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最新专利技术
  • 一种高倍率性能的锂离子电池正极及其制备方法
    一种高倍率性能的锂离子电池正极及其制备方法_贵州嘉尚新能源材料有限公司_202510864262.0
    本发明公开了一种高倍率性能的锂离子电池正极及其制备方法， 该锂离子电池正极的制备方法包括以下步骤：S1.将活性材料浆料与表面接枝两性离子基团的纳米气凝胶混合；S2.对改性浆料进行离心‑真空耦合脱泡；S3.在集流体下方设置交变磁场， 预沉积磁...
    2025-11-26
  • 用于制造电极组件的压模装置
    用于制造电极组件的压模装置_三星SDI株式会社_202510409894.8
    公开了一种用于制造电极组件的压模装置。一种用于制造电极组件的压模装置可以是用于成型电极组件的装置， 所述电极组件的未涂覆区域中形成有圆角部分， 并且压模装置可以包括：基体模具， 包括：安置表面， 所述电极组件被安置于其上， 和第一挤压部分，...
    2025-11-26
  • 封装结构及其制作方法
    封装结构及其制作方法_欣兴电子股份有限公司_202410443169.8
    本发明提供一种封装结构及其制作方法。封装结构包括电路板、玻璃中介层、第一薄膜重布层、第二薄膜重布层、专用集成电路组件、光子集成电路组件、电子集成电路组件及光纤组件。玻璃中介层包括凹槽及至少一玻璃通孔。第一薄膜重布层与第二薄膜重布层分别配置于...
    2025-11-26
  • 一种光电共封装模块封装结构
    一种光电共封装模块封装结构_南通赛勒光电科技有限公司_202410442464.1
    本发明提供一种光电共封装模块封装结构， 该封装结构包括封装基板、光电模块及载板组件， 其中， 光电模块及载板组件均设置于封装基板上方且与封装基板电连接， 光电模块包括沿第一水平方向延伸且在垂向上分立设置的第一/第二光电单元， 第一/第二光电...
    2025-11-26
  • 一种半导体结构及其制备方法
    一种半导体结构及其制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511326002.4
    本申请公开了一种半导体结构及其制备方法， 包括：衬底；位于衬底上的器件区， 器件区包括至少一半导体器件， 半导体器件至少包括电极区；位于器件区上的第一介质层， 第一介质层设有开槽， 且开槽在衬底上的投影位置至少部分错位于半导体器件；填充于开...
    2025-11-26
  • 电容器及其制作方法、存储阵列、存储器及电子设备
    电容器及其制作方法、存储阵列、存储器及电子设备_华为技术有限公司_202410456876.0
    本申请提供了一种电容器及其制作方法、存储阵列、存储器及电子设备。其中， 电容器包括：第一电极、第二电极以及位于第一电极与第二电极之间的铁电层， 铁电层包括非掺杂层和掺杂层。本申请能够提高抗击穿电场能力， 进而提高电容器的耐久性和使用寿命。
    2025-11-26
  • 半导体结构及其制备方法
    半导体结构及其制备方法_上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司_202410434728.9
    本发明提供一种半导体结构及其制备方法， 所述半导体结构包括：衬底， 所述衬底上形成有栅极结构；第一层间介质层， 所述第一层间介质层包围所述栅极结构且延伸至覆盖所述衬底的表面， 所述第一层间介质层内具有通孔， 所述通孔位于所述栅极结构的上方；...
    2025-11-26
  • 显示面板和显示装置
    显示面板和显示装置_合肥维信诺科技有限公司_202410446702.6
    本公开提供了一种显示面板和显示装置， 该显示面板包括显示区、开孔区以及位于显示区和开孔区之间的至少一个过渡区。显示面板还包括基板以及位于基板上的电荷聚集结构， 电荷聚集结构位于基板上且位于过渡区中， 电荷聚集结构环绕至少部分开孔区且至少部分...
    2025-11-26
  • 一种多胞胎芯片、晶圆及晶圆切割方法
    一种多胞胎芯片、晶圆及晶圆切割方法_达迩科技(成都)有限公司_202511156443.4
    本发明公开了一种多胞胎芯片、晶圆及晶圆切割方法， 应用于芯片制备技术领域， 包括：衬底；位于衬底一侧表面的多个功能区；功能区之间由非功能区分隔， 非功能区内设置有参考图形；参考图形用于在芯片进行电性测试时识别测试单元并生成电子Map， 使得...
    2025-11-26
  • 电子装置以及其制造方法
    电子装置以及其制造方法_群创光电股份有限公司_202411601110.3
    本发明提供一种电子装置以及其制造方法。电子装置包含基板、通孔、电路结构、至少一电子单元以及至少一记号。基板具有第一表面以及相对于第一表面的第二表面。通孔贯穿基板， 且通孔的侧壁连接第一表面以及第二表面。电路结构设置于基板上。至少一电子单元设...
