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最新专利技术
  • 电极的恢复方法及蓄电装置用电极
    电极的恢复方法及蓄电装置用电极_本田技研工业株式会社_202480013896.9
    该电极的恢复方法是使用完毕蓄电装置的电极的恢复方法， 其中， 所述电极的恢复方法包括：评价所述电极的状态的第一工序(S1)；以及将所述电极沿所述电极的厚度方向压缩的第二工序(S2)。
    2025-10-20
  • 充电系统
    充电系统_安斯泰莫株式会社_202380095876.6
    本发明提供一种易于确保测量电池的开路电压所需的电池放电量的充电系统。本发明的用从外部电源供给的电力对车辆1中搭载的电池11进行充电的充电系统， 其包括：控制执行电池11的充放电的充放电控制部32；从测量电池11的电压的电压测量部14获取规定...
    2025-10-20
  • 用于供电系统的能量储存装置
    用于供电系统的能量储存装置_西门子能源有限责任公司_202480016022.9
    本发明涉及一种用于供电系统的能量储存装置(10)， 其中能量储存装置(10)包括：具有电池电芯(11)的能量储存模块(4)， 被设计用于冷却电池电芯(11)的冷却器(12)， 该能量储存装置(10)还包括电阻片(13)， 该电阻片(13)具...
    2025-10-20
  • 碱性蓄电池以及碱性蓄电池用正极板和电解液
    碱性蓄电池以及碱性蓄电池用正极板和电解液_FDK株式会社_202380095300.X
    本发明的技术问题是提高碱性蓄电池中的正极活性物质的利用率。解决手段是碱性蓄电池1是将在正极板3与负极板4之间夹设隔膜5而卷绕而成的电极组与碱性电解液一起容纳在外装罐中的碱性蓄电池。正极板包含含有氢氧化镍的正极活性物质。氢氧化镍为α型。外装罐...
    2025-10-20
  • 全固体电池及全固体电池的制备方法
    全固体电池及全固体电池的制备方法_三樱工业株式会社_202480015271.6
    本发明提供一种改善固体电解质层与电极层的接触状态， 即使在全固体电池的使用时不施加压力也能够充放电的全固体电池及其制备方法。作为其手段， 使用全固体电池， 具有：集电体；设置在集电体上的电极层；和以与电极层接触的方式层叠的固体电解质层， 在...
    2025-10-20
  • 燃料电池的单电池和相关的燃料电池
    燃料电池的单电池和相关的燃料电池_森碧欧_202380092085.8
    本发明涉及燃料电池堆的单电池(100)， 其包括多个壁(102)， 每个壁都是连续的和密封的， 其限定了单电池的隔室(V100)， 并且其由密封结构(200)固定。密封结构由一堆壁框架(220)、隔室框架(230)和粘合剂层(240)形成，...
    2025-10-20
  • 集流体、极片、二次电池、用电装置以及铜箔和该铜箔的制备方法
    集流体、极片、二次电池、用电装置以及铜箔和该铜箔的制备方法_宁德时代新能源科技股份有限公司_202480005930.8
    一种集流体、极片、二次电池、用电装置以及铜箔和该铜箔的制备方法。集流体包括铜箔， 铜箔中晶粒的平均粒径为50nm‑400nm， 且基于铜箔中晶粒的总数量计， 纳米孪晶的晶粒数量占比大于等于60％。高比例的纳米孪晶结构和小的晶粒尺寸共同作用，...
    2025-10-20
  • 锂离子电池负极活性物质
    锂离子电池负极活性物质_大同特殊钢株式会社_202480018015.2
    本发明涉及一种锂离子电池负极活性物质， 其为Si系粉末和导电性物质通过粘合剂粘结而成的Si系造粒体， 所述Si系粉末包含Si相， 在所述Si系造粒体的表面具有碳覆膜。
    2025-10-20
  • 制备电极的方法、由此制备的电极以及包含该电极的锂二次电池
    制备电极的方法、由此制备的电极以及包含该电极的锂二次电池_株式会社LG新能源_202480013728.X
    本发明涉及一种制备电极的方法， 其中， 所述制备方法包括：步骤P1：将包含两个表面形成有锂缓冲层的锂金属层的转移叠层设置在预电极活性材料层上以形成电极结构体， 使得锂缓冲层和预电极活性材料层彼此接触；步骤P2：辊压电极结构体；以及步骤P3：...
    2025-10-20
  • 阳极极片、电化学装置及电子装置
    阳极极片、电化学装置及电子装置_东莞新能源科技有限公司_202480016674.2
    提供一种阳极极片、电化学装置及电子装置， 涉及电池领域。阳极极片朝向第一方向X弯曲设置， 阳极极片包括沿第一方向X依次设置的外弧阳极材料层、阳极集流体和内弧阳极材料层， 外弧阳极材料层包括第一阳极材料层和第二阳极材料层， 第二阳极材料层设于...
