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最新专利技术
  • 一种扇入型晶圆级芯片堆叠封装方法及封装结构
    一种扇入型晶圆级芯片堆叠封装方法及封装结构_南通通富科技有限公司_202511075404.1
    本公开实施例提供一种扇入型晶圆级芯片堆叠封装方法及封装结构，该封装方法包括：形成多个芯片；提供硅晶圆，在硅晶圆的功能面形成多个导电柱；将多个芯片平铺电连接于硅晶圆的功能面；沿硅晶圆的切割道对硅晶圆进行切割，以在硅晶圆上形成切割槽，其中，切割...
    2025-12-17
  • 芯片键合点加固方法、功率模块、电子设备
    芯片键合点加固方法、功率模块、电子设备_重庆奕能科技有限公司_202510968639.7
    本申请公开了一种芯片键合点加固方法、功率模块、电子设备，方法包括：在芯片表面形成电镀层；将键合线与所述芯片表面键合；在键合点处形成加固层。本申请提供的芯片键合点加固方法、功率模块、电子设备，通过在键合点的周围形成围绕键合点与芯片表面连接的加...
    2025-12-17
  • 制造具有可润湿侧翼的电子部件的方法
    制造具有可润湿侧翼的电子部件的方法_意法半导体国际公司_202510550392.7
    本公开涉及制造具有可润湿侧翼的电子部件的方法。本说明书提供了一种制造电子部件的方法。这些电子部件具有可润湿侧翼。示例方法包括：a)提供基板，在基板中形成有芯片，连接区域布置在基板的上表面上，导电焊盘能够覆盖连接区域；b)可选地，在芯片之间形...
    2025-12-17
  • 形成封装结构的方法以及封装结构
    形成封装结构的方法以及封装结构_台湾积体电路制造股份有限公司_202511043205.2
    方法包括形成互连结构和中介层。互连结构包括第一多条再分布线和环绕第一多条再分布线的晶圆密封环。中介层包括第二多条再分布线和环绕第二多条再分布线的多个管芯密封环。该方法包括将第一多个封装组件接合至中介层，以及将第二多个封装组件接合至互连结构。...
    2025-12-17
  • 一种多通道驱动电路的封装结构设计及封装工艺
    一种多通道驱动电路的封装结构设计及封装工艺_中国振华集团永光电子有限公司(国营第八七三厂)_202510810395.X
    一种多通道驱动电路的封装结构设计及封装工艺，涉及微电子器件封装技术领域。包括陶瓷基座、金属墙、芯片载体、外引线电极，其特征在于，陶瓷基座为阶梯型结构，且所述陶瓷基座为Al2O3多层陶瓷材料；第一阶梯上金属墙通过烧结工艺与陶瓷基座固定连接，第...
    2025-12-17
  • 引线框架封装方法和封装结构
    引线框架封装方法和封装结构_甬矽电子(宁波)股份有限公司_202511476213.6
    本发明提供了一种引线框架封装方法和封装结构，涉及芯片封装技术领域，首先提供一引线框，然后在每个第一伪引脚的正面打线形成第一连接线弧，实现多个第一伪引脚和/或多个连接引脚之间的电连接。然后在连接骨架的背面形成背胶层，在引线框上完成芯片贴装，然...
    2025-12-17
  • 一种QFN封装方法
    一种QFN封装方法_甬矽电子(宁波)股份有限公司_202511139287.0
    本申请提供一种QFN封装方法，涉及芯片封装技术领域。该QFN封装方法包括：提供金属板，并对金属板进行刻蚀，以形成引线框架，其中，引线框架包括基岛和手指，相邻的两个手指之间通过连接部连接；将芯片贴装至基岛的正面，并通过键合引线使芯片与手指的正...
    2025-12-17
  • 半导体装置的制造方法
    半导体装置的制造方法_三菱电机株式会社_202510537326.6
    本发明的目的在于提供一种能够抑制绝缘基板以相对于壳体的底面倾斜的状态被固定的情况，并保持壳体的底面与绝缘基板的平行度的技术。半导体装置(100)的制造方法包括：在壳体安装夹具(30)上载置绝缘基板(1)的载置工序；在绝缘基板(1)的周缘部的...
    2025-12-17
  • 封装基板制作方法及封装基板
    封装基板制作方法及封装基板_浙江创豪半导体有限公司_202511481989.7
    本申请提供一种封装基板制作方法，属于封装基板技术领域，包括：提供一基板，所述基板上设有绝缘膜；在所述绝缘膜上预设多个腔体加工区域，其中每个所述腔体加工区域包括同轴设置的外圈区域和内圈区域；使用第一激光烧蚀工艺，逐个对所述外圈区域进行加工，直...
    2025-12-17
  • 散热基板、散热结构及其制备方法和电子器件封装结构
    散热基板、散热结构及其制备方法和电子器件封装结构_南京中江新材料科技有限公司_202511478981.5
    本申请涉及半导体领域，尤其涉及一种散热基板、散热结构及其制备方法和电子器件封装结构。本申请提供的散热基板的制备方法，包括：金属基板处理工序，提供金属基板，基于金属基板厚度方向的表面形成多个安装孔；植柱工序，提供多个陶瓷柱，将每个陶瓷柱植入对...
