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最新专利技术
  • 一种电池储能系统浸没式液冷装置及方法
    一种电池储能系统浸没式液冷装置及方法_中国电力科学研究院有限公司_202510700346.0
    本发明公开了一种电池储能系统浸没式液冷装置及方法，属于电池模组设计技术领域，该装置包括：电池模块箱、电池冷板及液冷喷管；所述电池冷板连接于所述电池模块箱底部，所述电池模块箱内阵列设置电池本体；所述电池冷板上开设有使得电池本体底部被均匀冷却的...
    2026-01-20
  • 一种新能源汽车锂离子电池热失控抑制系统及其方法
    一种新能源汽车锂离子电池热失控抑制系统及其方法_中国矿业大学_202510699062.4
    本发明属于新能源汽车电池技术领域，尤其涉及一种新能源汽车锂离子电池热失控抑制系统及其方法，其系统包括电池组件，电池组件电性连接有电池管理模块、电池监测模块、过热告警模块和过热起火处理模块；电池监测模块用于实时监测电池内部电压变化数据、温度变...
    2026-01-20
  • 一种单体电池及电池包
    一种单体电池及电池包_欣旺达动力科技股份有限公司_202510698729.9
    本申请提供了一种单体电池及电池包，涉及电池技术领域。单体电池包括：厚度为H1mm的负极集流盘，以及由正极片、负极片和隔膜共同卷绕形成的卷芯。负极片包括负极片本体和负极耳，负极耳的一侧与负极片本体电连接，负极耳远离负极片...
    2026-01-20
  • 热压装置及热压方法
    热压装置及热压方法_因湃电池科技有限公司_202510698084.9
    本申请提供一种热压装置及热压方法，涉及热压技术领域。所述热压装置包括：防粘层和热压层；所述防粘层与所述热压层平行设置；其中，所述防粘层和所述热压层之间间隔有第一空隙；在所述热压层带动所述防粘层靠近待热压件的情况下，所述防粘层配置为与所述待热...
    2026-01-20
  • 发电系统、测试方法、装置、电子设备和介质
    发电系统、测试方法、装置、电子设备和介质_重庆长安汽车股份有限公司_202510702137.X
    本发明涉及一种发电系统、测试方法、装置、电子设备和介质；该方法包括：在发电子系统处于目标发电工况的情况下，确定集水模块收集到的第一液态水量，以及储水单元收集到的第二液态水量，并根据第一液态水量和第二液态水量，确定氢水分离模块的分离效率；获取...
    2026-01-20
  • 一种直接注入水的高温燃料电池金属极板及其加工方法
    一种直接注入水的高温燃料电池金属极板及其加工方法_同济大学_202510699820.2
    本发明涉及一种直接注入水的高温燃料电池金属极板及其加工方法，包括微通道极板、阴极板和阳极板，微通道极板的上下两面均设有水分配区域、注水微通道和微通道极板脊，微通道极板脊上设有注水口，相邻两个微通道极板脊之间形成极板流道，冷却工质水通过水分配...
    2026-01-20
  • 一种阴极催化层及其制备方法和燃料电池
    一种阴极催化层及其制备方法和燃料电池_一汽解放汽车有限公司_202510701004.0
    本发明涉及一种阴极催化层及其制备方法和燃料电池，所述阴极催化层包括钴基MOFs材料、催化剂和离聚物；所述钴基MOFs材料包括Co‑MOF‑74、ZIF‑67或Co3(BTC)2中的任意一种或至少两...
    2026-01-20
  • 一种生物质碳钠离子电池负极材料及其制备方法
    一种生物质碳钠离子电池负极材料及其制备方法_浙江树人学院_202510699181.X
    本发明涉及钠离子电池负极材料技术领域，特别是涉及一种生物质碳钠离子电池负极材料及其制备方法。该制备方法包括以下步骤：步骤1，将加拿大一枝黄花洗净切段后冷冻、冻干，得到生物质碳；步骤2，将所述生物质碳与纳米石墨混合后进行预碳化后高温碳化，之后...
    2026-01-20
  • 一种可用于固态电池的复合正极材料及其制备方法和应用
    一种可用于固态电池的复合正极材料及其制备方法和应用_天津巴莫科技有限责任公司_202510705860.3
    本发明涉及电池技术领域，具体而言，涉及一种可用于固态电池的复合正极材料及其制备方法和应用。一种复合正极材料，包括正极基体材料以及设置于所述正极基体材料表面的包覆层，所述包覆层包含卤化物电解质和修饰基团‑N(CH3)
    2026-01-20
  • 一种Ag-S共掺杂生物质硬碳负极材料及其制备方法
    一种Ag-S共掺杂生物质硬碳负极材料及其制备方法_晖阳(贵州)新能源材料有限公司_202510702398.1
    本发明公开了一种Ag‑S共掺杂生物质硬碳负极材料及其制备方法。本发明将硬碳前驱体粉末与银源、硫源均匀混合，使硬碳前驱体表面形成Ag‑S共掺杂化合物，再经过气相沉积形成一层无定形碳，冷却至室温，筛分得到Ag‑S共掺杂生物质硬碳负极材料。本发明...
