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最新专利技术
  • 背接触电池和光伏组件
    背接触电池和光伏组件_天合光能股份有限公司_202511286072.1
    本申请涉及太阳能电池技术领域， 尤其涉及一种背接触电池和光伏组件。本申请实施例的背接触电池， 包括半导体基底， 半导体基底具有相对设置的正面和背面， 正面和背面之间围绕有侧面；背面交替分布有发射极和基极接触区， 发射极和基极接触区之间设有隔...
    2025-11-03
  • 叠层电池及其制备方法和光伏组件
    叠层电池及其制备方法和光伏组件_协鑫集成科技股份有限公司_202511057985.6
    本申请公开了叠层电池及其制备方法和光伏组件。叠层电池包括底电池、顶电池和连接层， 连接层位于底电池和顶电池之间；底电池包括：晶硅衬底；第一隧穿氧化层， 位于晶硅衬底和顶电池之间；第一掺杂多晶硅层， 位于第一隧穿氧化层和顶电池之间；正膜， 位...
    2025-11-03
  • 太阳能电池及其制备方法
    太阳能电池及其制备方法_浙江晶科能源有限公司_202510962069.0
    本申请实施例涉及太阳能电池技术领域， 特别涉及一种太阳能电池及其制备方法， 太阳能电池包括：基底， 基底具有第一表面；掺杂层， 掺杂层位于第一表面；钝化层， 钝化层位于掺杂层远离第一表面的表面， 钝化层具有激光处理区域， 且钝化层具有待形成...
    2025-11-03
  • 太阳电池及其制备方法、光伏组件
    太阳电池及其制备方法、光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202511292261.X
    本申请涉及太阳电池领域， 公开一种太阳电池及其制备方法、光伏组件。太阳电池包括：电池基底， 电池基底的至少一侧表面设置有凹槽结构；电极结构， 电极结构设于凹槽结构处， 电极结构包括：导电金属层， 导电金属层包括相连接的第一子部和第二子部， ...
    2025-11-03
  • 一种太阳能电池用金属电极及其制备方法和太阳能电池
    一种太阳能电池用金属电极及其制备方法和太阳能电池_泰州中来光电科技有限公司_202511069504.3
    本发明涉及太阳能技术领域， 公开了一种太阳能电池用金属电极及其制备方法和太阳能电池。该金属电极包括：设于硅基体表面栅线区域的金属种子层(其为银种子层、镍种子层、锆种子层、钛种子层、铬种子层、镍硅合金种子层、铜合金种子层中的至少一种)， 设于...
    2025-11-03
  • 一种太阳能电池片及其制备方法、电池组件
    一种太阳能电池片及其制备方法、电池组件_滁州捷泰新能源科技有限公司_202510947118.3
    本发明涉及一种太阳能电池片及其制备方法、电池组件。该太阳能电池片包括：相互搭接的主栅和细栅， 所述电池片在主栅和细栅搭接处设有开孔， 所述主栅和细栅搭接处的高度与主栅和细栅其余位置的高度差均小于2μm。制备方法依次包括以下步骤：通过激光开膜...
    2025-11-03
  • 一种背接触无主栅太阳能电池及光伏组件
    一种背接触无主栅太阳能电池及光伏组件_晶澳(扬州)新能源有限公司_202511080434.1
    本发明公开一种背接触无主栅太阳能电池及光伏组件。该背接触无主栅太阳能电池包括：电池主体， 电池主体包括：交替排列的第一电极区和第二电极区及第一电极区和第二电极区之间的隔离槽；多个第一绝缘防护件；多个第二绝缘防护件；第一电极区交替排列有第一汇...
    2025-11-03
  • 一种边缘隔离的切片电池及其制备方法
    一种边缘隔离的切片电池及其制备方法_中科研和(宁波)科技有限公司_202511066242.5
    本发明提供一种边缘隔离的切片电池及其制备方法， 属于晶硅太阳能电池技术领域。制备方法包括以下步骤：提供硅基底， 在硅基底的厚度方向的一侧表面形成发射极， 发射极与硅基底之间构成PN结；对发射极进行皮秒激光表面处理， 对激光处理部位进行酸刻蚀...
    2025-11-03
  • 太阳能电池及其制备方法、光伏组件
    太阳能电池及其制备方法、光伏组件_天合光能股份有限公司_202511064275.6
    本申请涉及一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件。太阳能电池的制备方法， 包括：提供半导体衬底， 于半导体衬底一侧表面形成隧穿层， 于隧穿层背离半导体一侧表面， 图形化印刷第一磷硅浆料， 对第一磷硅浆料进行激光烧结处理， 形成第一掺磷多晶硅层...
    2025-11-03
  • 一种退火梯度升温的方法
    一种退火梯度升温的方法_弘元新材料(徐州)有限公司_202510985499.4
    本发明公开了一种退火梯度升温的方法， 具体包括以下操作步骤：将待退火的电池片放于炉管中， 升温至800℃， 同时通入3000sccm时间为840s， 氮气闭管抽低压；待温度稳定后， 将炉内各温区的温度升至840℃， 同时通入3000sccm...