    2025-12-17
  • 晶圆的刻蚀方法
    晶圆的刻蚀方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511505955.7
    本申请涉及一种晶圆的刻蚀方法，包括：提供晶圆，所述晶圆包括衬底、依次层叠形成于所述衬底一侧的外延层、第一氧化层、第一硬掩膜层，及贯穿所述第一氧化层和所述第一硬掩膜层并延伸至外延层内的浅沟槽隔离结构；于所述衬底远离所述外延层的一侧形成多孔介质...
    2025-12-17
  • 基板处理方法和基板处理装置
    基板处理方法和基板处理装置_东京毅力科创株式会社_202510573568.0
    本公开提供一种基板处理方法和基板处理装置，能够控制氮化膜的蚀刻量。本公开的一个方式的基板处理方法包括：工序(a)，准备在表面具有氮化膜的基板；工序(b)，将所述基板暴露在从包含氢气和氧气的第一处理气体生成的等离子体中；工序(c)，向所述基板...
    2025-12-17
  • 一种晶圆的制造方法及设备
    一种晶圆的制造方法及设备_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202511025878.5
    本申请提供一种晶圆的制造方法及设备，具体涉及半导体技术领域。针对晶锭分片在碱性环境下的重刻蚀工艺中体铜污染与刻蚀参数存在较为复杂的非线性关系而导致难以确定合适的刻蚀参数的技术问题，本申请通过测试出随刻蚀温度值的增加，体铜残留测试值先减少后增...
    2025-12-17
  • 一种隐切阻断及双刀四切的切割方法
    一种隐切阻断及双刀四切的切割方法_华天科技(南京)有限公司_202511125594.3
    本发明属于半导体制造技术领域，公开了一种隐切阻断及双刀四切的切割方法，通过对来料产品背面预减薄，去除Wafer背面防氧化镀层, 减少隐切时能量反射，使硅面激光能量反射稳定，使用隐切设备的环切功能对产品边缘一周台阶处进行环切，达到阻隔裂纹向w...
    2025-12-17
  • 一种半导体结构的制作方法
    一种半导体结构的制作方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511492160.7
    本发明公开了一种半导体结构的制作方法，属于半导体技术领域。所述制作方法至少包括以下步骤：提供一衬底；在所述衬底上形成待刻蚀层；在所述待刻蚀层上形成无定形碳层；将沉积无定形碳层后的衬底放入等离子腔室内，在预设温度和预设功率下，通入氢气和氩气预...
    2025-12-17
  • 一种SiC复合衬底的制备方法及SiC复合衬底
    一种SiC复合衬底的制备方法及SiC复合衬底_苏州龙驰半导体科技有限公司_202511492997.1
    本申请提供一种SiC复合衬底的制备方法及SiC复合衬底。制备方法包括如下步骤：对单晶SiC衬底进行H离子注入，形成氢注入单晶SiC衬底；在支撑衬底之上，胶接连接氢注入单晶SiC衬底，使得氢注入单晶SiC衬底和支撑衬底之间的连接为软连接；在H...
    2025-12-17
  • 一种去除半导体晶圆表面颗粒物污染的清洁方法
    一种去除半导体晶圆表面颗粒物污染的清洁方法_中国工程物理研究院应用电子学研究所_202511120886.8
    本发明公开了一种去除半导体晶圆表面颗粒物污染的清洁方法，涉及半导体清洁技术领域。本发明中去除半导体晶圆表面颗粒物污染的清洁方法在于先涂布特定有机溶液，再在水中浸泡，通过特定有机溶液在水中发生固相分离的原理，有效地粘附并去除晶圆表面的污染颗粒...
    2025-12-17
  • 一种降低晶圆表面金属新增的处理方法
    一种降低晶圆表面金属新增的处理方法_深圳市重投天科半导体有限公司_202511097000.2
    本发明提供了一种降低晶圆表面金属新增的处理方法，包括以下步骤：S1将待清洗晶圆在第一清洗液中进行清洗；S2将得到的晶圆进行冲洗后在第二清洗液中进行清洗；S3将得到的晶圆进行冲洗后在第三清洗液中进行清洗；S4将得到的晶圆进行冲洗后在第四清洗液...
    2025-12-17
  • 一种高品质碳化硅剥离衬底及其制备方法
    一种高品质碳化硅剥离衬底及其制备方法_上海天岳半导体材料有限公司_202510911257.0
    本申请提供了一种高品质碳化硅剥离衬底及其制备方法，涉及碳化硅半导体材料技术领域。高品质碳化硅剥离衬底表面翘曲Warp不大于100μm，表面粗糙度Ra<15μm，表面损伤层中的裂纹台阶高度差不大于30μm。降低了减薄时砂轮损耗，能够提高加工效...
    2025-12-17
  • 一种超薄HfO2介电薄膜及其制备方法和应用
    一种超薄HfO2介电薄膜及其制备方法和应用_深圳大学_202510881480.5
    本发明提供了一种超薄HfO2介电薄膜及其制备方法和应用。本发明在配制前驱体溶液采用的溶剂为乙醇和水的混合溶剂，乙醇‑水混合体系的前驱体溶液相较于全水体系的前驱体溶液能有效减少因剧烈水解导致的缺陷，同时比全乙醇体系的前驱体溶液更易获得完整的H...
    2025-12-17
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