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最新专利技术
  • 基于液冷的储能柜降温方法、装置、设备和存储介质
    基于液冷的储能柜降温方法、装置、设备和存储介质_极储智造(兴隆)科技有限公司_202510538493.2
    本申请提供了一种基于液冷的储能柜降温方法、装置、设备和存储介质，方法包括：通过任一电芯对应的传感器，检测储能柜中的任一电芯的温度，得到任一电芯的检测温度，获取外部参数和任一电芯的内部参数，对任一电芯的检测温度进行校正，得到任一电芯的校正温度...
    2026-02-13
  • 一种散热风道结构及其适配的储能集装箱
    一种散热风道结构及其适配的储能集装箱_江苏华辰变压器股份有限公司_202510534648.5
    本发明属于储能设备技术领域，具体涉及一种散热风道结构及其适配的储能集装箱，该热风道结构包括：风管主体，所述风管主体能够输送制冷介质；进风口，所述进风口设置于风管主体的一端，通过所述进风口能够向风管主体内部输入制冷介质；多个出风口，多个所述出...
    2026-02-13
  • 一种膜电极组件、其制备方法和质子交换膜燃料电池
    一种膜电极组件、其制备方法和质子交换膜燃料电池_上海捷氢科技股份有限公司_202510540377.4
    本发明提供了一种膜电极组件，包括阳极催化剂层、质子交换膜、阴极催化剂层；所述阴极催化剂层由A区和B区组成，所述B区的制备原料包括离子液体和保水剂，所述B区近空气入口端；和/或，所述阳极催化剂层由C区和D区组成，所述D区的制备原料包括离子液体...
    2026-02-13
  • 一种氢燃料电池发电系统过载保护装置
    一种氢燃料电池发电系统过载保护装置_北京氢新蔚来科技有限公司_202510536111.2
    本发明涉及燃料电池技术领域，公开了一种氢燃料电池发电系统过载保护装置，包括外壳，所述外壳的后侧固定连接有箱体，所述箱体的内侧设置有防护机构，所述防护机构包括电极板，两个所述电极板分别固定连接在外壳的内部左右端，所述外壳的内部左右侧均固定连接...
    2026-02-13
  • 一种导热性能提升的功能集流体及其制备方法、极片和电池
    一种导热性能提升的功能集流体及其制备方法、极片和电池_江阴纳力新材料科技有限公司_202510535817.7
    本发明公开了一种导热性能提升的功能集流体及其制备方法、极片和电池，功能集流体包括高分子基膜层和高分子基膜层两侧的金属层；所述的高分子基膜层包括非多孔高分子膜层和非多孔高分子膜层两侧的多孔高分子膜层，所述的非多孔高分子膜层和多孔高分子膜层都含...
    2026-02-13
  • 正极颗粒及其制备方法、正极极片、钠电池及储能装置
    正极颗粒及其制备方法、正极极片、钠电池及储能装置_厦门海辰储能科技股份有限公司_202510541074.4
    本申请提供一种正极颗粒及其制备方法、正极极片、钠电池及储能装置。本申请实施例提的正极颗粒包括磷酸焦磷酸铁钠颗粒及碳包覆层，所述碳包覆层包裹于所述磷酸焦磷酸铁钠颗粒的表面，所述正极颗粒包括灰色颗粒及金色颗粒，所述正极颗粒中，所述灰色颗粒的数量...
    2026-02-13
  • 一种锡碳包覆铝掺杂的正极前驱体及其制备方法与应用
    一种锡碳包覆铝掺杂的正极前驱体及其制备方法与应用_荆门市格林美新材料有限公司_202510540299.8
    本发明提供了一种锡碳包覆铝掺杂的正极前驱体及其制备方法与应用，所述正极前驱体包括铝掺杂氧化钴核，及所述铝掺杂氧化钴核外部包覆的锡碳包覆壳。本发明提供的锡碳包覆铝掺杂的正极前驱体，由于锡碳包覆壳的包覆，不仅使以锡碳包覆铝掺杂的正极前驱体制备得...
    2026-02-13
  • 一种负极材料及其制备方法和应用、负极浆料
    一种负极材料及其制备方法和应用、负极浆料_广州科技职业技术大学_202510539423.9
    本发明公开了一种负极材料及其制备方法和在锂离子电池中的应用，涉及锂离子电池制备技术领域，旨在解决现有锂离子电池负极材料体积膨胀严重、低温性能差的问题，该负极材料是通过溶胶‑凝胶法合成的高纯度立方钙钛矿材料，其组成分子式为(Ba1‑...
    2026-02-13
  • 负极片、碱金属电池及储能装置
    负极片、碱金属电池及储能装置_厦门海辰储能科技股份有限公司_202510541087.1
    本发明涉及电池技术领域，尤其涉及一种负极片、碱金属电池及储能装置。该负极片用于碱金属电池，该负极片包括：基材，自所述基材的表面朝自身内凹设有若干容纳孔；在所述容纳孔内设有亲碱金属层，所述亲碱金属层直接设于所述容纳孔的孔底面和/或所述容纳孔的...
    2026-02-13
  • 一种电极片、电池、电池的制备方法以及用电装置
    一种电极片、电池、电池的制备方法以及用电装置_广州汽车集团股份有限公司_202510545033.2
    本申请提供了一种电极片、电池、电池的制备方法以及用电装置，电池包括电极片，电极片包括：正极片，正极片包括正极涂覆层和正极集流体，其中，正极涂覆层设置于正极集流体的至少一侧，且，正极涂覆层包括靠近正极集流体的第一涂覆层与远离正极集流体的第二涂...