    2025-10-20
  • 芯片的调平控制方法及相关设备
    芯片的调平控制方法及相关设备_深圳华大智造科技股份有限公司_202280102224.6
    本申请公开了一种芯片的调平控制方法及相关设备， 调平控制方法包括：准备步骤：启动对焦装置， 调节对焦装置与芯片之间的距离使对焦装置接收待检测样本的光学信号；检测步骤：驱动对焦装置与运动平台之间相对运动， 使对焦装置分别对芯片的至少三个检测点...
    2025-10-20
  • 具有清除装置的晶片载体
    具有清除装置的晶片载体_埃万特公司_202480015468.X
    一种晶片载体包括：具有内部空间的晶片载体壳体；以及与内部空间流体连通的具有清除化合物的清除装置。晶片载体可以用作半导体晶片的微环境， 在移动通过制造工艺步骤时半导体晶片封装在其中。
    2025-10-20
  • 用于器件集成的具有双侧柱的双侧再分布层(RDL)衬底
    用于器件集成的具有双侧柱的双侧再分布层(RDL)衬底_高通股份有限公司_202480014572.7
    描述了一种器件， 包括再分布层(RDL)衬底。器件还包括RDL衬底中的靠近RDL衬底的第一表面的无源组件。器件还包括第一管芯， 其通过至少第一对导电柱耦合到RDL衬底的与RDL衬底的所述第一表面相对的第二表面。器件还包括层压衬底， 其通过至...
    2025-10-20
  • 用于选择性蚀刻钛的化学蚀刻溶液及方法
    用于选择性蚀刻钛的化学蚀刻溶液及方法_法国技术公司_202480015684.4
    本发明涉及一种用于化学蚀刻钛基材料的化学蚀刻溶液， 所述溶液包含：‑26重量％至39重量％的过氧化氢；‑1重量％至6重量％的磷酸三钾(K3PO4)；‑0.015重量％至0.2重量％的选自二亚乙基三胺五(亚甲基膦酸)(DTPMP)、氨基三(亚...
    2025-10-20
  • 单晶基板的断开方法
    单晶基板的断开方法_三星钻石工业股份有限公司_202480014743.6
    本发明的目的在于提供减少崩损的产生的单晶基板的断开方法。本发明的适当的实施方式涉及具有相对于刻划面(3)以及断裂面(2)以偏离角(θ)倾斜的解理面(7)的单晶基板(1)的断开方法， 该断开方法包括：在刻划面(3)形成刻划线(L2)的步骤；在...
    2025-10-20
  • 半导体基板的制造方法、半导体基板及半导体装置
    半导体基板的制造方法、半导体基板及半导体装置_信越半导体株式会社_202480018066.5
    本发明提供一种半导体基板的制造方法， 其包括以下工序：激光照射工序， 对4H‑SiC基板的表面照射激光从而在4H‑SiC基板内形成由硅和碳非晶化而成的非晶层；接合工序， 将实施激光照射工序后的4H‑SiC基板与另一支撑基板隔着薄膜进行接合，...
    2025-10-20
  • 接合体的制造方法及接合体
    接合体的制造方法及接合体_日本碍子株式会社_202480011016.4
    一种接合体的制造方法， 其包括如下工序：外周加工工序， 对压电材料基板或支撑基板中的任一者， 沿着主表面， 自缘部向内侧方向磨削， 形成外周加工部；接合工序， 将压电材料基板和支撑基板中的形成有外周加工部的一者以将形成有外周加工部的主表面侧...
    2025-10-20
  • 电子束发射构造以及电场放射装置
    电子束发射构造以及电场放射装置_株式会社明电舍_202480015946.7
    电子束发射构造(1)包括电子源(2)及保护电极(3)。电子源(2)向电场放射装置的靶(4)发射电子束(B)。保护电极(3)配置于电子源(2)的周围。在电子源(2)中， 与靶(4)对置的端面构成电子发射面(20)。在电子发射面(20)， 其中...
    2025-10-20
  • 真空断路器
    真空断路器_HD现代电力株式会社_202380094705.1
    根据本公开的一个实施例， 真空断路器可以包括：压力容器， 填充有预定压力的绝缘气体；真空灭弧室， 设置在压力容器的内部并且在处于真空状态的真空管中具有固定电极和可动电极；波纹管， 被设置用于密封真空管与可动电极之间的间隙；可动杆， 可动杆的...
    2025-10-20
  • 电解电容器及其制造方法
    电解电容器及其制造方法_松下知识产权经营株式会社_202480014423.0
    电解电容器具备电容器元件。电容器元件具备电极组和导电性高分子成分， 所述电极组具备阳极体及阴极体， 所述导电性高分子成分夹设于电极组的阳极体与阴极体之间。阳极体具备包含第1阀作用金属的第1基材和覆盖第1基材的表面的第1化成皮膜。为了形成第1...
    2025-10-20
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