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最新专利技术
  • 基于单原子催化的硫化钠碳限域预钠涂层的制备方法
    基于单原子催化的硫化钠碳限域预钠涂层的制备方法_西北工业大学_202511469482.X
    本发明提供了一种基于单原子催化的硫化钠碳限域预钠涂层的制备方法，属于钠电池材料技术领域。包括：将酞菁钴与三聚氰胺粉末混合，经超声辅助机械搅拌、干燥研磨得到复合粉末；将其与硫酸钠、聚乙烯吡咯烷酮按比例共混，经搅拌、干燥研磨得到前驱体粉末；在氩...
    2025-12-12
  • 一种锂电池负极片配方的制备工艺
    一种锂电池负极片配方的制备工艺_格力钛新能源股份有限公司_202511038973.9
    本发明公开了一种锂电池负极片配方的制备工艺，该锂电池负极片配方的制备工艺，使用5L搅拌罐，分别制备三罐负极浆料，向搅拌罐内分别加入3000g的石墨、16.6g的羧甲基纤维素钠、24.9g的导电剂进行干混，以300r自转，15r公转，干混45...
    2025-12-12
  • 一种长循环寿命的锂离子电池正极及其制备方法
    一种长循环寿命的锂离子电池正极及其制备方法_贵州嘉尚新能源材料有限公司_202510989595.6
    本发明公开了一种长循环寿命的锂离子电池正极及其制备方法，该锂离子电池正极的制备方法包括以下步骤：S1.将正极活性材料、导电剂、粘结剂和溶剂混合，加入生物基弹性体改性剂，所述生物基弹性体改性剂为壳聚糖衍生物，通过搅拌分散制备成正极浆料；S2....
    2025-12-12
  • 极片制造方法
    极片制造方法_天津力神聚元新能源科技有限公司_202510981689.9
    本发明属于锂离子电池技术领域，具体涉及一种极片制造方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)通过超声模切在极片上切出至少两条不连续的平行直线；(2)通过模具冲切在所述极片未被超声模切的区域冲切出极耳。本极片制造方法采用 “超声模切” 加 “模具...
    2025-12-12
  • 补锂负极片及其制备方法和电池
    补锂负极片及其制备方法和电池_天津力神聚元新能源科技有限公司_202510905191.4
    本发明属于电池领域，具体涉及一种补锂负极片及其制备方法和电池。补锂负极片包括负极集流体以及设置在所述的负极集流体两侧的负极活性物质层；所述的负极活性物质层包括两层补锂层以及设置在所述的补锂层之间的活性物质层；所述的补锂层包括碳气凝胶及分散在...
    2025-12-12
  • 正极极片、二次电池和电子装置
    正极极片、二次电池和电子装置_厦门新能安科技有限公司_202511072701.0
    本申请提供了一种正极极片、二次电池和电子装置，正极极片包括正极集流体以及设置于正极集流体至少一个表面上的正极活性材料层，沿正极极片的宽度方向，正极集流体具有第一边缘，在正极活性材料层与第一边缘之间的正极集流体表面设置有边缘涂层，边缘涂层包括...
    2025-12-12
  • 正极极片、二次电池和电子装置
    正极极片、二次电池和电子装置_厦门新能安科技有限公司_202511069421.4
    本申请提供了一种正极极片、二次电池和电子装置，正极极片包括正极集流体以及设置于正极集流体至少一个表面上的正极活性材料层，沿正极极片的宽度方向，正极集流体具有第一边缘，在正极活性材料层与第一边缘之间的正极集流体表面设置有第一边缘涂层，第一边缘...
    2025-12-12
  • 二次电池和电子装置
    二次电池和电子装置_厦门新能安科技有限公司_202511065977.6
    本申请提供了一种二次电池和电子装置，二次电池包括极片，极片包括集流体和设置于集流体至少一个表面上的材料层，材料层包括第一材料层和第二材料层，沿极片的厚度方向，第一材料层位于第二材料层与集流体之间。集流体为多孔结构，单个孔的孔径为Dμm，0....
    2025-12-12
  • 一种双层涂层的电极极片及其应用
    一种双层涂层的电极极片及其应用_合肥国轩高科动力能源有限公司_202511054640.5
    本发明属于全固态电池技术领域，具体涉及一种双层涂层的电极极片及其应用，电极极片包括依次层叠设置的集流体、第一电极涂层以及第二电极涂层；所述集流体表面粗糙处理；所述第一电极涂层和所述第二电极涂层分别独立地包括活性材料、硫化物电解质、导电剂、粘...
    2025-12-12
  • 一种正极极片及电池
    一种正极极片及电池_深圳市豪鹏科技股份有限公司_202510911086.1
    为解决现有正极极片结构设计不合理导致电池阻抗增加、电性能降低的问题，本发明提供了一种正极极片及电池，正极极片包括集流体、保护涂层和正极活性物质层，保护涂层设置在集流体的至少一侧，正极活性物质层设置在保护涂层背离集流体的一侧；保护涂层包括第一...
