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最新专利技术
  • 冷却总成和半导体总成及用以生产冷却总成和半导体总成的方法
    冷却总成和半导体总成及用以生产冷却总成和半导体总成的方法_科林堤斯公司_202480020583.6
    依据本发明，提供一种用于作为半导体总成中的散热器使用的冷却总成，该等冷却总成包含一歧管及附接在该歧管上的一或多个子冷板。另提供一种包含该等冷却总成中的任一冷却总成的半导体总成，其中该等子冷板热接触产生超过一预定临界热通量的一热通量的组件且该...
    2025-11-27
  • 冷却指状件作为LED驱动器的可持续并且可靠的解决方案
    冷却指状件作为LED驱动器的可持续并且可靠的解决方案_昕诺飞控股有限公司_202480018910.4
    本发明提供了一种电子装置，该电子装置包括电气装置和导热元件；其中：电气装置包括支撑件和由支撑件支撑的多个电气部件，其中多个电气部件中的每个电气部件具有限定相对于支撑件的部件高度的电气部件顶部；以及导热元件包括第一部分和多个延伸部，延伸部从第...
    2025-11-27
  • 散热部件、散热部件的制造方法和真空阀
    散热部件、散热部件的制造方法和真空阀_三菱电机株式会社_202480022219.3
    散热部件(100)具有以铜为主要成分的基体材料(2)以及覆盖基体材料(2)的表面的涂层(3)，涂层(3)具有以离子化倾向比铜大的金属元素的氧化物为主要成分的陶瓷层(3S)，在基体材料(2)与涂层(3)的界面具有金属元素扩散到铜的扩散层(4)...
    2025-11-27
  • 聚合物渗透石墨烯增强热界面垫及其制造方法
    聚合物渗透石墨烯增强热界面垫及其制造方法_斯马特高科技有限公司_202480018497.1
    制造热界面膜的方法，所述方法包括：提供基于石墨烯的膜(101)的堆叠体(100)(200)；在第一模具(102, 402)和第二模具(104, 404)之间压制所述基于石墨烯的膜的堆叠体(202)，形成经压缩的膜(106)，其中所述第一模具...
    2025-11-27
  • 导热片、散热装置以及导热片的制造方法
    导热片、散热装置以及导热片的制造方法_株式会社力森诺科_202380097461.2
    一种导热片，其具备：导热层，其含有选自由鳞片状粒子、椭圆体状粒子和棒状粒子组成的组中的至少1种石墨粒子(A)，在所述鳞片状粒子的情况下，所述鳞片状粒子的面方向沿导热层的厚度方向取向，在所述椭圆体状粒子的情况下，所述椭圆体状粒子的长轴方向沿导...
    2025-11-27
  • 半导体装置、半导体装置的制造方法以及车辆
    半导体装置、半导体装置的制造方法以及车辆_罗姆股份有限公司_202480027948.8
    本发明的半导体装置具备：散热部件；基材，其包括绝缘层，并且搭载于所述散热部件的第一方向的一侧；第一导电层，其以所述基材为基准而位于与所述散热部件相反的一侧，并且与所述基材接合；第一半导体元件，其与所述第一导电层接合；第一电力端子，其与所述第...
    2025-11-27
  • 半导体器件的制造方法、半导体器件及密封材料
    半导体器件的制造方法、半导体器件及密封材料_株式会社力森诺科_202380097557.9
    本发明公开一种在硅晶圆的薄化加工中抑制破裂的产生的方法。在该方法中，首先，在硅晶圆(20)中设有凸块(40)的面(20a)侧，通过压缩模塑将密封材料(50)成型至凸块(40)的上端部分(40a)露出的程度。作为密封材料(50)，例如优选使用...
    2025-11-27
  • 配线基板的制造方法、半导体装置的制造方法、配线基板及半导体装置
    配线基板的制造方法、半导体装置的制造方法、配线基板及半导体装置_株式会社力森诺科_202380097456.1
    配线基板的制造方法包括：在支撑基板上形成第1绝缘层的工序；在第1绝缘层上形成抗蚀剂层的工序；在抗蚀剂层上形成包括配线电极用的第1开口部及第2开口部和虚设电极用的第3开口部的多个开口部的工序；在第1开口部及第2开口部分别形成第1配线电极及第2...
    2025-11-27
  • 用于混合键合中的高强度电介质的方法与结构
    用于混合键合中的高强度电介质的方法与结构_应用材料公司_202480027579.2
    一种用于半导体装置的在该结构的顶表面上具有高介电常数介电膜的结构可以用于形成由具有减少的介电表面区域及减少的金属柱的节距的混合接合结构所组成的半导体装置。举例而言，介电膜的介电常数可以是约或大于7或8。可以将结构的介电膜与类似结构的介电膜混...
    2025-11-27
  • 形成用于互连结构的金属衬垫的方法
    形成用于互连结构的金属衬垫的方法_应用材料公司_202480023721.6
    形成元件的方法包含在基板上形成介电层，此介电层包含限定包括侧壁及底部的间隙的至少一个特征。此等方法包括在此间隙的此底部上选择性地沉积自组装单层(SAM)。此SAM具有通式I至XIX，其中R、R’、R1、R2、R3、R4，及R5是独立地选自氢...
