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  • 一种半导体装置及其制造方法。提供可实现能够在绝缘层中形成微细的导通孔、以及确保绝缘层与布线在高温回流焊工序后的密合性、抑制绝缘不良的半导体装置。一种半导体装置(1),其具备多个半导体芯片(2)、密封材料(3)和再布线层(4),所述密封材料(...
  • 本申请涉及一种半导体结构和半导体器件及其形成方法,半导体结构,包括:衬底;第一沟槽组,位于衬底内;第一沟槽组包括第一沟槽;连通沟槽部,连通相邻的第一沟槽。半导体器件,包括:第一沟槽组,位于衬底内;第一沟槽组包括第一沟槽;连通沟槽部,连通相邻...
  • 本发明提供一种封装结构及其制作方法,该制作方法包括以下步骤:提供多个基础层,基础层包括电性连接层及位于其下方的支撑层,多个基础层中包括第一基础层及第二基础层;将第二基础层设有电性连接层的一面与第一基础层设有电性连接层的一面相向设置;连接第二...
  • 本发明公开一种扇出型晶圆级封装单元,该扇出型晶圆级封装单元包含载板、至少两个裸晶、第一介电层、第二介电层、多条导接线路、至少两个第一焊垫、至少一第一焊线及外护层;其中各裸晶是通过各第一焊线彼此电性连接;其中各导接线路是由填注设于该第一介电层...
  • 本发明公开一种扇出型晶圆级封装单元打线接合在电子元件上的模块,包括扇出型晶圆级封装单元、电子元件、至少一第一焊线及至少两个第二焊线,该扇出型晶圆级封装单元包括载板、至少两个裸晶、第一介电层、第二介电层、多条导接线路、外护层及多个焊垫;其中各...
  • 本申请公开一种感测器封装结构及其感测模块。感测模块包含一感测芯片、一透光层及夹持于所述感测芯片与所述透光层之间的一环形支撑层。所述环形支撑层包含有相连成环状的多个边条段及多个圆角段。所述透光层的内表面包含有多个直线状边缘及多个圆弧状角落。多...
  • 本发明涉及外延技术领域,提供了一种具有热循环应力加载层的外延衬底及外延片,包括:原始衬底以及设置在原始衬底背面的热循环应力加载层;原始衬底的正面设置为生长面,原始衬底的背面设置为非生长面;热循环应力加载层用于在热循环过程结束后并恢复至同一温...
  • 半导体模块具备导电基板、半导体元件、控制端子以及封固树脂。上述导电基板具有在厚度方向上相互隔开间隔的主面以及背面。上述半导体元件与上述主面电接合,且具有开关功能。上述控制端子为控制上述半导体元件的结构。上述封固树脂具有树脂主面以及树脂背面,...
  • 本发明公开了一种封装结构及其制备方法,封装结构包括:第一子板;感光介质层,感光介质层覆盖部分第一子板;感光介质层包括第一凹槽,第一凹槽贯穿感光介质层,感光介质层远离第一子板的表面齐平,第一凹槽暴露的部分第一表面齐平;第一介质层至少覆盖部分第...
  • 本发明公开了一种适用于低维材料转移的柔性定位转移棒及转移方法,转移棒内部嵌入加热电阻,转移棒前端用于拾取目标样品材料的端面为突触阵列微结构;其中,加热电阻用于通电加热突触阵列微结构,对目标样品材料处的溶液进行加热蒸发;滴覆二维材料目标样品悬...
  • 本发明提出了一种晶圆划片裂片方法及设备,属于晶圆划片设备技术领域;包括在晶圆本体包括若干阵列设置的芯片和若干切割道,若干切割道位于相邻的所述芯片之间;在晶圆本体的正面贴附研磨贴片,在晶圆本体的背面加工形成若干第一切槽,第一切槽朝着晶圆本体的...
  • 本申请提供一种半导体器件的制备方法及半导体器件。该方法包括:提供半导体初始结构;于半导体初始结构内形成沟槽,其中,沟槽贯穿外延层;于沟槽底部的第一绝缘层内形成第一通孔,其中,第一通孔与沟槽相连通,第一通孔贯穿至第一金属层;于沟槽、第一通孔和...
  • 本申请提供一种硅通孔互连结构及其形成方法,所述硅通孔互连结构包括:器件晶圆,所述器件晶圆的第一面形成有金属间介质层、第一互连金属层以及第一刻蚀停止层,所述第一刻蚀停止层包围所述第一互连金属层的侧壁和底部并形成在所述金属间介质层中;承载晶圆,...
  • 一种半导体结构及其形成方法、以及封装结构,半导体结构包括:基底结构;通孔结构,分立设置于基底结构的顶部上;种子层,仅位于各个通孔结构的底部和基底结构之间;第一介质层,位于基底结构的顶部,第一介质层覆盖通孔结构的侧壁和种子层的侧壁,且第一介质...
  • 一种半导体结构及其形成方法,包括:提供基底;所述基底包括用于形成半导体鳍第一区域,以及位于第一区域之间第二区域;形成位于第一区域基底上多个半导体鳍;形成覆盖多个半导体鳍的隔离层,隔离层在第二区域围成位于半导体鳍之间的隔离沟槽;在隔离沟槽内填...
  • 本公开涉及一种半导体装置及其形成方法。一方面是在基底上方形成具有交替的第一和第二半导体层的半导体堆叠;图案化半导体堆叠和基底以形成具有半导体堆叠部分于基座部分上方的半导体鳍部;在半导体鳍部上方沉积隔离层;凹陷隔离层以形成围绕半导体鳍部的基座...
  • 本发明公开一种包含有硅覆绝缘层基底的半导体结构以及其制作方法,其中包含有硅覆绝缘层基底的半导体结构包含一材料层,其上定义有一中间区域以及两边缘区域,其中中间区域位于两边缘区域之间,一氧化层以及一硅层由下而上堆叠于材料层上,其中硅层在中间区域...
  • 本发明公开了一种深槽的刻蚀方法,所述方法包括:提供衬底;在所述衬底上形成预设沟槽;在所述预设沟槽中形成预设填充层;对所述预设填充层进行平坦化处理,以使所述预设填充层与所述衬底齐平,并在所述衬底上形成外延层;刻蚀去除所述预设填充层,并在所述外...
  • 本发明提供了一种晶圆载片台,包括腔体、m个承片盘、支撑机构和m‑1个限位件,m个承片盘自下而上依次固定设置于腔体的内壁,且承片盘上开设有机械手取片口,支撑机构包括m‑1个悬浮件、底浮力件和升降件,悬浮件与自下而上的第二个承片盘至第m个承片盘...
  • 本发明公开了一种多块筒状半导体晶圆片的粘合设备,涉及晶圆粘合加工技术领域,包括粘合设备,包括放置板、升降电机和晶圆片本体,还包括固定装置和清理装置;其中,固定装置包括压板和固定组件,所述压板固定安装在升降电机的输出端,所述固定组件包括固定框...
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