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最新专利技术
  • 一种用于高速电机加强刚性降低振动的装置
    一种用于高速电机加强刚性降低振动的装置_上海电气集团上海电机厂有限公司_202510609237.8
    本发明提供一种用于高速电机加强刚性降低振动的装置，包括角钢，所述角钢左右两端水平方向与机座底板上左右两侧的长条底板焊接，底部与机座底板焊接，正面与机座端板焊接，还包括角钢加强筋，所述角钢加强筋一端焊接在所述角钢上，另一端与机座端板的轴承安装...
    2026-01-30
  • 一种自润滑行星减速齿轮箱电机
    一种自润滑行星减速齿轮箱电机_安徽美孚智控科技有限公司_202510607241.0
    本发明提供一种自润滑行星减速齿轮箱电机，包括外壳，外壳的一端设有电机轴套筒，且外壳的另一端设有输出轴；电机轴套筒与输出轴之间设有相互啮合的行星齿轮组一、行星齿轮组二和行星齿轮组三；外壳的内部形成润滑油腔，且润滑油腔的底端设有下油口；下油口的...
    2026-01-30
  • 无线充电系统及其运作方法
    无线充电系统及其运作方法_康跃科技股份有限公司_202510612441.5
    一种无线充电系统及其运作方法，无线充电系统包含电源发射器装置及电源接收器装置。电源接收器装置用以接收电源发射器装置传递的无线电力。电源接收器装置包含接收器线圈、接收器补偿网络、全桥整流器及控制电路。全桥整流器经由接收器补偿网络电性连接接收器...
    2026-01-30
  • 一种异构新能源多机系统暂态同步稳定评估方法
    一种异构新能源多机系统暂态同步稳定评估方法_重庆大学_202510612357.3
    本发明公开了一种异构新能源多机系统暂态同步稳定评估方法，可适用于高比例异构电力电子设备接入的电力系统。对于含跟网型设备、构网型设备的电力系统发生三相对称故障的场景，基于互补簇惯性中心变换和单机等值方法，对系统的运行方式、网架参数及控制指令等...
    2026-01-30
  • 一种启动方案优化方法和系统
    一种启动方案优化方法和系统_广东电网有限责任公司中山供电局_202510612632.1
    本发明涉及电网启动方案优化技术领域，公开了一种启动方案优化方法和系统，本发明通过将初始历史启动数据进行数据预处理，确保数据的准确性和完整性。基于目标历史启动数据和目标任务数据对初始元学习模型的全局参数进行模型训练，得到目标元学习模型，并通过...
    2026-01-30
  • 用于并网逆变器的控制方法、装置、存储介质和终端
    用于并网逆变器的控制方法、装置、存储介质和终端_沃太能源股份有限公司_202510610243.5
    本发明公开了一种用于并网逆变器的控制方法、装置、存储介质和终端，该控制方法包括：获取电网频率和预设的QPR控制器，基于所述电网频率，校准所述QPR控制器的传递函数，使得所述QPR控制器的谐振频率跟踪目标正弦信号；获取所述并网逆变器的三相电流...
    2026-01-30
  • 一种电网不对称故障下双馈风电多机并联系统暂态稳定控制方法
    一种电网不对称故障下双馈风电多机并联系统暂态稳定控制方法_重庆大学_202510612368.1
    本发明公开了一种电网不对称故障下双馈风电多机并联系统暂态稳定控制方法，先计算电网不对称故障期间双馈风电多机并联系统各机组输出正负序无功电流：再计算获得单相接地短路故障下系统的等效阻抗矩阵：最后计算电网不对称故障期间双馈风电多机并联系统各机组...
    2026-01-30
  • 一种电网不对称故障下新能源并网逆变器自适应暂态同步稳定控制方法
    一种电网不对称故障下新能源并网逆变器自适应暂态同步稳定控制方法_重庆大学_202510612366.2
    本发明公开了一种电网不对称故障下新能源并网逆变器自适应暂态同步稳定控制方法，在电网不对称故障期间，系统自适应调节正序或者负序锁相环的比例系数和积分系数，以改变故障持续期间采用附加控制器时的正负序锁相环输出角频率，使得故障持续期间正负序锁相环...
    2026-01-30
  • 一种基于SVG阀侧滤波的直流输电系统及控制方法
    一种基于SVG阀侧滤波的直流输电系统及控制方法_中国电力工程顾问集团西北电力设计院有限公司_202510611150.4
    本发明公开了一种基于SVG阀侧滤波的直流输电系统及控制方法，SLCC通过LCC换流阀传输有功功率，通过SVG阀提供无功功率并滤波；LCC换流阀的整流侧通过控制换流器触发角，将整流侧直流电流维持为直流电流的参考值，LCC换流阀的受端通过逆变侧...
    2026-01-30
  • 一种带有单极插件的柜体结构
    一种带有单极插件的柜体结构_浙江湘鸿电气有限公司_202510612978.1
    本申请涉及一种带有单极插件的柜体结构，涉及开关柜的技术领域，其包括箱体，所述箱体的一侧竖直面上开设有安装口、安装有用于封堵安装口的箱门；所述箱体内设有若干插接件，所述插接件包括壳体以及固定在壳体上的单接线片，所述箱体的内壁上分布有供壳体远离...
