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  • 本发明提供一种ATE接口标准通用线及其连接的FT测试系统,涉及半导体集成电路测试领域。该基于ATE接口标准通用线,包括ATE PC端背板、测试头和DUT适配器,所述ATE PC端背板电性连接有第一接口和第二接口,所述第一接口连接有第一标准通...
  • 本发明公开了一种基于反演算法的片上校准件寄生参数确定及溯源方法,包括通过TRL校准确定八个误差项,所述TRL校准采用直通、反射和传输线三个校准标准件;根据信号流图得到TRL校准与SOLT校准中各个误差项的关系,根据12项误差修正模型算法,反...
  • 本发明提出一种设备测量方法及装置,涉及半导体设备生产领域,本发明的设备测量方法,用于测量半导体测试设备,半导体测试设备包括机台、面板、载片台和探针,载片台和面板均连接于机台,载片台用于装载晶圆;探针连接于面板,且朝向载片台设置;载片台能够沿...
  • 本发明公开了一种测试设备,包括:机架;测试治具,设于机架,测试治具包括由上至下依次设置的压板模组、皮带输送机构以及针板模组;支撑架,设于机架,且位于测试治具的一侧;第一底板,活动设于支撑架;第一驱动件,设于第一底板;输送组件,连接第一驱动件...
  • 本发明公开了一种极限信号组合模块的测试装置及方法,涉及电路板测试技术领域,包括:电源模块、串口通讯模块、总线收发模块、DSP控制模块以及被测存储器板;所述电源模块,用于为所述被测存储器板提供工作电压;所述串口通讯模块,通过串行接口实现上位机...
  • 本申请涉及一种芯片失效检测系统、方法、装置和太赫兹时域反射计。主控制器,用于向选通开关中的目标选通开关发送第一控制信号,以导通与目标选通开关对应的目标待测芯片,以及在目标待测芯片导通的情况下,向太赫兹时域反射计发送第二控制信号;太赫兹时域反...
  • 本发明提供一种智慧杆站电路板异常检测装置。涉及电路板技术领域,智慧杆站电路板异常检测装置,包括:顶部开设有限位槽的底板,所述限位槽内固定安装有双轴电机,所述双轴电机的两个输出轴上分别固定安装有转动螺杆,且两个所述转动螺杆均与所述限位槽的内壁...
  • 本发明公开了一种芯片性能测试装置及其测试方法,包括送料机构、测试平台、限位调节组件、芯片吸附组件、支撑滑移组件、吸附处理组件、尾端调节组件、侧封闭组件、测试机构和测试探头,顶推支架上设置有顶推气缸,顶推气缸的底部固定连接有微调电机;本发明,...
  • 本发明提供了一种基于总损耗与开关频率斜率的开关损耗测量方法及系统,其中方法包括:利用继电器网络将直流电流源或直流电压源连接到被测器件的两端进行加热,获取第一参考点到第二参考点的热阻抗模型;控制被测器件运行在高频开关状态下,并流过幅值与占空比...
  • 本申请涉及一种硅电容晶圆测试系统及测试方法,应用在晶圆测试领域,包括晶圆获取模块和晶圆测试模块;所述晶圆获取模块用于在接收到晶圆测试指令时,自动获取待测晶圆,并将所述待测晶圆放置于预设的测试位置;所述晶圆测试模块,用于对所述待测晶圆进行测试...
  • 本申请提供了一种承压二极管温度漂移补偿的IGBT导通压降在线测量电路,包括待测IGBT;钳位电路,包含两个承压二极管和两个控制场效应管,两个承压二极管分别与各自对应的控制场效应管串联后,并联接入待测IGBT的集电极与发射极之间;减法电路,包...
  • 本发明提供了基于场效应管的智能测试方法、系统及介质,涉及场效应管测试技术领域,方法包括:在目标设备中集成可插拔FET接口,可插拔FET接口外围布设有多模态传感阵列;通过随机扰动动态工作边界,输出实时测试时序数据;基于实时测试时序数据运行目标...
  • 本发明涉及一种NPN晶体管测量电路、测量方法及芯片,解决了现有NPN晶体管直流放大倍数测量系统存在体积大、重量重,以及较长的监测线缆导致电磁干扰影响测量准确性的技术问题。其中,测量电路包括偏置电流源、电流‑电压转换电路、减法器电路及基准生成...
  • 本发明涉及半导体芯片相关技术领域,具体包括一种MOSFET的栅氧工艺故障定位优化方法及系统,包括:确定栅氧工艺关键参数,构建缺陷类型数字特征矩阵并关联分析设第一缺陷识别向量,定位故障源与敏感参数关联分析设第二向量,生成非支配解集,筛选最优工...
  • 本申请公开了基于半导体设备的腔体加热异常检测系统,涉及半导体制造技术领域,该系统设置至少两路热电偶元件,利用两路热电偶元件采样热电偶信号,在同个信号处理容器中经过相同的滤波和放大后,再由微控制单元进行采样得到信号采样值并进行比较判断,该判断...
  • 本发明提供了一种晶棒少子寿命异常诊断方法,涉及晶棒生产技术领域。本发明包括动态异常判定和多因素根因诊断,动态异常判定找出少子寿命异常的加次,针对少子寿命异常的加次进行多因素根因诊断,找出异常因素并进行专项改进;其中,所述动态异常判定包括加次...
  • 本发明涉及光电检测技术领域,具体涉及一种基于多参数融合的激光二极管状态监测方法及系统,该方法包括:基于激光二极管的工作情况进行布设采集多个参数,包括电流、温度和光反馈信号,并动态融合构建损伤指数;建立分级预警机制,并对应设置判断阈值,结合损...
  • 本发明公开了一种适用于功率半导体键合线断裂识别的阈值确定及识别方法,包括统计出全新功率半导体的键合线和功率源极引线端子总电阻的平均值;针对任意一根键合线断裂、任意二根键合线断裂、任意三根键合线断裂的情况,统计出三种情况下的键合线总电阻变化值...
  • 本发明提供一种基于异质结构的宽禁带半导体器件高温可靠性评估方法,涉及半导体器件检测技术领域,包括通过获取初始电学参数,构建多层级故障树,设置多通道并行采样触发器,构建参数‑结构关联图谱,更新失效路径概率分布,并构建失效预警曲线,能够准确判断...
  • 本发明提供一种基于FPGA的功率器件状态监测方法及装置,属于电力电子领域。该方法利用FPGA的并行处理能力,实现对功率器件的多个状态量的实时监测,包括实际饱和压降、结温以及集电极电流,并将其转化为对应的数字信号,再基于预存的功率器件的电气特...
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