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最新专利技术
  • 智能化晶圆工艺监控与晶圆盒子防护方法
    智能化晶圆工艺监控与晶圆盒子防护方法_新上联半导体设备(上海)有限公司_202511098324.8
    本申请提供一种智能化晶圆工艺监控与晶圆盒子防护方法，包括：利用多个硬件传感器协同判断晶圆盒子是否正确放置于装载端口，通过软件逻辑监控晶圆盒子状态，确保晶圆盒子放置到位；通过软件实时监控晶圆的工艺制程状态，记录每片晶圆的历史数据并存储于数据库...
    2025-11-27
  • 基于临时键合实现的高精度晶圆制造方法
    基于临时键合实现的高精度晶圆制造方法_北京芯力技术创新中心有限公司_202511060691.9
    本发明提供一种基于临时键合实现的高精度晶圆制造方法，包括：采用临时键合工艺对器件晶圆和载体晶圆进行临时键合，形成临时键合堆叠晶圆，其中，临时键合包括：在器件晶圆和载体晶圆上分别涂覆临时键合胶，将所述临时键合胶热固化，所述器件晶圆的厚度小于1...
    2025-11-27
  • 激光烧结装置、方法及电子设备
    激光烧结装置、方法及电子设备_深圳市联得自动化装备股份有限公司_202510981543.4
    本发明涉及一种激光烧结装置、方法及电子设备。激光烧结装置包括基板平台，数据处理模块，执行模块以及光学模块；基板平台用于承载具有目标线路的待烧结元件；数据处理模块设置于基板平台的正上方，用于获取目标线路的位置和形状数据，确定激光出光路径及目标...
    2025-11-27
  • 一种加快基板表面液膜流平速度的装置和方法
    一种加快基板表面液膜流平速度的装置和方法_华中科技大学_202510958470.7
    本发明公开了一种加快基板表面液膜流平速度的装置和方法，属于半导体制造技术领域，所述装置采用气浮平台正负压联合的方式支撑基板，将气浮平台的平台本体划分成多个独立控制的通气区域，通过控制电磁阀的开闭及正负气路的压力调节分别经各个通气区域向所述基...
    2025-11-27
  • 基板处理装置
    基板处理装置_圆益IPS股份有限公司_202510650190.X
    本发明涉及可排放液化的液体的基板处理装置，包括：反应管部，在内部形成处理多个基板的反应空间并且开放下部；载舟部，形成在所述反应管部内部，并且以垂直方向层叠放置所述多个基板；载舟支撑部，支撑所述载舟部，并且升降所述载舟部，以使所述载舟部位于所...
    2025-11-27
  • 基座、热处理装置及基座的制造方法
    基座、热处理装置及基座的制造方法_株式会社斯库林集团_202510593124.3
    本发明提供一种能够提高衬底的面内温度分布的均匀性的技术。本发明涉及一种基座、热处理装置及基座的制造方法。在由卤素灯从下方对保持于基座上的半导体晶圆进行光照射而将其预加热之后，由闪光灯从上方对所述半导体晶圆照射闪光。在基座的保持板(75)的与...
    2025-11-27
  • 激光晶化装置及使用其的激光晶化方法
    激光晶化装置及使用其的激光晶化方法_三星显示有限公司_202510588006.3
    提供了一种激光晶化装置和激光晶化方法。所述激光晶化装置包括：激光束生成器，将第一激光束提供到其中设置有待处理层的待处理对象上；再反射器，位于从待处理层反射的第二激光束的路径中，其中，再反射器将第二激光束的路径改变为朝向待处理对象的方向；以及...
    2025-11-27
  • 基板保持装置和接合系统
    基板保持装置和接合系统_东京毅力科创株式会社_202510582228.4
    本发明提供一种基板保持装置和接合系统。本发明提供一种能够稳定地保持产生了翘曲的基板的技术。本公开的一技术方案的基板保持装置具备主体部、流路以及抽吸孔。主体部具有与圆板状的基板相对的圆状的吸附面。流路形成在从吸附面的中心区域延伸至吸附面的周缘...
    2025-11-27
  • 基板接合装置
    基板接合装置_三星电子株式会社_202510195326.2
    本公开的基板接合装置包括：第一卡盘，具有比第一基板的直径大的直径；变形板，被配置为支撑第一基板，并且被配置为在第一卡盘上具有可变形状；以及变形单元，在第一卡盘和变形板之间，其中，变形单元包括主支撑件，主支撑件可变形以挤压变形板，主支撑件具有...
    2025-11-27
  • 衬底接合装置
    衬底接合装置_三星电子株式会社_202510154990.2
    公开了一种衬底接合装置，包括：可变形板，被配置为支撑其上的第一衬底，并且至少部分地可变形；第一卡盘，在可变形板的一个表面上，使得在可变形板与第一卡盘之间限定第一空间，其中，第一卡盘的直径大于第一衬底的直径；以及流体控制单元，被配置为控制流体...
