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最新专利技术
  • 基板处理装置、基板处理方法、半导体器件的制造方法、程序产品及感应加热装置
    基板处理装置、基板处理方法、半导体器件的制造方法、程序产品及感应加热装置_株式会社国际电气_202510253774.3
    本发明提供基板处理装置、基板处理方法、半导体器件的制造方法、程序产品及感应加热装置， 能够减少感应加热的区域边界的温度偏差。提供的技术具备：(a)处理管， 其在内部容纳基板并对基板进行热处理；(b)多个线圈， 其沿着所述处理管的长度方向配置...
    2025-12-06
  • 洗边装置及其工作方法
    洗边装置及其工作方法_华为技术有限公司_202410528682.7
    本申请实施例提供一种洗边装置及其工作方法， 涉及半导体技术领域， 用于控制洗边宽度， 提高洗边均匀性。洗边装置包括承载结构、喷洒部件以及支架组件。其中， 承载结构用于放置待清洗产品， 并带动待清洗产品旋转。喷洒部件用于向待清洗产品喷洒洗边溶...
    2025-12-06
  • 半导体工艺设备
    半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202410526218.4
    本申请公开一种半导体工艺设备， 其包括第一腔体、第二腔体、进气管、排气管和输气管， 所述第二腔体可拆卸地固定连接于所述第一腔体的上方， 且所述第二腔体与所述第一腔体连通， 所述进气管和所述排气管均与所述第一腔体连通， 所述输气管与所述进气管...
    2025-12-06
  • 外延制程减少晶圆传送过程中翘曲的调机方法
    外延制程减少晶圆传送过程中翘曲的调机方法_中芯国际集成电路制造(北京)有限公司_202410526202.3
    本发明提供一种外延制程减少晶圆传送过程中翘曲的调机方法， 包括：提供测试晶圆；将所述测试晶圆传送到高温反应腔内并悬停在所述高温反应腔内， 获取所述测试晶圆悬停于所述高温反应腔内不发生翘曲的停留时长；将所述测试晶圆放置于所述高温反应腔内的基座...
    2025-12-06
  • 半导体工艺腔室
    半导体工艺腔室_北京北方华创微电子装备有限公司_202410525680.2
    本发明提供一种半导体工艺腔室， 半导体工艺腔室包括腔室本体、加热件、卡盘及隔热装置， 隔热装置设有隔热结构， 隔热结构位于腔室本体内部并可相对于腔室本体运动至遮蔽位置或避让位置；在避让位置时， 隔热结构在腔室本体底面的正投影与卡盘在腔室本体...
    2025-12-06
  • 基于智能传感器的二极管封装质量检测方法及系统
    基于智能传感器的二极管封装质量检测方法及系统_南通华隆微电子股份有限公司_202511357948.7
    本申请提供了基于智能传感器的二极管封装质量检测方法及系统， 涉及质量检测技术领域， 方法包括：通过智能传感器阵列对二极管封装体进行多维传感采集， 获得多源传感数据集；基于多源传感数据集进行特征融合， 根据融合结果进行缺陷分析， 生成缺陷特征...
    2025-12-06
  • 一种LED晶圆的光电联合批量检测方法及装置
    一种LED晶圆的光电联合批量检测方法及装置_厦门大学_202511338220.X
    本发明属于半导体技术领域， 公开了一种LED晶圆的光电联合批量检测方法及装置， 将光束传输至空间光调制器进行图案调制， 得到压缩感知编码图案；将所述压缩感知编码图案聚焦到待检测晶圆表面， 以使所述待检测晶圆产生光致发光信号和光生电流信号；通...
    2025-12-06
  • 检测多晶硅切断结构侧壁硅残留的方法
    检测多晶硅切断结构侧壁硅残留的方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511232087.X
    本发明公开了一种检测多晶硅切断结构侧壁硅残留的方法， 包括以步骤：S1， 执行多晶硅切断工艺；S2， 去除虚设多晶硅；S3， 依次进行金属栅极金属沉积及化学机械平坦化；S4， 执行SDB工艺， 并在该步骤使用热硫酸‑双氧水混合液去除已打开区...
    2025-12-06
  • 晶圆的处理方法及装置、电子设备
    晶圆的处理方法及装置、电子设备_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202511102765.0
    本发明提供了一种晶圆的处理方法及装置、电子设备， 属于半导体制造技术领域。晶圆的处理方法， 包括：对晶圆的两个相背的表面进行测量， 得到所述晶圆的两个表面的相对高度分布信息；以所述晶圆的圆心为原点， 在笛卡尔坐标系中根据所述相对高度分布信息...
    2025-12-06
  • 一种元器件贴合误差校正的方法、系统以及装置
    一种元器件贴合误差校正的方法、系统以及装置_广州诺顶智能科技有限公司_202511025786.7
    一种元器件贴合误差校正的方法， 包括以下步骤：设置初始料位、标定件以及设有贴合位的标定板；将所述标定件从所述初始料位拾起， 并按运动路径移至所述贴合位；获取所述标定件在所述贴合位时的X轴贴合误差值和/或Y轴贴合误差值和/或贴合安装角度误差值...