    2025-11-03
  • 氧化铝钝化层的制备方法、氧化铝钝化层及TBC电池
    氧化铝钝化层的制备方法、氧化铝钝化层及TBC电池_TCL中环新能源科技股份有限公司_202510983228.5
    本发明提供了一种氧化铝钝化层的制备方法、氧化铝钝化层及TBC电池， 涉及太阳能电池技术领域。所述氧化铝钝化层的制备方法包括：向硅基体通入二氧化氯、氯化氢和次氯酸的混合气体， 进行第一次预处理；通入氢气和氩气的混合气体， 进行第二次预处理；通...
    2025-11-03
  • 一种PdSe2/Bi2O2Se范德华异质结自驱动光电探测器的制备方法
    一种PdSe2/Bi2O2Se范德华异质结自驱动光电探测器的制备方法_贵州师范大学_202510976649.5
    本发明提供一种PdSe2/Bi2O2Se范德华异质结自驱动光电探测器的制备方法， 涉及二维材料异质结构的构建及其光电器件应用。该方法包括以下步骤；通过化学气相沉积(CVD)工艺制备纳米片：采用CVD工艺分别制备PdSe2纳米片和Bi2O2S...
    2025-11-03
  • 一种TBC电池的制备方法以及TBC电池
    一种TBC电池的制备方法以及TBC电池_常州英诺激光科技有限公司_202510953862.4
    本公开提供了一种TBC电池的制备方法以及TBC电池， 通过在电池加工过程中进行两次硼掺杂处理， 针对第一次硼掺杂处理， 对正极区域、间隔区域和负极区域对应的本征非晶硅层均进行硼掺杂处理， 此时得到的硼掺杂多晶硅层的硼掺杂浓度较低， 硼掺杂多...
    2025-11-03
  • 一种制备硅太阳能电池的方法和太阳能电池
    一种制备硅太阳能电池的方法和太阳能电池_比亚迪股份有限公司_202510944721.6
    本发明涉及一种制备硅太阳能电池的方法和太阳能电池， 该方法包括：将硅基底置于刻蚀液中， 在所述硅基底的受光面侧上方设置具有窗口的第一掩膜， 对所述硅基底进行第一光诱导刻蚀， 在所述硅基底的受光面上形成第一织构化表面；在所述第一织构化表面的上...
    2025-11-03
  • 一种钙钛矿晶硅叠层太阳能电池及其底电池的制备方法
    一种钙钛矿晶硅叠层太阳能电池及其底电池的制备方法_滁州捷泰新能源科技有限公司_202510944143.6
    本发明公开了一种钙钛矿晶硅叠层太阳能电池及其底电池的制备方法， 属于太阳能电池领域， 通过在硅片第二表面放置一层环状石墨舟掩盖硅片， 形成掩盖的接触区和未掩盖的非接触区， 非接触区上沉积一层正面掩膜层， 配合清洗工艺， 使硅片的第二表面与透...
    2025-11-03
  • 一种低成本太阳能电池金属化工艺
    一种低成本太阳能电池金属化工艺_江苏润达新能源科技有限公司_202510869516.8
    本发明公开了一种低成本太阳能电池金属化工艺， 涉及太阳能电池金属化技术领域， 包括步骤一：将镀膜后硅片进行半片切割；步骤二：对正面电极和背面电极进行制作；将镀膜后的硅片通过丝网印刷正面银种子层；所述的金属种子层设置于电池片的表面， 用于收集...
    2025-11-03
  • 一种曲面碲化镉薄膜光伏组件及其制备方法
    一种曲面碲化镉薄膜光伏组件及其制备方法_龙焱能源科技(杭州)股份有限公司_202510754835.4
    本发明涉及半导体技术领域， 公开了一种曲面碲化镉薄膜光伏组件及其制备方法， 制备方法包括：在玻璃基板上依次沉积透明导电层、高阻层、刻蚀层；形成贯穿刻蚀层的P1激光槽， P1激光槽的填充材料为第一填充材料；形成覆盖P1激光槽的第二吸收层；形成...
    2025-11-03
  • 半透明Sb2S3薄膜太阳能电池及其制备方法和Sb2S3-Sb2Se3四端叠层太阳能电池
    半透明Sb2S3薄膜太阳能电池及其制备方法和Sb2S3-Sb2Se3四端叠层太阳能电池_武汉大学_202510684908.7
    本申请公开了半透明Sb2S3薄膜太阳能电池及其制备方法和Sb2S3‑Sb2Se3四端叠层太阳能电池， 该制备方法包括：通过真空热蒸发法在第一透明电极的一侧制备CdS电子传输层；在所述CdS电子传输层远离所述第一透明电极的一侧制备Sb2S3吸...
    2025-11-03
  • 太阳能电池的制备方法和太阳能电池
    太阳能电池的制备方法和太阳能电池_拉普拉斯新能源科技股份有限公司_202510435055.3
    一种太阳能电池的制备方法， 包括：对硅基底制绒， 硅基底包括第一表面和第二表面；硅基底进行硼扩散和高温氧化；去除硅基底的侧边和第二表面的硼扩散层和BSG；在硅基底的第二表面沉积隧穿氧化层及掺杂多晶硅层；去除硅基底的第一表面和侧面的PSG等；...
    2025-11-03
  • 图像传感器
    图像传感器_三星电子株式会社_202510411210.8
    一种图像传感器可以包括：第一像素， 其被构造为检测第一颜色；第二像素， 其被构造为检测不同于第一颜色的第二颜色；第一有源区域， 其位于第一像素中；以及第二有源区域， 其位于第二像素中， 其中， 第一有源区域和第二有源区域彼此直接连接。
    2025-11-03
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