶及其制备方法和应用
    一种Bi掺杂的InSe单晶及其制备方法和应用_中国科学院上海硅酸盐研究所_202610319873.1
    本发明涉及InSe晶体技术领域，尤其涉及一种Bi掺杂的InSe单晶及其制备方法和应用。本发明提供了一种Bi掺杂的InSe单晶的制备方法，包括以下步骤：将Bi掺杂的InSe多晶料棒在微重力环境下依次进行升温、晶体生长和降温，得到所述Bi掺杂的...
    2026-04-23
  • 一种三轴应力调控β型氧化镓载流子迁移率的方法
    一种三轴应力调控β型氧化镓载流子迁移率的方法_湖南师范大学_202511895011.5
    本发明涉及半导体材料物性调控和功率器件优化设计领域，具体公开了一种基于三轴应力调控β型氧化镓(β‑Ga2O3)载流子迁移率的方法。氧化镓作为第四代超宽带隙半导体，具有高击穿场强和良好稳定性，但其载流子迁移率较低，限制了在高功率器件中的应用。...
    2026-04-23
  • 一种碲镉汞材料的P型热处理方法
    一种碲镉汞材料的P型热处理方法_武汉高芯科技有限公司_202511869185.4
    本发明涉及一种一种碲镉汞材料的P型热处理方法，其包括如下步骤：制备强P型碲镉汞材料；将汞源、强P型碲镉汞材料均放置样品盒内部的密闭空间中；将设置有汞源、强P型碲镉汞材料的样品盒放置于加热设备中进行热处理，以获得弱P型碲镉汞材料；其中，所述热...
    2026-04-23
  • 一种碲镉汞外延材料的P型热处理方法
    一种碲镉汞外延材料的P型热处理方法_武汉高芯科技有限公司_202511869186.9
    本发明涉及一种碲镉汞外延材料的P型热处理方法，其包括如下步骤：制备强P型碲镉汞外延材料；S2、将汞源、强P型碲镉汞外延材料均放置样品盒内部的密闭空间中；将设置有汞源、强P型碲镉汞外延材料的样品盒放置于加热设备中进行第一次热处理，以获得N型碲...
    2026-04-23
  • 一种氮化铝晶片的退火方法
    一种氮化铝晶片的退火方法_山东大学_202511910067.3
    本发明属于氮化铝晶体生长技术领域，具体涉及一种氮化铝晶片的退火方法。所述方法为，在坩埚底部中央设置钨柱，于钨柱顶端由下至上依次设置钨板、氮化铝晶片、钨片，将粉碎后的氮化铝烧结体平铺于坩埚底部，将导流罩搭设在钨坩埚侧壁凸台上，盖上坩埚盖；坩埚...
    2026-04-23
  • 连接装置和半导体工艺设备
    连接装置和半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202411449637.9
    本申请公开一种连接装置和半导体工艺设备，涉及半导体技术领域。包括：环形滑块，用于可滑动套设于第一部件上；至少两个夹紧机构，设置于第一部件的周面上，各夹紧机构的一端均与环形滑块相连，均用于带动环形滑块相对于第一部件移动；至少两个定位机构，其第...
    2026-04-23
  • 一种轧花机用替代毛刷条的胶条
    一种轧花机用替代毛刷条的胶条_济南闰通安吉机械有限公司_202512042164.1
    本发明公开了一种轧花机用替代毛刷条的胶条，所述胶条包括胶条本体；所述胶条本体为具有一定长度的T字形截面结构。所述胶条本体使用时呈倒置的T字，安装在轧花机的毛刷滚筒上，并沿毛刷滚筒的长度方向延伸。该胶条的使用替代了现有技术的毛刷条，安装在毛刷...
    2026-04-23
  • 一种汽车内饰件用超长竹原纤维制造方法
    一种汽车内饰件用超长竹原纤维制造方法_扬州恒立复合材料有限责任公司_202311185330.8
    本发明公开了一种汽车内饰件用超长竹原纤维制造方法，属于植物纤维生产技术领域，解决现有制备方法竹原纤维长度短、柔性差、无法适用汽车内饰件纺织移动式梳理铺装生产工艺的问题。该方法包括以下步骤：将竹子切片成细长条、脱除掉竹材中的木质素和半纤维素软...
    2026-04-23
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