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最新专利技术
  • 具有用于减小的电压降的金属垫片的堆叠式半导体装置
    具有用于减小的电压降的金属垫片的堆叠式半导体装置_豪威科技股份有限公司_202510281607.X
    本公开涉及一种具有用于减小的电压降的金属垫片的堆叠式半导体装置。描述一种堆叠式半导体装置，其包括：第一裸片，其包含第一半导体衬底及第一互连件；第二裸片，其包含第二半导体衬底及第二互连件；多个第一键合垫片，其安置于所述第一互连堆叠内；多个第二...
    2025-11-22
  • 具有改进的泄漏特性的半导体器件及其制造方法
    具有改进的泄漏特性的半导体器件及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510269562.4
    本公开涉及具有改进的泄漏特性的半导体器件及其制造方法。一种被配置为ISP的晶片，包括第一区域和第二区域。晶片在第一区域中包括第一栅极结构，该第一栅极结构围绕第一有源区域的第一边缘和第二有源区域的第二边缘设置，第一有源区域和第二有源区域沿着第...
    2025-11-22
  • 影像感测器
    影像感测器_采钰科技股份有限公司_202411467680.8
    一种影像感测器，包含第一像素、第二像素、第三像素、及第四像素。第一像素、第二像素、第三像素、及第四像素各自包含感测层、第一超颖表面层，其具有第一超颖柱体且设置于感测层上方、以及第二超颖表面层，其具有第二超颖柱体且设置于第一超颖表面层上方。第...
    2025-11-22
  • 基于离散超原子的红外探测器、制备方法及光谱重构方法
    基于离散超原子的红外探测器、制备方法及光谱重构方法_北京信息科技大学_202511023171.0
    本发明涉红外探测技术领域，提供了一种基于离散超原子的红外探测器、制备方法及光谱重构方法，包括多个探测器像元，所述探测器像元包括设置在衬底正面的二类超晶格红外探测器像元和设置在衬底背面的离散超原子超表面单元；所述离散超原子超表面单元由周期性排...
    2025-11-22
  • 一种量子点薄膜与表面带通孔的读出电路的集成方法
    一种量子点薄膜与表面带通孔的读出电路的集成方法_绍芯实验室_202510901592.2
    本申请涉及一种量子点薄膜与表面带通孔的读出电路的集成方法，包括五个关键步骤：首先对带通孔的CMOS读出电路进行表面预处理，其次将经配体交换处理的CdSe/ZnS核壳结构量子点分散于高沸点有机溶剂中制备墨水，浓度控制在100‑300 mg/m...
    2025-11-22
  • 一种基于SiC的PNPN垂直结构半导体核辐射探测器及方法
    一种基于SiC的PNPN垂直结构半导体核辐射探测器及方法_西安交通大学_202511041927.4
    本发明公开了一种基于SiC的PNPN垂直结构半导体核辐射探测器及方法，涉及辐射探测器领域，包括衬底、在衬底下表面形成的阴极电极、以及在衬底上表面由下至上依次形成的P3区、P2区、N1区、P1区和P1区上的阳极电极；所述P1区为P型重掺杂；所...
    2025-11-22
  • 金刚石基氧化镓异质结雪崩光电探测器及其制备方法
    金刚石基氧化镓异质结雪崩光电探测器及其制备方法_西安电子科技大学杭州研究院_202511438908.5
    本发明涉及一种金刚石基氧化镓异质结雪崩光电探测器及其制备方法，采用p+金刚石衬底，依次外延p‑金刚石倍增层、n‑Ga2O3电荷层、i‑Ga2O3吸收层及n+Ga2O3接触层，形成分离吸收倍增Ⅱ型异质结台面结构；通过ICP刻蚀暴露衬底，并利用...
    2025-11-22
  • 单光子雪崩二极管及其制造方法
    单光子雪崩二极管及其制造方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511002264.5
    本发明提供一种单光子雪崩二极管及其制造方法。该单光子雪崩二极管包括：一衬底，具有第一表面和第二表面；一形成于衬底内的雪崩区；以及至少一个光捕获结构。所述光捕获结构形成于衬底的第一表面和/或第二表面上，且包括至少一个倒置的类金字塔凹陷。该光捕...
    2025-11-22
  • 一种全介质超表面增强宽波段光电响应雪崩光电探测器
    一种全介质超表面增强宽波段光电响应雪崩光电探测器_北京时代民芯科技有限公司_202510924972.8
    本发明提供一种全介质超表面增强宽波段光电响应雪崩光电探测器，包括增透膜、上/下电极、氧化层、光敏面、保护环、截止环、倍增层、本征吸收层以及接触层。所述全介质超表面分别位于增透膜层和接触层。本发明依靠材料的结构设计来改善雪崩光电探测器的光电响...
    2025-11-22
  • 基于双层沟道p-GaNAlGaNn-GaN结构光子能量探测器及方法
    基于双层沟道p-GaNAlGaNn-GaN结构光子能量探测器及方法_西安交通大学_202511041964.5
    本发明公开了一种基于双层沟道p‑GaNAlGaNn‑GaN结构光子能量探测器及方法，包括第一阳极、第二阳极、第一阴极、第二阴极、二氧化硅钝化层、p型GaN层、势垒层、n型GaN层、GaN缓冲层以及绝缘衬底，其中，x表示材料中Al的摩尔组分，...
