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  • 本发明公开了一种探针针座及晶圆测试设备, 涉及晶圆测试技术领域, 探针针座包括调节座、线缆固定器以及压力传感器;调节座的沿横向的一侧设置有摆臂;线缆固定器包括相互连接的安装支架和夹线结构, 安装支架与调节座连接, 夹线结构形成供第一线缆穿过...
  • 本发明公开了一种半导体老炼测试电路及方法, 属于集成电路技术领域, 该半导体老炼测试电路, 包括三温测试区域, 待测芯片内SIP封装有互连的FPGA、Flash和DDR器件, 待测芯片的内部还集成有功能老化模块, 用于功能老化测试, 配置接...
  • 本发明公开一种基于激光修调的DC‑DC电路可测性测试方法及装置, 属于芯片测试领域。本发明通过配置电路移位寄存器, 控制电路进入测试模式, 使得内部上下功率管工作于恒定导通或者关断状态, 通过施加电流激励信号, 即可实现导通阻抗的测试;在测...
  • 本发明公开了一种芯片的漏电流测试装置及方法, 漏电流测试装置包括芯片测试座, 接口模块和控制模块;芯片测试座上集成有温控单元和电流采集单元;接口模块与芯片测试座信号连接, 用于获取待测芯片的实时温度和实时电流参数, 并反馈至控制模块;控制模...
  • 本发明涉及测试夹治具技术领域, 具体涉及一种氮化镓半导体芯片集成封装测试夹治具, 包括基座, 基座的顶部安装有测试电路板, 基座和测试电路板的表面搭接有芯片放置座, 芯片放置座的顶端通过连接机构卡接有连接框, 连接框的顶部搭接有顶盖, 顶盖...
  • 本发明提供了一种边发射激光器芯片的测试装置, 包括测试机构、控温机构、温度探测反馈机构、探针加电机构和电控组件;所述控温机构连接于测试机构的下方, 所述温度探测反馈机构连接于控温机构下方, 所述探针加电机构连接于温度探测反馈机构下方, 所述...
  • 本发明涉及杜瓦测试技术领域, 具体提供了一种制冷型红外探测器杜瓦的管脚测试装置及测试方法, 包括:控制器;PCB测试板, 与控制器, 以及待测杜瓦的各个管脚相连接;PCB测试板设置有用于连接各个管脚的多个集成线路, 集成线路的触点与待测杜瓦...
  • 本申请提供一种电压切换电路、测试方法、测试驱动器以及电压切换系统, 涉及电路设计技术领域。其中, DCDC转换器的使能引脚与测试驱动器的第一驱动输出端电连接、开关节点引脚与第一电感的一端电连接, 第一电感的另一端与各电压切换单元的输出端电连...
  • 本发明提供了一种控温换气系统及老化测试设备, 涉及半导体测试技术领域, 本发明提供的控温换气系统包括第一传感器、第二传感器、风机和控制器, 第一传感器、第二传感器和风机均与控制器连接;第一传感器配置为检测设备内的臭气浓度, 第二传感器配置为...
  • 本发明公开了一种霍尔采集电路的测试装置及系统。该装置包括:霍尔输出信号模拟模块、供电正检测模块、供电负检测模块、控制模块及通信模块;霍尔输出信号模拟模块用于根据控制模块输出的脉冲指令输出脉冲霍尔信号至待测霍尔采集电路以使待测霍尔采集电路通过...
  • 本发明涉及集成电路测试技术领域, 尤其涉及一种集成电路测试方法及系统。所述方法包括以下步骤:对待测集成电路进行上电操作, 并进行探针接触标准比较, 生成探针接触质量评定码;根据探针接触质量评定码进行探针通道分配处理, 并进行磁场激励频段分析...
  • 本发明公开了一种MIPI PHY电路测试系统及其测试方法, 测试信号产生模块在上位机的控制下向MIPI PHY电路电路输出差分信号, 即输出LP_P信号、LP_N信号, 或HSSL_P信号和HSSL_N信号;MIPI PHY电路接收差分信号...
  • 本申请实施例提供了一种芯片检测装置和方法, 装置包括, 芯片测试座;测试模块对芯片进行硬件测试得到结果, 确定硬件测试是否通过;串行调试模块, 在硬件测试通过后对芯片进行串行调试协议连接测试, 再次通过后, 提取芯片的原始固件程序并保存, ...
  • 本发明属于电路检测技术领域, 具体的说是一种电路检测装置及方法, 包括承载部、控制部、冲洗机构、刮擦机构和干燥机构;承载部包括工作台、承载台和防护罩, 防护罩固定安装在工作台的上端面, 承载台滑动安装在工作台的上端面, 并位于防护罩的内部;...
  • 本发明公开了一种芯片的自动化测试方法、装置及存储介质, 所述方法包括:响应于测试指令, 向芯片分选机发送芯片选取指令;以使芯片分选机基于芯片选取指令, 将选取的当前芯片的信号引入芯片测试设备中;接收芯片测试设备在检测到当前芯片的信号的情况下...
  • 本申请提出一种功率MOSFET安全工作区的单点检测装置及方法, 涉及半导体器件测试技术领域。单点检测装置包括脉冲触发电路、采样反馈电路、驱动放大电路、电容储能电路以及数据采集器;脉冲触发电路用于根据特定测试点对应的导通时间输出预设宽度的脉冲...
  • 本申请公开了一种性能优化的被动DHTRB测试电路、方法和产品, 其测试电路包括电源、第一陪测管S1、第二陪测管S2、被测器件DUT、正极过冲电路和负极过冲电路;电源正极接入正极过冲电路输入端, 正极过冲电路输出端连接第一陪测管S1漏极, 第...
  • 本申请提供一种氮化镓功率器件的故障检测方法及系统, 涉及故障检测技术领域, 根据氮化镓功率器件的额定电参数、芯片结构参数和封装特性确定氮化镓功率器件在预设工况下的安全运行参数;提取氮化镓功率器件在预设工况下的状态响应特征;基于安全运行参数和...
  • 一种TMBS晶圆芯粒反向击穿特性测试方法, 属于半导体器件测试方法技术领域。解决了现有测试方法的测试结果不准确, 测试系统复杂度高等问题。本发明的方法, 先将待测TMBS晶圆芯粒的背面固定在载物台的凸台上;取球形可回弹镀金表笔和全镀金鳄鱼夹...
  • 本发明涉及压接型IGBT芯片技术领域, 具体是涉及一种多脉冲压接式大功率IGBT测试装置及其测试方法, 测试装置包括工作台、夹具、感应装置、控制装置和下压装置, 工作台上设有导轨、检测台和定位组件;两个导轨之间具有供工件移动的送料通道, 导...
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