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  • 本公开涉及一种电极片、固态电解质膜、固态电池及其制备方法和应用,属于固态电池技术领域。电极片包括集流体和涂覆层,涂覆层涂覆于集流体的至少一侧表面,涂覆层背离集流体的一侧表面形成有多个第一嵌合结构,多个第一嵌合结构间隔分布。固态电解质膜包括固...
  • 一种封装结构及其形成方法,结构包括:基板,基板包括多个功能器件区以及位于相邻功能器件区之间的电磁屏蔽区;功能芯片,设置于功能器件区的基板上;电磁屏蔽结构,设置于电磁屏蔽区的基板上,且电磁屏蔽结构包括多个间隔排布的针体以及环绕包覆针体的针座,...
  • 本发明提供了一种基于有机转接板的SIP封装结构及封装方法,属于半导体封装技术领域,封装结构包括陶瓷基壳、芯片模块、有机转接板、第一焊接层和第二焊接层;陶瓷基壳内部设有芯片模块,芯片模块与陶瓷基壳之间通过引线键合;有机转接板,内部设有多层横向...
  • 本发明涉及一种集成应变与温度感知功能的射频微系统封装结构及其控制方法,包括:至少三层堆叠的转接板结构,包含芯片埋置层转接板、微流道层转接板和底层转接板;所述芯片埋置层转接板设有用于嵌入芯片的凹槽,凹槽底部集成热电偶薄膜;所述底层转接板下表面...
  • 本发明涉及芯片封装技术领域,具体地说是一种板级多芯片模块堆叠结构及封装方法。芯片组包含若干以阶梯状错位堆叠的芯片,芯片正面朝向基板,芯片正面露出的阶梯位置和芯片组旁侧设有垂直引线的一端,垂直引线的另一端连接互连结构,芯片和垂直引线外侧设有环...
  • 本发明涉及芯片封装技术领域,具体地说是一种晶圆级多芯片模块堆叠结构及封装方法。每个模块内包括至少一个芯片组,芯片组包含若干以阶梯状错位堆叠的芯片,芯片正面朝上通过贴片连接再布线层一,芯片正面露出的阶梯位置与再布线层二之间设有垂直引线,再布线...
  • 本发明提供了一种低导通电阻封装结构及其加工方法,属于陶瓷封装技术领域,包括:陶瓷外壳、金属柱、上金属垫以及芯片,陶瓷外壳具有开口向上的封装腔;封装腔的底部设置有贯通孔;金属柱穿设于贯通孔内;上金属垫焊接在金属柱的上端;芯片设置于封装腔的底部...
  • 本发明涉及封装技术领域,具体为四面无引脚封装结构及其封装方法,包括基板,基板的顶部开设有安装槽,安装槽的顶部固定安装有散热片,散热片的顶部开设有散热槽,散热槽的内侧配合装设有散热网,散热网的侧面固定设置有第一翅片,第一翅片的侧面固定安装有第...
  • 本申请公开了一种半导体芯片互联器件、其制造方法及功率模块,包括通用电极层;半导体功能层,与通用电极层层叠设置,半导体功能层包括至少两个半导体单元;第一图案化金属层,层叠设置于半导体功能层背向通用电极层的一侧,第一图案化金属层包括对应各半导体...
  • 本发明公开一种集成微流道的低杂感低热阻功率模块,包括从上至下依次堆叠布置的含有微流道的第一层DBC结构、第二层DBC结构、第三层DBC结构和第四层DBC结构,各层DBC结构之间分别设有芯片层,所述第二层DBC结构和所述第三层DBC结构之间设...
  • 一种电源半导体封装结构、方法及电子产品,电源半导体封装结构包括电感元件、主动元件、被动元件、电源芯片和PCB板。电感元件和电源芯片均电连接至PCB板,并沿垂直于PCB板方向依次排布。电感元件电连接至PCB板的一侧具有开口的空腔,主动元件和/...
  • 本发明涉及芯片散热领域,具体是一种芯片散热支撑底座,包括电路板主体,所述电路板主体一侧设置有支撑底座主体,芯片放置在支撑底座主体之中,散热装置一侧设置有导热组件,导热组件一侧设置有散热装置,导热组件用于导热从而使支撑底座主体之中的热量进入散...
  • 本发明涉及堆叠式封装技术领域,具体为一种堆叠式封装结构及其工艺方法,包括第一芯片,第一芯片的顶部设置有装片膜,且第一芯片通过装片膜连接有第二芯片,第二芯片的底部通过装片膜连接有散热盒,且散热盒的顶部固定安装有均热板,均热板的底部固定设置有聚...
  • 本发明公开一种多芯片堆叠封装结构及其封装方法,涉及封装技术领域,其中,多个晶粒以阶梯错层结构堆叠并埋设于塑封体内;散热盘设置于塑封体的一个表面,并与最底层的晶粒连接;每一第一导体对应与一晶粒垂直连接,且垂直延伸到塑封体远离散热盘的一侧;屏蔽...
  • 本发明涉及一种器件,包括支持件、覆盖支持件的导电层、位于导电层上的半导体衬底和绝缘壳体。
  • 本申请实施例公开了一种封装结构及其制备方法、电子设备,涉及半导体领域,能够降低多个芯片之间的干扰,且不额外增加封装结构的尺寸。封装结构包括基板,第一芯片,第一封装层,第二芯片和第二封装层。第一芯片设置于基板的一侧;第一芯片与基板耦接。第一封...
  • 本发明提供一种提高IGBT功率模块散热性能的封装结构及封装方法,封装结构包括由下至上依次设置的铜基板、第一环氧胶层、环氧树脂基复合材料层、第二环氧胶层、一体设置的上桥铜层和下桥铜层、芯片焊料层、功率芯片;功率芯片包括上桥芯片和下桥芯片;芯片...
  • 本发明提供一种提升晶圆划片可靠性的结构。该结构包括芯片区域、相邻的划片道、位于芯片区域内邻近划片道的密封环,以及覆盖这些区域的钝化层。其关键在于,在钝化层中、位于密封环与划片道之间形成一钝化层开槽,并在该开槽与密封环及划片道之间分别界定有第...
  • 本发明涉及半导体封装领域,公开了一种叠层封装结构及实现方法,所述叠层封装结构包括DPC陶瓷CBGA基板、金属围框、设置于封装空腔内的内部印制板、多个内部互连锡球以及金属盖板;所述内部印制板为无开窗的完整板体,通过其底部的内部互连锡球整体焊接...
  • 本发明公开一种封装基板单元结构及其制作方法,该结构包括:玻璃芯板,具有相对的第一表面和第二表面、连接第一表面和第二表面的侧面,以及由第一表面、第二表面和侧面共同界定的外周缘;增层结构,配置于玻璃芯板的第一表面和/或第二表面上,且增层结构的边...
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