    2025-12-12
  • 二次电池及用电装置
    二次电池及用电装置_宁德时代新能源科技股份有限公司_202410606292.7
    本申请涉及锂电池技术领域，尤其涉及二次电池及用电装置，二次电池的正极极片包括第一膜层和第二膜层，所述第一膜层靠近所述集流体的表面，第二膜层至少部分区域位于所述第一膜层背离所述集流体的表面，第一膜层覆盖集流体靠近极耳的部分区域，第一膜层包括多...
    2025-12-12
  • 一种聚苯胺包覆钒基普鲁士蓝类似物电极材料及其在铵离子电池中的应用
    一种聚苯胺包覆钒基普鲁士蓝类似物电极材料及其在铵离子电池中的应用_辽宁大学_202511159170.9
    本发明涉及一种聚苯胺包覆钒基普鲁士蓝类似物电极材料及其在铵离子电池中的应用，属于新能源技术领域。制备方法包括：在剧烈搅拌下，将V2O5加入乙醇和去离子水的混合溶液中，转移至高压釜中密封水热处理，得V6O13；向V6O13中加入去离子水和稀盐...
    2025-12-12
  • 一种碳基/CMCS双界面层修饰的锌金属负极及其制备方法和应用
    一种碳基/CMCS双界面层修饰的锌金属负极及其制备方法和应用_中原工学院_202511142203.9
    本发明属于水系锌离子电池负极改性技术领域，公开了一种碳基/CMCS双界面层修饰的锌金属负极及其制备方法和应用，用以解决水系锌电极存在的锌与水系电解液界面副反应及锌枝晶的难题。锌负极的制备如下：静电纺丝得到PAN/PVDF混合膜经预氧化、碳化...
    2025-12-12
  • 一种水系锌离子电池锌负极及其制备方法和应用
    一种水系锌离子电池锌负极及其制备方法和应用_扬州大学_202511125267.8
    本发明涉及水系锌离子电池的技术领域，特别是涉及一种水系锌离子电池锌负极及其制备方法和应用，包括：制备包括InMOF纳米颗粒、溶剂和黏合剂的涂层浆料；加热锌负极极片至140~160℃；将涂层浆料喷雾至锌负极极片表面，然后干燥，涂层浆料热解得到...
    2025-12-12
  • 极耳抚平装置和极片卷绕设备
    极耳抚平装置和极片卷绕设备_欣旺达动力科技股份有限公司_202510944730.5
    本申请公开了一种极耳抚平装置和极片卷绕设备，极耳抚平装置应用于极片卷绕设备，极片卷绕设备中设有用于绕设极片的过辊组件，包括：驱动机构、第一抚平组件、第二抚平组件和支撑组件；支撑组件适于套设于过辊组件，第一抚平组件和第二抚平组件分设于支撑组件...
    2025-12-12
  • 一种单晶富锂锰基正极材料及其制备方法
    一种单晶富锂锰基正极材料及其制备方法_宁夏汉尧富锂科技有限责任公司_202510816485.X
    本发明属于二次电池正极材料技术领域。更具体地，涉及一种单晶富锂锰基正极材料及其制备方法。本发明具体制备步骤包括：按照前驱体：LiOH·2H2O：H3BO3的摩尔比为1 : 1.05 : 0.02，混合后，湿法球磨，得球磨料；将球磨料于温度为...
    2025-12-12
  • 一种基于有机材料的水系锌电池正极及其制备方法
    一种基于有机材料的水系锌电池正极及其制备方法_中国矿业大学_202511059094.4
    本发明公开了一种基于有机材料的水系锌电池正极及其制备方法，属于水系锌电池技术领域，用以解决现有技术中水系锌电池正极活性物质易溶解导致稳定性较差的问题。本发明的正极所采用的正极浆料的组成按质量百分比包括梯形导电聚合物50～80和聚四氟乙烯水分...
    2025-12-12
  • 显示面板及显示装置
    显示面板及显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202410599255.8
    本申请公开了一种显示面板及显示装置。所述显示面板包括：基板，多条第一复位信号线，多条第二复位信号线以及多条复位信号连接线的显示面板。其中，基板包括显示区以及围绕显示区的边框区，多条第一复位信号线以及多条第二复位信号线位于显示区，多条复位信号...
    2025-12-12
  • 封装结构及其形成方法
    封装结构及其形成方法_江苏长电科技股份有限公司_202511457058.3
    一种封装结构及其形成方法，结构包括：玻璃基板；缓冲粘结层，环绕覆盖玻璃基板的侧壁；重布线层，位于玻璃基板的正面和背面，重布线层与玻璃基板电连接；芯片，设置于玻璃基板正面的重布线层上，芯片与重布线层电连接。通过设置环绕覆盖玻璃基板的侧壁的缓冲...
    2025-12-12
  • 半导体装置和功率转换装置
    半导体装置和功率转换装置_三菱电机株式会社_202510538541.8
    本发明提供半导体装置，能防止在密封半导体元件的密封材料外产生的辐射噪声影响到控制基板。半导体装置包括：半导体元件；控制端子；分别连接到半导体元件的第1和第2主电极的第1和第2主端子；密封半导体元件、控制端子的一部分以及第1和第2主端子的一部...
    2025-12-12
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