    2026-01-30
  • 半导体激光器及其控制方法
    半导体激光器及其控制方法_中国科学院长春光学精密机械与物理研究所_202510614027.8
    本发明涉及激光器技术领域，尤其涉及一种半导体激光器及其控制方法，包括：外延结构，外延结构的顶面具有波导结构，且波导结构包括主波导和N个耦合波导，主波导和耦合波导间隔设置；其中，主波导支持N种横向模式，N个耦合波导与N种横向模式一一对应，每个...
    2026-01-30
  • 深海装备水压试验测量导线接头的快速密封方法
    深海装备水压试验测量导线接头的快速密封方法_中国船舶科学研究中心_202510610634.7
    本发明涉及一种深海装备水压试验测量导线接头的快速密封方法，位于第一导线和第二导线端部且露出于绝缘外皮外部的外部金属芯连接后形成测量导线接头，密封方法包括以下步骤：步骤一、选择密封区域，密封区域包括外部金属芯连接后形成的金属段，还包括与外部金...
    2026-01-30
  • 充电装置的接电端子及其自动旋紧方法
    充电装置的接电端子及其自动旋紧方法_合肥有感科技有限责任公司_202510611077.0
    本发明公开了充电装置的接电端子及其自动旋紧方法，母端子有容纳腔，导体棒于容纳腔内，前端伸出，前端具有螺纹；安装管具有连接腔，连接腔与前端螺纹连接；在连接腔内设置连接板；连接腔内还形成有限位部，在限位部和连接板之间设置弹片，连接板与导体棒导通...
    2026-01-30
  • 天线组件及电子设备
    天线组件及电子设备_OPPO广东移动通信有限公司_202510615506.1
    本申请公开了一种天线组件及电子设备。天线组件包括第一、第二天线，第一天线支持第一目标频段，第二天线支持第二目标频段；第一天线包括第一辐射体、第一耦合辐射体、第一馈源及第一匹配电路；第一辐射体具有第一自由端及第一接地端及位于第一自由端及第一接...
    2026-01-30
  • 一种基于接地柱的H面自去互耦差分天线
    一种基于接地柱的H面自去互耦差分天线_南通大学_202510608544.4
    本发明公开了一种基于接地柱的H面自去互耦差分天线，包括依次层叠设置的顶层金属层、介质基板、底层金属地。顶层金属层包括沿横向并排间隔设置的两个矩形金属贴片；每个矩形金属贴片分别通过两个接地柱与底层金属地相连，且两个接地柱分布在与另一个矩形金属...
    2026-01-30
  • 一种硫化物固态电解质及其制备方法和应用
    一种硫化物固态电解质及其制备方法和应用_苏州天华新能源科技股份有限公司_202510615010.4
    本发明提供了一种硫化物固态电解质及其制备方法和应用。所述制备方法包括：提供原料，所述原料含有合成硫化物固态电解质的预设摩尔比例的所需元素；使所述原料与液态金属进行纳米级混合，获得混合物料；对所述混合物料进行烧结处理，以使其反应生成硫化物固态...
    2026-01-30
  • 一种MXene/Sn复合材料的制备方法及其应用
    一种MXene/Sn复合材料的制备方法及其应用_烟台力华电源科技有限公司_202510609410.4
    本发明涉及由活性材料组成或包括活性材料的电极技术领域，具体涉及一种MXene/Sn复合材料的制备方法及其应用。本发明提供一种MXene/Sn复合材料的制备方法，包括以下步骤：S101，多孔锡制备，在惰性气体或真空环境下，将熔融的锡合金气雾化...
    2026-01-30
  • 一种半导体晶圆处理设备及其处理方法
    一种半导体晶圆处理设备及其处理方法_滁州华瑞微电子科技有限公司_202510612406.3
    本申请公开了一种半导体晶圆处理设备及其处理方法，涉及半导体处理设备技术领域，本申请通过提供一种夹爪式的晶圆处理设备，其夹爪为定位在竖置的杆体上的竖向设置的输送带结构，输送带为软质材料制成且外圈设有一圈软齿；夹爪的数量大于等于三个，相向滑动实...
    2026-01-30
  • 一种晶圆高能氢离子注入工艺非接触监测方法
    一种晶圆高能氢离子注入工艺非接触监测方法_国电投核力创芯(无锡)科技有限公司_202510610658.2
    本发明申请涉及一种高能氢离子注入工艺非接触监测方法，属于半导体制造技术领域，高能氢离子注入工艺非接触监测方法包括：获取用于监测晶圆高能氢离子注入工艺的监测晶圆，待进行晶圆高能氢离子注入工艺的晶圆为工艺正片，监测晶圆为晶圆高能氢离子注入工艺的...
    2026-01-30
  • 一种替代玻璃基材的新型设计方法以降低超算芯片功耗的方法
    一种替代玻璃基材的新型设计方法以降低超算芯片功耗的方法_齐力半导体(绍兴)有限公司_202510614260.6
    本发明属于降低超算芯片功耗技术领域，具体为一种替代玻璃基材的新型设计方法以降低超算芯片功耗的方法，该替代玻璃基材的新型设计方法以降低超算芯片功耗的方法的具体步骤如下：步骤1：设定超薄有机物芯材的基础材料，在基础材料经过镭射、切割、外观检得到...
    2026-01-30
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