    2026-01-20
  • 一种多元包覆的三元正极材料及其制备方法
    一种多元包覆的三元正极材料及其制备方法_天津大学_202510697322.4
    本发明涉及锂离子电池正极材料技术领域，具体涉及一种多元包覆的三元正极材料及其制备方法。本发明提供一种一种多元包覆的三元正极材料，该三元正极材料包括镍钴锰酸锂三元正极材料及附着在其表面的铌钨硼酸锂包覆材料，其中，所述铌钨硼酸锂包覆材料的化学组...
    2026-01-20
  • 硅碳负极浆料的制备方法及硅碳负极浆料及锂离子电池
    硅碳负极浆料的制备方法及硅碳负极浆料及锂离子电池_江西远东锂电有限公司_202510700164.3
    本发明涉及锂离子电池技术领域，公开了硅碳负极浆料的制备方法及硅碳负极浆料及锂离子电池；所述硅碳负极浆料组分包括硅基材料、石墨材料、炭黑导电剂、单壁碳纳米管导电浆料、羧甲基纤维素钠粘结剂、聚丙烯酸类粘结剂、丁苯橡胶粘结剂、N‑甲基吡咯烷酮与去...
    2026-01-20
  • 带标志图案的封装器件、显示设备及显示设备封装方法
    带标志图案的封装器件、显示设备及显示设备封装方法_合肥鑫晟光电科技有限公司_202510703579.6
    本申请实施例提供了带标志图案的封装器件、显示设备及显示设备封装方法，该封装器件包括：保护外板、黑色矩阵模块；所述黑色矩阵模块位于所述保护外板的第一侧；所述保护外板的第一侧表面的预设区域上印刷有标志图案，所述标志图案的厚度小于所述黑色矩阵模块...
    2026-01-20
  • 一种减少固态TIM的装置
    一种减少固态TIM的装置_福州菩晶半导体有限公司_202510700155.4
    本发明公开了一种减少固态TIM的装置，包括盖子和基座，其特征在于：所述盖子和基座之间设置有散热器，所述基座的顶部安装有压板，所述压板的顶部固定连接有弹簧，所述盖子和基座之间安装有内侧密封圈与外侧密封圈，所述弹簧用于向压板和散热器施加压力，使...
    2026-01-20
  • 一种晶圆级二维材料薄膜的制备装置
    一种晶圆级二维材料薄膜的制备装置_河北石油职业技术大学_202510698087.2
    本发明涉及二维材料制备，特别涉及晶圆级二维材料薄膜的制备装置，包括基底装载运输设备、薄膜剥离机构、阶段式增压贴附机构和制备台；所述制备台上设有晶圆基底储存腔，所述制备台上设有生长反应室；所述基底装载运输设备用于将晶圆基底从晶圆基底储存腔内拾...
    2026-01-20
  • 一种晶圆单面蚀刻设备及方法
    一种晶圆单面蚀刻设备及方法_安徽万维克林精密装备有限公司_202510698165.9
    本发明公开了一种晶圆单面蚀刻设备，具体涉及半导体加工技术领域，一种晶圆单面蚀刻设备，包括下壳体，下壳体的顶部设有加工台面，加工台面上设有摆片孔，摆片孔内安装有锁紧组件，加工台面顶部开设有冲压孔，下壳体的内部设有隔层，并形成外腔以及内腔，且外...
    2026-01-20
  • 非接触测试太阳能电池片量子效率EQE及短路电流ISC的方法
    非接触测试太阳能电池片量子效率EQE及短路电流ISC的方法_苏州伟信智能科技有限公司_202510700200.6
    本发明公开了非接触测试太阳能电池片量子效率EQE及短路电流I SC的方法，涉及光伏器件测试技术领域，用于解决现有量子效率与短路电流测量必须接触电极、速度慢且无法覆盖新型无栅或工艺片的问题；提出一种“多波长LED激发+局部遮蔽+载流子横向扩散...
    2026-01-20
  • 一种基于正交配体的HgTe零维半导体图形化方法
    一种基于正交配体的HgTe零维半导体图形化方法_绍芯实验室_202510695649.8
    本申请涉及一种用于HgTe零维半导体的电子束光刻图形化方法，属于半导体器件制备领域。该方法通过选择与PMMA正交的非极性配体修饰HgTe零维半导体，使其在电子束光刻工艺中保持稳定不被极性溶剂破坏，随后通过剥离工艺实现高精度图案化，并进行固态...
    2026-01-20
  • 一种沟槽型肖特基接触孔的干法刻蚀方法
    一种沟槽型肖特基接触孔的干法刻蚀方法_江苏新顺微电子股份有限公司_202510707951.0
    本发明公开了一种沟槽型肖特基接触孔的干法刻蚀方法，所述方法在传统工艺的基础上，在打开的所述接触孔区域，通过干法刻蚀将硅基片表面介质膜刻蚀至 2026-01-20
  • 晶圆再生中的纳米级研磨与清洁方法
    晶圆再生中的纳米级研磨与清洁方法_安徽富乐德长江半导体材料股份有限公司_202510700075.9
    本申请涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种晶圆再生中的纳米级研磨与清洁方法，其包括表面预处理、纳米级研磨与深度清洁步骤。通过等离子体清洗、纳米级二氧化硅悬浮液超声清洗、自适应压力控制研磨及高压旋转喷射清洁等工艺，显著降低晶圆表面粗糙度至0.1...
    2026-01-20
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