    2025-12-06
  • 一种用于区分太阳能电池片的SiNx膜色测试装置及测试方法
    一种用于区分太阳能电池片的SiNx膜色测试装置及测试方法_无锡锐思创能科技有限公司_202511022690.5
    本发明涉及一种用于区分太阳能电池片的SiNx膜色测试装置及测试方法。该膜色测试装置包括：光源模块， 用于发出光束， 并沿设定的入射角照射电池片的表面；光纤光谱仪， 用于接受经过电池片表面反射的光束， 并获得电池片表面在不同波长下的反射率曲线...
    2025-12-06
  • 一种基于EL灰度值的晶硅太阳能电池分档方法
    一种基于EL灰度值的晶硅太阳能电池分档方法_安徽中清新能源科技有限公司_202511018863.6
    本发明提供一种基于EL灰度值的晶硅太阳能电池分档方法， 属于太阳能电池技术领域， 采用了先依据电池转换效率进行初级分档， 随后对同一效率档位内的电池片进行EL灰度值的二次分选方法， 实现了同一分档单元内电池片电致发光特性的一致性优化， 有效...
    2025-12-06
  • 一种外延生长温度的检测方法
    一种外延生长温度的检测方法_北京智慧能源研究院_202511008948.6
    本申请涉及一种外延生长温度的检测方法， 包括：提供测试晶圆， 测试晶圆包括标定晶片和测温晶片；对标定晶片和测温晶片进行缺陷处理， 以在其中引入晶体缺陷；在不同目标标定温度下对标定晶片进行缺陷修复处理， 并获取对应温度下的缺陷修复信息；依据目...
    2025-12-06
  • 一种监控BPSG中硼磷含量的方法
    一种监控BPSG中硼磷含量的方法_安徽北方微电子研究院集团有限公司_202510997498.1
    本发明涉及一种监控BPSG中硼磷含量的方法， 包括二次离子质谱仪检测BPSG膜层中的硼磷含量， 其特征在于包括如下步骤：在确定BPSG膜层中的硼磷含量正常后， 通过氧化， CVD， 光刻， 刻蚀， 湿法步骤制备有台阶的晶圆， 淀积测试过后硼...
    2025-12-06
  • 一种离线监控金属薄膜电阻阻值的方法
    一种离线监控金属薄膜电阻阻值的方法_西安微电子技术研究所_202510973558.6
    本发明公开了一种离线监控金属薄膜电阻阻值的方法， 具体步骤如下：在衬底上依次淀积薄膜电阻下介质层、铬硅电阻层、钨钛阻挡层、铬硅薄膜金属上介质层后， 退火处理， 得到第一产物；通过湿法腐蚀去除第一产物的钨钛阻挡层、铬硅薄膜金属上介质层， 得到...
    2025-12-06
  • 一种基于近场光学的晶硅电池金属化区域表征方法及系统
    一种基于近场光学的晶硅电池金属化区域表征方法及系统_苏州大学_202510939941.X
    本发明涉及太阳能电池领域， 尤其是指一种基于近场光学的晶硅电池金属化区域表征方法及系统， 所述方法包括：产生波长可调节的激光光源， 将所述激光光源分离成泵浦光和参考光；将所述泵浦光聚焦至针尖， 使针尖靠近样品的金属化区域表面， 在其表面和针...
    2025-12-06
  • 一种TSV安全距离确定方法、装置、电子设备及存储介质
    一种TSV安全距离确定方法、装置、电子设备及存储介质_海光信息技术(成都)有限公司_202510869667.3
    本申请的实施例公开了一种TSV安全距离确定方法、装置、电子设备及存储介质， 涉及半导体技术领域， 便于测试验证被测器件与TSV的安全距离。所述方法包括：将TSV以矩形阵列方式排布为TSV阵列；在所述TSV阵列周围， 将被测器件排布为多个矩形...
    2025-12-06
  • 半导体结构的缺陷测试方法
    半导体结构的缺陷测试方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410530313.1
    一种半导体结构的缺陷测试方法， 包括：提供衬底， 所述衬底上具有若干开口；在所述衬底上形成测试涂层， 且所述测试涂层填充满所述开口；设定所述测试涂层在开口内的标准厚度；根据开口内所述测试涂层厚度与所述标准厚度， 获取所述开口内是否具有缺陷。...
    2025-12-06
  • 测试结构及形成方法
    测试结构及形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410519818.8
    本发明提供一种测试结构及形成方法， 其中测试结构包括：基底；位于所述基底上的若干分立排布的栅极结构， 所述栅极结构沿着第一方向延伸；位于所述基底上的至少一个栅极切断层， 所述栅极切断层沿着第二方向位于至少一个所述栅极结构内， 所述第一方向与...
    2025-12-06
  • 一种高密度封装体层间导通互联方法及结构
    一种高密度封装体层间导通互联方法及结构_厦门四合微电子有限公司_202511225006.3
    本发明涉及芯片封装技术领域， 公开了一种高密度封装体层间导通互联方法及结构， 包括：步骤S100：在载板的一面或两面制作线路层， 所述线路层上包括金属框体、若干个第一连接筋和若干个封装区， 所述封装区设置于所述金属框体内， 所述封装区内设有...
    2025-12-06
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