    2025-11-27
  • 在衬底的介电表面上选择性沉积金属氧化物
    在衬底的介电表面上选择性沉积金属氧化物_朗姆研究公司_202480023573.8
    一种用于在衬底上选择性沉积金属氧化物的方法，衬底包括金属表面以及介电表面，所述方法包括：将所述衬底暴露于含硅抑制剂，以选择性地将所述含硅抑制剂吸附到所述衬底的所述金属表面上，所述含硅抑制剂包括一个或更多个有机配体。所述方法还包括：将含金属前...
    2025-11-27
  • 使用浸泡处理的低K及氮化钽阻挡复原
    使用浸泡处理的低K及氮化钽阻挡复原_应用材料公司_202480022878.7
    本文的实施方式描述了一种制造互连结构的方法。所述方法包括在含钨表面上沉积选择性钨层，所述含钨表面在特征内设置，其中所述特征包括包含介电材料的一或多个表面，并且所述沉积所述选择性钨层导致在所述介电材料上形成残留物。所述方法亦包括通过将所述残留...
    2025-11-27
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_株式会社电装_202480026120.0
    一种半导体装置及其制造方法。反向导通IGBT(1、2、3)的半导体基板(10)具有：第一导电型的第一导电型边界层(18)，设置于边界区域(106)，配置于漂移层(13)的下方，与下部电极(22)相接；以及第二导电型的第二导电型边界层(19)...
    2025-11-27
  • 具有电荷控制组件的静电夹
    具有电荷控制组件的静电夹_应用材料股份有限公司_202480026843.0
    一种静电夹系统可包括：导电基底；陶瓷本体，具有贴合至导电基底的内侧及面向基板的外侧，所述陶瓷本体包括电极组件；以及电荷控制组件，所述电荷控制组件对电性导电结构进行界定，所述电性导电结构与电极组件隔离且穿过导电基底延伸至陶瓷本体的外侧的上表面...
    2025-11-27
  • 用于处理腔室的改善基座
    用于处理腔室的改善基座_应用材料公司_202480023859.6
    提供一种基板支撑组件，所述基板支撑组件包括：基座组件，所述基座组件包括：内部部分，所述内部部分具有内部主体、经安置而围绕所述内部主体的外部轮缘，及多个凹陷部分，每个凹陷部分相对于所述内部主体的下表面凹陷；以及经定位而围绕所述内部部分的外部部...
    2025-11-27
  • 用于将基板夹持在单极静电吸盘上来沉积光刻胶膜的设备
    用于将基板夹持在单极静电吸盘上来沉积光刻胶膜的设备_应用材料公司_202480028136.5
    本文公开了用于将基板夹持在单极静电吸盘上来沉积光刻胶膜的设备。在一个示例中，一种升降杆组件包括：第一金属弹簧；第一金属，所述第一金属在所述第一金属弹簧上方并耦接到所述第一金属弹簧；第二金属弹簧，所述第二金属弹簧在所述第一金属上方并耦接到所述...
    2025-11-27
  • 蚀刻高深宽比结构的方法
    蚀刻高深宽比结构的方法_应用材料公司_202480027406.0
    本文公开了一种用于在半导体处理腔室中蚀刻高深宽比结构的方法和系统。在一个示例中，图案化基板的方法包括蚀刻基板以形成凹槽，在凹槽的侧壁上沉积钝化层，处理钝化层，以及蚀刻凹槽至第二深度。基板蚀刻形成凹槽至第一深度，基板具有安置在其上的掩模层。钝...
    2025-11-27
  • 静电基板支撑
    静电基板支撑_应用材料公司_202480025673.4
    静电夹盘(ESC)包括具有第一表面的陶瓷主体，其中在所述第一表面上界定的两个或多个区域在所述第一表面上相对于彼此同心地布置。每个区域包括在所述第一表面上布置并且界定所述区域的外边缘的保持环、及在所述第一表面上并且在所述区域内布置的结构，所述...
    2025-11-27
  • 供电部件及晶片载放台
    供电部件及晶片载放台_日本碍子株式会社_202380011724.3
    供电部件50用于对植入于陶瓷基材的电极进行供电。供电部件50具备：电极侧端子51，其由含高熔点金属材料形成，且接合于电极；中间部件52，其由含Cu材料形成，且没有借助焊料而与电极侧端子51直接接合；电缆支撑部件53，其由含Cu材料形成，且与...
    2025-11-27
  • 真空腔室、电子器件的制造装置以及电子器件的制造方法
    真空腔室、电子器件的制造装置以及电子器件的制造方法_佳能特机株式会社_202480022191.3
    提供一种能够降低成本的真空腔室、电子器件的制造装置以及电子器件的制造方法。其特征在于，具备：相机(301)，其拍摄形成于基板(S)的第一对准标记(S1)及第二对准标记(S2)；调整机构，其基于由相机(301)拍摄到的图像数据来调整基板(S)...
    2025-11-27
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