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最新专利技术
  • 一种降低单晶硅片低温氧化背封膜金属的加工方法
    一种降低单晶硅片低温氧化背封膜金属的加工方法_海纳半导体(金华)有限公司_202510980232.6
    本发明涉及半导体单晶硅片衬底制造技术领域，具体为一种降低单晶硅片低温氧化背封膜金属的加工方法，具体操作步骤如下：S1：硅片预清洗；S2：低压气相沉积生长第一层SiO2膜；S3：第一膜层清洗；S4：低压气相沉积生长第二层S iO2膜；S5：第...
    2025-11-28
  • 一种碳化硅沟槽外延制备方法
    一种碳化硅沟槽外延制备方法_芯三代半导体科技(苏州)股份有限公司_202510882763.1
    本申请公开一种碳化硅沟槽外延制备方法，包括在衬底的表面制备外延层，在所述外延层上制备预设图案的沟槽；将形成有沟槽的碳化硅衬底放入垂直热壁型CVD外延设备，所述CVD外延设备的压强介于300‑400mbar，在形成有沟槽的碳化硅衬底的表面在第...
    2025-11-28
  • 金属异质材料、芯片及在药物质谱解析中的应用
    金属异质材料、芯片及在药物质谱解析中的应用_上海交通大学四川研究院_202511060194.9
    本发明涉及质谱检测技术领域，具体涉及金属异质材料、芯片及在在药物质谱解析中的应用。该金属异质材料通过晶格匹配设计实现TiO2与金的紧密结合，构建等离子体共振增强的异质界面。该芯片包括形成于所述基底上的二氧化钛纳米柱阵列，沉积在所述半导体层表...
    2025-11-28
  • 可同时装载多种离子源的多接口TOF质量分析器
    可同时装载多种离子源的多接口TOF质量分析器_广东省麦思科学仪器创新研究院_202511155010.7
    本发明提供了可同时装载多种离子源的多接口TOF质量分析器，该分析器由多个质量分析单元组成，呈中心对称布置并组合形成柱状结构，每个质量分析单元依次包括引入区、加速区、无场飞行区和反射区，柱状结构轴心位置设有微通道板(MCP)检测器。引入区内的...
    2025-11-28
  • 一种空气动力学透镜自动校准系统及其校准方法
    一种空气动力学透镜自动校准系统及其校准方法_广东省麦思科学仪器创新研究院_202511177290.1
    本发明公开了一种空气动力学透镜自动校准系统，本发明通过探棒扫描与信号拟合，获取束斑二维/三维空间分布，实现对粒子束状态的直观量化监测，便于判断对准质量或束形异常；系统可自主识别束心偏移与角度误差，驱动透镜平台进行亚毫米级微调，实现无需人工干...
    2025-11-28
  • 一种四极杆质谱仪的自动调谐校准方法
    一种四极杆质谱仪的自动调谐校准方法_安徽皖仪科技股份有限公司_202510902061.5
    本发明公开了一种四极杆质谱仪的自动调谐校准方法，其步骤为向四极杆质谱仪内通入校准标样；四极杆质谱仪的控制系统采集校准标样的离子质谱峰图，并依据质谱峰图获取、记录离子质荷比、峰高、半高峰宽的实际参数；优化校准标样的离子透镜电压；输出调谐校准报...
    2025-11-28
  • 一种低复合率气体解离腔体结构
    一种低复合率气体解离腔体结构_江苏神州半导体科技有限公司_202511516271.7
    本发明属于远程等离子体源技术领域，提供了一种低复合率气体解离腔体结构，包括进气口、进气端长腔体、短腔体、出气端长腔体、出气口、点火线、真空泵和出气口气体压力仪，进气端长腔体的上端和进气口连接，进气端长腔体接地；短腔体的上端和进气端长腔体的下...
    2025-11-28
  • 一种用于二维材料的高精度干法刻蚀设备及其蚀刻方法
    一种用于二维材料的高精度干法刻蚀设备及其蚀刻方法_北京科技大学_202511139481.9
    本发明公开一种用于二维材料的高精度干法刻蚀设备及其蚀刻方法，涉及微纳加工设备与二维材料工艺技术交叉技术领域，其中设备包括密封腔室、衬底固定模块、等离子体生成模块、低能离子束控制模块、实时原位监测模块、气体供应与尾气处理系统以及控制系统；本发...
    2025-11-28
  • 基板处理设备
    基板处理设备_ASMIP私人控股有限公司_202511014108.0
    一种能够最小化下部空间中的填充气体对基板处理的影响的基板处理设备包括：基板支撑单元；围绕基板支撑单元的至少一个环；基板支撑单元上的处理单元；以及排放单元，其连接到基板支撑单元和处理单元之间的反应空间，其中反应空间中的第一气体通过第一通道传输...
    2025-11-28
  • 离子注入机大束流均匀性的动态调节方法
    离子注入机大束流均匀性的动态调节方法_无锡诚承电子科技有限公司_202511107649.8
    本发明涉及离子注入技术领域，公开了离子注入机大束流均匀性的动态调节方法。该方法实时采集束流传输路径中的束斑分布数据序列，结合注入工艺参数集合进行均匀性漂移预测，生成束流均匀性预测参数。利用束斑成像装置捕获当前束斑形态图像，将其与预测参数并行...