    2025-11-26
  • 一种高过载高可靠性高压触发开关器件及其制备方法
    一种高过载高可靠性高压触发开关器件及其制备方法_四川航天电子设备研究所_202511018953.5
    本发明公开了一种高过载高可靠性高压触发开关器件及其制备方法， 属于电子器件技术领域， 采用陶瓷封装的形式将多个高压触发半导体芯片封装在密闭管壳内， 多个高压触发半导体芯片利用陶瓷转接板与陶瓷管壳基板焊盘通过倒装焊接方式进行并联互连， 倒装焊...
    2025-11-26
  • 互连修复复用
    互连修复复用_IMEC非营利协会_202510453046.7
    一种集成电路(1)， 包括：形成至少四个修复链(A、B、C、D)的多个互连(2)， 每个修复链(A、B、C、D)包括：用于提供信号路径(3)的多个主互连(21)， 备用互连(22)， 以及被配置用于偏移每个修复链内的信号路径(3)的电路(4...
    2025-11-26
  • 电路晶体管漏极和源极互连下的无偏置器件
    电路晶体管漏极和源极互连下的无偏置器件_亚德诺半导体国际无限责任公司_202510428783.1
    本公开涉及电路晶体管漏极和源极互连下的无偏置器件。电子电路包括多个场效应晶体管(FET)。所述多个FET包括具有连接到电路的漏极和源极区域的多个电路晶体管、以及具有未连接和浮动的漏极、源极和栅极区域的多个浮动晶体管。多个电路晶体管与多个浮动...
    2025-11-26
  • 一种封装基板框架及制造方法
    一种封装基板框架及制造方法_深南电路股份有限公司_202510940670.X
    本发明涉及半导体封装结构领域， 尤其涉及一种封装基板框架及制造方法。一种封装基板框架的制造方法包括：选择合适厚度的芯板， 在芯板上加工通孔；采用塞树脂机向芯板的通孔塞入金属浆料， 烧结， 通孔内形成导电柱；将导电柱凸出于芯板表面的部分铲平；...
    2025-11-26
  • 一种功率模块以及相关设备
    一种功率模块以及相关设备_海信家电集团股份有限公司_202510768248.0
    本申请实施例提供了一种功率模块以及相关设备， 包括沿第一方向依次设置的功率框架、基板、驱动框架， 及封装这些器件的封装体；沿第二方向， 基板设有第一逆变部对应的第一焊盘区域及第二逆变部对应的第二焊盘区域；第一焊盘区域中不同第一子焊盘区域之间...
    2025-11-26
  • 核心层多层布线的封装基板及制作方法
    核心层多层布线的封装基板及制作方法_珠海越芯半导体有限公司_202510743082.7
    本公开提供一种核心层多层布线的封装基板及制作方法。具体地， 通过在核心层的第一介质层和第二介质层之间设置第一线路层， 在第四介质层的表面设置第二线路层， 利用贯穿所述核心层的通孔柱导通连接所述第一线路层和所述第二线路层， 从而在核心层内部形...
    2025-11-26
  • 具有超薄衬底的半导体封装及其制造方法
    具有超薄衬底的半导体封装及其制造方法_万国半导体国际有限合伙公司_202410432265.2
    一种半导体封装件， 包括半导体衬底、多个接触焊盘、种子层、金属支撑体以及模制封装件。半导体衬底的厚度为15微米至35微米。金属支撑体的厚度至少为30微米。一种方法， 包括以下步骤：提供器件晶圆；连接载体；应用减薄工艺；形成种子层；形成多个金...
    2025-11-26
  • 功率模块及其应用
    功率模块及其应用_海信家电集团股份有限公司_202510729776.5
    本申请涉及领域半导体领域， 具体公开一种功率模块及其应用。该功率模块包括封装框架和电路基板， 电路基板的一侧表面设有间隔排布的第一逆变电路、第二逆变电路、PFC功率电路和整流桥；整流桥所在区域设有第一固定件， 驱动侧框架设有第一加强件， 第...
    2025-11-26
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_长鑫芯瑞存储技术(北京)有限公司_202511295020.0
    本公开实施例提供了一种半导体结构及其制造方法， 其中， 半导体结构包括：第一介质层， 以及位于第一介质层内的第一金属层， 第一介质层未覆盖第一金属层的顶面；自组装单层， 覆盖第一金属层的部分顶面；第二介质层， 位于第一介质层上并覆盖自组装单...
    2025-11-26
  • 一种基片键合互连结构、芯片、芯片系统及通信装置
    一种基片键合互连结构、芯片、芯片系统及通信装置_华为技术有限公司_202410446719.1
    本申请实施例提供了一种基片键合互连结构、芯片、芯片系统及通信装置。其中， 该基片键合互连结构包括底板、电路板、MMIC芯片和基片；电路板和MMIC芯片平铺设置在底板表面上， 且电路板和MMIC芯片之间通过基片键合连接；其中， 电路板远离底板...
    2025-11-26
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