    2025-11-27
  • 晶圆搬运方法、晶圆搬运区域控制方法与晶圆搬运系统
    晶圆搬运方法、晶圆搬运区域控制方法与晶圆搬运系统_力晶积成电子制造股份有限公司_202410789270.9
    一种晶圆搬运方法、晶圆搬运区域控制方法与晶圆搬运系统。制造执行系统对物料管控系统下达搬运任务。物料管控系统通过多个通信装置对自动化搬运系统中多个搬运装置分别下达搬运命令。搬运装置将搬运命令的执行结果通过通信装置回传至物料管控系统。物料管控系...
    2025-11-27
  • 半导体激光退火装置及加热部件设计方法
    半导体激光退火装置及加热部件设计方法_深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司_202410622909.4
    本公开涉及一种半导体激光退火装置及加热部件设计方法，其中，半导体激光退火装置用于对半导体(101)进行退火处理，所述半导体(101)沿预设路径移动以在其表面形成扫描路径，所述半导体激光退火装置包括：加热部件(1)，被配置为对所述半导体(10...
    2025-11-27
  • 一种晶圆装载设备的氮气传输控制系统
    一种晶圆装载设备的氮气传输控制系统_沈阳新松半导体设备有限公司_202410621588.6
    本发明属于半导体晶圆装载技术领域，具体地说是一种晶圆装载设备的氮气传输控制系统，包括氮气输入组件安装基板、氮气输入组件、若干个喷气喷嘴、若干个排气喷嘴、若干个排气管接头。各喷气喷嘴及各排气喷嘴分别设置于晶圆装载设备的Foup装载水平台处。氮...
    2025-11-27
  • 测试片、测试片的制备方法以及炉管退火工艺的监控方法
    测试片、测试片的制备方法以及炉管退火工艺的监控方法_上海光通信有限公司_202410594774.5
    一种测试片、测试片的制备方法以及炉管退火工艺的监控方法，其中，所述炉管退火工艺的监控方法包括：使用所述炉管对测试片进行第一退火工艺，得到处理后测试片，其中，所述测试片包括基板、形成于所述基板表面的第一保护层以及反应层，所述反应层形成于所述第...
    2025-11-27
  • 用于晶圆的抽样检测方法、装置及应用
    用于晶圆的抽样检测方法、装置及应用_有为图像技术(苏州)有限公司_202511496261.1
    本发明公开了一种用于晶圆的抽样检测方法、装置及应用，抽样检测方法包括：获取晶圆的历史缺陷数据，所述历史缺陷数据包括缺陷坐标和所述缺陷坐标对应的缺陷等级因子；基于所述缺陷坐标和所述缺陷坐标对应的缺陷等级因子，获取当前晶圆上每个坐标的缺陷动态权...
    2025-11-27
  • 晶圆装载纠偏方法以及装置
    晶圆装载纠偏方法以及装置_芯钛科半导体设备(上海)有限公司_202511494095.1
    本发明公开了一种晶圆装载纠偏方法以及装置，属于晶圆传输领域，应用在simf、efem、sort晶圆传输设备上，该方法先通过多源传感组件实时采集晶圆装载槽的水平仪姿态数据与凸片信号，经晶道三维位姿感知算法判定晶圆安装是否异常；若异常，利用多源...
    2025-11-27
  • 一种单晶碳化硅激光改质剥离的工艺参数调控方法及系统
    一种单晶碳化硅激光改质剥离的工艺参数调控方法及系统_西安理工大学_202511138732.1
    本发明属于单晶SiC的激光改质剥离技术，涉及一种单晶碳化硅激光改质剥离的工艺参数调控方法及系统。方法包括以下步骤：设置激光改质的工艺参数，对单晶碳化硅进行激光改质；同时利用扫频光学相干断层扫描法实时监测激光改质区域的裂纹形核三维形貌；基于裂...
    2025-11-27
  • 一种晶圆异常监测方法、系统、存储介质及电子设备
    一种晶圆异常监测方法、系统、存储介质及电子设备_江西兆驰半导体有限公司_202511116789.1
    本发明提供一种晶圆异常监测方法、系统、存储介质及电子设备，方法包括对晶圆进行分选确定对应的方片，并对方片进行倒膜，并获取倒膜后的第一方片图像、方片等级和机台节点参数；对倒膜后的方片进行计数，并确定计数后的第二方片图像和计数节点参数；根据方片...
    2025-11-27
  • 测试结构、其制造方法以及测试方法
    测试结构、其制造方法以及测试方法_芯联先锋集成电路制造(绍兴)有限公司_202511110537.8
    本发明提供了一种测试结构、其制造方法以及测试方法，所述测试结构包括：N型衬底以及位于所述N型衬底上的半导体结构，所述测试结构具有开口，所述开口暴露出所述N型衬底。通过开口暴露出N型衬底，从而探针可以方便、快捷地连接N型衬底以进行供电，避免了...
    2025-11-27
  • 一种晶圆污染元素的检测方法
    一种晶圆污染元素的检测方法_北京集成电路装备创新中心有限公司_202511062522.9
    本发明提供一种晶圆污染元素的检测方法，涉及半导体技术领域。该晶圆污染元素的检测方法包括目标晶圆内部污染元素的检测：氧化步：将目标晶圆预设厚度的表层氧化为氧化层；释放步：采用气溶胶状态的溶解物质溶解氧化层形成待测液；检测步：将目标晶圆划分为多...
    2025-11-27
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