    2026-02-13
  • 一种三相全桥电路的封装结构
    一种三相全桥电路的封装结构_张家港凯思半导体有限公司_202510533795.0
    本发明公开了一种三相全桥电路的封装结构，包括：塑封体以及设置在塑封体中的六个功率器件，这六个功率器件中，三个搭建成上半桥，另外三个搭建成下半桥，所述的塑封体中平铺有一块上半桥金属底座和三块下半桥金属底座，所述的塑封体在其两端设置有引脚，所述...
    2026-02-13
  • 一种适用于半导体加工的器件承载载体及其使用方法
    一种适用于半导体加工的器件承载载体及其使用方法_南京华瑞微集成电路有限公司_202510536169.7
    本申请公开了一种适用于半导体加工的器件承载载体及其使用方法，涉及半导体处理设备技术领域，本申请通过对现有技术的晶圆吸附装置的结构进行优化改进，在现有技术中的晶圆吸附装置上增设主体为硅胶软管的接触垫组件，利用接触垫组件包覆本与晶圆直接接触的吸...
    2026-02-13
  • 一种高平面度的半导体芯片贴装方法
    一种高平面度的半导体芯片贴装方法_深圳市微组半导体科技有限公司_202510534746.9
    一种高平面度的半导体芯片贴装方法，它包括以下步骤：包括：S1：检测待贴装基板上表面的第一平面度信息；S2：检测待贴装芯片下表面的第二平面度信息；S3：将第一平面度信息和第二平面度信息进行对比分析，得出第一平面度信息与第二平面度信息之间的平面...
    2026-02-13
  • 一种用于改善TSV蚀刻均一性的蚀刻终点检测系统
    一种用于改善TSV蚀刻均一性的蚀刻终点检测系统_华天科技(昆山)电子有限公司_202510538293.7
    本发明提供了一种用于改善TSV蚀刻均一性的蚀刻终点检测系统，其通过实时监测蚀刻过程中的电学参数变化，准确判断蚀刻终点，从而提高TSV蚀刻的均一性和质量。其包括：电极布设装置，其包括一中心电极、外围环形阵列电极组、电学参数监测模块；数据处理与...
    2026-02-13
  • 系统级封装结构及其制备方法
    系统级封装结构及其制备方法_北京海创微芯科技有限公司_202510535077.7
    本发明公开了一种系统级封装结构及其制备方法，制备方法包括：形成中介层的M层布线互联层；在中介层的一面形成第一布线互联层，第一布线互联层包括第一绝缘层、第一层导电金属柱、顶层焊盘、第一线路层、所述第一外导体层以及热沉结构的第一层热沉；在第一布...
    2026-02-13
  • FC-PBGA电路翘曲应力的平衡方法及系统
    FC-PBGA电路翘曲应力的平衡方法及系统_无锡中微高科电子有限公司_202510538579.5
    本发明关于一种FC‑PBGA电路翘曲应力的平衡方法及系统，涉及集成电路封装领域。本技术方案将芯片倒装于塑料基板上，对芯片底填固定；响应于芯片底填固定之后，将散热片贴装至芯片表面；其中，散热片外形呈正方形、内腔呈圆形；通过增大散热片的Foot...
    2026-02-13
  • 一种复合氮化铝覆铝陶瓷基板封装模块及其制备方法
    一种复合氮化铝覆铝陶瓷基板封装模块及其制备方法_江苏富乐华功率半导体研究院有限公司_202510535853.3
    本发明公开了一种复合氮化铝覆铝陶瓷基板封装模块及其制备方法，一种复合氮化铝覆铝陶瓷基板，由图形面铝‑氮化铝陶瓷‑中间层铝‑氮化铝陶瓷‑非图形面铝组成，图形面铝与中间层铝的厚度比例为1/15～1/4，图形面铝与非图形面铝的厚度比例为1/10～...
    2026-02-13
  • 一种用于回旋波保护器的新型电子枪
    一种用于回旋波保护器的新型电子枪_电子科技大学_202510538065.X
    本发明公开了一种用于回旋波保护器的新型电子枪，涉及真空电子器件技术领域。该电子枪包括阴极组件、阳极组件、支撑组件、永磁系统；其中，阴极组件，采用平面形冷阴极结构；阳极组件，包括阳极主体及其内部的电子束通道；阴阳极间通过支撑组件连接固定；永磁...
    2026-02-13
  • 将可移动接触片作为第三电极实现直流开断的真空灭弧室
    将可移动接触片作为第三电极实现直流开断的真空灭弧室_西安交通大学_202510539899.2
    本发明公开了一种将可移动接触片作为第三电极实现直流开断的真空灭弧室，包括真空灭弧室主体、可移动接触片和第三电极引出端子。合闸时，可移动接触片紧密地夹持于动、静触头之间，处于悬空状态而不与第三电极引出端子接触，实现正常通流；分闸时接触片在重力...
    2026-02-13
  • 一种智能化柱上断路器
    一种智能化柱上断路器_北京德威佰特科技有限公司_202510537647.6
    本申请公开了一种智能化柱上断路器，属于断路器的技术领域，其包括机构箱及灭弧室，所述灭弧室内安装有静触头和动触头，所述机构箱内沿自身长度方向滑移安装有驱动杆，所述动触头的底端铰接有倾斜设置的连接杆，所述连接杆的底端与所述驱动杆相铰接，所述机构...
    2026-02-13
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