    2025-11-22
  • 光伏组件及其制备方法
    光伏组件及其制备方法_晶科能源(海宁)有限公司_202511443434.3
    本申请涉及光伏组件及其制备方法。本申请的光伏组件包括：多个电池串、多个汇流条以及至少一个跳线；电池串包括通过焊带串联连接的多个光伏电池；多个电池串通过汇流条电连接；汇流条包括第一主体层，第一主体层具有沿其厚度方向相对设置的第一表面和第二表面...
    2025-11-22
  • 一种光伏组件
    一种光伏组件_晶科能源股份有限公司_202511040837.3
    本申请涉及一种光伏组件，包括背接触太阳能电池片、第一粘接件以及第二粘接件，相邻的背接触太阳能电池片通过焊带连接，背接触太阳能电池片包括基底和设置于基底上的焊盘，第一粘接件设置于焊盘上，第一粘接件电连接焊盘与焊带，第二粘接件连接焊带与基底，其...
    2025-11-22
  • 一种太阳能电池和光伏组件
    一种太阳能电池和光伏组件_隆基绿能科技股份有限公司_202510963076.2
    本申请公开了一种太阳能电池和光伏组件，涉及光伏技术领域，以防止太阳能电池沿同一方向上不同类型的力作用到同一直线上导致电池片损伤，组件可靠性下降。太阳能电池包括电池本体、多个集电电极、多个连接电极和多个电结合部。多个集电电极沿第一方向延伸、沿...
    2025-11-22
  • 光伏组件和光伏系统
    光伏组件和光伏系统_隆基绿能科技股份有限公司_202510888900.2
    本发明提供了一种光伏组件和光伏系统，涉及光伏技术领域。光伏组件，包括：电池片；电池片设置有电极；电连接件，电连接件具有金属内芯；金属内芯通过结合材料电连接相邻两个电池片的电极；结合材料和金属内芯之间形成有第一合金层；所述电极和结合材料之间形...
    2025-11-22
  • 一种基于BC电池的光伏系组件封装方法
    一种基于BC电池的光伏系组件封装方法_赫里欧新能源有限公司_202511118294.2
    本发明公开了一种基于BC电池的光伏系组件封装方法，所述光伏组件光照射方向依次包括玻璃板、BC电池、电路层、胶膜和背板，所述封装方法包括：采用点胶工艺在玻璃的内侧表面形成特定位置和形状的胶点；将BC电池片的正面直接与玻璃上的胶点通过点胶进行粘...
    2025-11-22
  • 一种基于3D网状增强结构的超轻高抗冲击光伏组件及其制备方法
    一种基于3D网状增强结构的超轻高抗冲击光伏组件及其制备方法_中能创低碳新能源科技(常州)有限责任公司_202510973120.8
    本发明公开了一种基于3D网状增强结构的超轻高抗冲击光伏组件及其制备方法，通过三层协同创新设计解决传统组件轻量化与抗冲击性能的矛盾问题。本发明的光伏组件梯度增强前板采用PC层与ETFE层交替层压，内部嵌有3D螺旋梯度玻璃纤维网，实现冲击应力梯...
    2025-11-22
  • 光伏电池制作方法和光伏电池
    光伏电池制作方法和光伏电池_通威太阳能(成都)有限公司_202510968952.0
    本申请涉及一种光伏电池制作方法和光伏电池。所述方法包括：在第一玻璃上进行排版处理，以使远离第一玻璃的一侧，覆盖包括开孔区域的绝缘膜带；对开孔区域进行填补处理，以使绝缘膜带上覆盖汇流条；将第二玻璃贴合于汇流条，进行层压得到光伏电池。采用本方法...
    2025-11-22
  • 一种能够调节应力的三结太阳电池及其制备方法
    一种能够调节应力的三结太阳电池及其制备方法_南昌凯迅光电股份有限公司_202511416993.5
    本发明涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种能够调节应力的三结太阳电池及其制备方法，该三结太阳电池自下而上依次为GaAs衬底、腐蚀截止层、接触层、顶电池、第一隧穿结、中电池、第二隧穿结、应变缓冲层、底电池、应力调节层、欧姆接触层。本发明通过在...
    2025-11-22
  • 光伏电池及其制备方法、光伏组件
    光伏电池及其制备方法、光伏组件_浙江晶科能源有限公司_202511441186.9
    本申请涉及一种光伏电池及其制备方法、光伏组件。本申请的光伏电池，包括硅衬底、掺杂硅层、复合阻挡层和金属电极；硅衬底具有相对设置的第一表面和第二表面的硅衬底，第一表面包括第一区域和第二区域，第二表面包括第三区域和第四区域；掺杂硅层设置于第一表...
    2025-11-22
  • 太阳能电池和光伏组件
    太阳能电池和光伏组件_浙江晶科能源有限公司_202511135172.4
    本申请涉及一种太阳能电池和光伏组件。太阳能电池包括基底、发射极结构、掺杂导电结构、第一电极和第二电极，发射极结构设于基底的第一表面上，且包括交替布设的第一高掺杂区和第一低掺杂区。掺杂导电结构设于基底的第二表面上，且包括交替布设的第二高掺杂区...
    2025-11-22
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