    2025-11-28
  • 工作台装置、具备该工作台装置的带电粒子束装置
    工作台装置、具备该工作台装置的带电粒子束装置_株式会社日立高新技术_202510602320.2
    本发明提供一种工作台装置、具备该工作台装置的带电粒子束装置，即使是在固定侧的工作台配置珀尔帖模块的方式，也能防止工作台的热变形，提高工作台定位的位置精度。工作台装置具备：直线移动的第一工作台；第一翅片，其在第一工作台的直线移动的方向上延伸，...
    2025-11-28
  • 工作台装置、带电粒子束装置以及真空装置
    工作台装置、带电粒子束装置以及真空装置_株式会社日立高新技术_202510289799.9
    本发明提供一种工作台装置、带电粒子束装置以及真空装置，抑制Z马达的温度变动而能够进行高精度的定位且漏磁场小。其构成为：利用可动磁轭(403)将多个磁铁(502)的底面结合而形成磁路，将多个线圈(501)与可动磁轭(403)分开(分离)而固定...
    2025-11-28
  • 一种提高离子源电离效率的方法及系统
    一种提高离子源电离效率的方法及系统_中国原子能科学研究院_202511037568.5
    本发明涉及一种提高离子源电离效率的方法及系统，向离子源的进气口同时通入预设比例的辅助气体和被辅助气体进行电离反应，被辅助气体为待电离气体；使电离反应产生的离子束通过预设大小的偏转磁场以分离出目标离子。通过采用辅助气体与被辅助气体的协同作用机...
    2025-11-28
  • 一种用于高能离子注入机的离子源
    一种用于高能离子注入机的离子源_中国原子能科学研究院_202511037365.6
    本发明涉及一种用于高能离子注入机的离子源，包括进气口、阴极、放电室和引出系统，阴极安装于放电室中，放电室一端与进气口相连，另一端连接引出系统，进气口、阴极、放电室的中心轴以及引出系统的中心轴均处于同一条直线上，进气口用于通入气体，阴极在放电...
    2025-11-28
  • 清洁系统和冷场发射设备
    清洁系统和冷场发射设备_华为技术有限公司_202410628674.X
    本申请提供了一种清洁系统，应用于冷场发射设备，所述冷场发射设备包括真空腔和冷场发射电子源，所述冷场发射电子源的灯丝位于所述真空腔内，所述清洁系统包括：烘烤单元，设置在所述真空腔内，用于对所述灯丝进行加热，以去除所述灯丝表面的杂质；冷却单元，...
    2025-11-28
  • 一种X射线管
    一种X射线管_苏州益腾电子科技有限公司_202511508989.1
    本发明属于X射线技术领域，特别涉及了一种X射线管，其包括管芯壳、阳极组件、阳极轴承、阴极组件、阴极轴承以及阴极密封组件；阳极组件的一端通过阳极轴承套设于阳极支撑结构，另一端能够与管芯壳的一端密封固接，阴极密封组件能够与阴极组件、管芯壳以及阳...
    2025-11-28
  • 一种具有梯形顶的梯形波导慢波结构
    一种具有梯形顶的梯形波导慢波结构_电子科技大学_202511206426.7
    本发明公开了一种具有梯形顶的梯形波导慢波结构，涉及真空电子技术领域，解决了现有的慢波结构太赫兹波频段耦合阻抗偏低的问题，其技术方案要点是：包括分置于上下两侧的上栅部和下栅部，所述上栅部和下栅部均设置有沿电子注传输方向周期性等间距起伏的起伏部...
    2025-11-28
  • 一种慢波结构以及太赫兹行波管倍频放大器
    一种慢波结构以及太赫兹行波管倍频放大器_中国工程物理研究院应用电子学研究所_202511049946.1
    本发明提供了一种慢波结构以及太赫兹行波管倍频放大器。本发明通过采用分段设计的慢波结构，结合基频信号和谐波信号的独立调制与放大，有效解决了传统行波管中电子束能量分配不均的问题。第一子慢波结构对基频信号进行浅调制，避免了过度消耗电子束能量，同时...
    2025-11-28
  • 自动烘余碱结合光电流监控制备透射式多碱光电阴极的方法
    自动烘余碱结合光电流监控制备透射式多碱光电阴极的方法_南京三乐集团有限公司_202511053447.X
    本发明公开了一种自动烘余碱结合光电流监控制备透射式多碱光电阴极的方法。该方法通过光电流反馈闭环控制，首次将光电流实时监测与烘余碱工艺联动，实现激活状态的动态优化；采用分阶段自适应烘烤，基于光电流变化特征自动切换烘烤阶段，避免过烘烤或欠烘烤；...
    2025-11-28
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司_202410623877.X
    本发明提供了一种半导体器件及其制备方法，包括：提供硅衬底，刻蚀硅衬底形成若干凹槽，相邻两个凹槽之间的硅衬底作为阴极；形成应力层填充凹槽以对阴极施加应力，硅衬底的导电类型为N型时，应力层对阴极施加压应力，硅衬底的导电类型为P型时，应力层对阴极...
    2025-11-28
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