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最新专利技术
  • 一种带有SGT结构MOS器件的多晶硅栅刻蚀方法
    一种带有SGT结构MOS器件的多晶硅栅刻蚀方法_上海乐瓦微电子科技有限公司_202511554052.8
    本发明涉及半导体技术领域，公开了一种带有SGT结构MOS器件的多晶硅栅刻蚀方法，包括循环执行以下步骤：低温物理吸附步骤，通过将器件降温并引入物理钝化气体，在多晶硅栅及沟道结构的暴露表面形成一层物理吸附层；共振解离刻蚀步骤，在化学惰性前驱体气...
    2026-01-03
  • 一种无相对侧蚀的钛铝腐蚀方法及相关设备
    一种无相对侧蚀的钛铝腐蚀方法及相关设备_西安微电子技术研究所_202511200366.8
    本发明提供一种无相对侧蚀的钛铝腐蚀方法及相关设备，包括，在晶圆正面依次蒸发Ti金属层和Al金属层形成双层金属结构，得到晶圆a；对S1得到的晶圆a依次进行光刻、坚膜、打底膜、湿法腐蚀Al金属层以及清洗晶圆表面处理后，得到晶圆b；将S2得到的晶...
    2026-01-03
  • 一种基于超薄阻挡层的欧姆接触电极及其制备方法
    一种基于超薄阻挡层的欧姆接触电极及其制备方法_中国电子科技集团公司第五十五研究所_202510953110.8
    本申请涉及一种基于超薄阻挡层的欧姆接触电极及其制备方法。包括：依次由下而上的GaN异质结基底、Ta阻挡层、插入层、Ti金属层、Al金属层、Ni金属层和Au金属层；插入层的材料为化学元素周期表中第ⅣA族的金属或半导体材料。由此，一方面，Ta阻...
    2026-01-03
  • 半导体器件及其制备方法、电子设备
    半导体器件及其制备方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202410658486.1
    一种半导体器件及其制备方法、电子设备。所述半导体器件包括基底以及至少一个存储单元；所述至少一个存储单元包括至少一个晶体管；所述晶体管包括第一极、第二极、第一栅电极、第二栅电极以及沟道层；所述沟道层和所述第一栅电极沿垂直于所述基底所在平面的方...
    2026-01-03
  • 一种氧化镓晶体管器件及其制备方法
    一种氧化镓晶体管器件及其制备方法_无锡学院_202511089541.0
    一种氧化镓晶体管器件及其制备方法，涉及晶体管器件技术领域；氧化镓晶体管器件包括：高导热衬底、氧化镓薄膜层、非故意掺杂的氧化镓缓冲层、氧化镓沟道层、源极高掺杂区、漏极高掺杂区、栅介质层、源极电极、漏极电极和栅极电极；所述氧化镓薄膜层与所述高导...
    2026-01-03
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_北京知识产权运营管理有限公司_202410643043.5
    本申请提供一种半导体器件及其形成方法，所述半导体器件包括：半导体基底，所述半导体基底包括半导体衬底、位于所述半导体衬底表面且沿第一方向延伸的有源材料层、沿第二方向延伸的栅极结构，所述有源材料层的一部分垂直贯穿所述栅极结构，所述第二方向垂直所...
    2026-01-03
  • 一种半导体器件及电子设备
    一种半导体器件及电子设备_深圳平湖实验室_202511582270.2
    本公开提供一种半导体器件及电子设备，涉及半导体技术领域，用于提升半导体器件的导通性能，降低半导体器件的比导通电阻。半导体器件包括衬底，漂移层位于衬底一侧且设有P型沟道部；第一半导体结构包括沿第一方向延伸的N型沟道部和第一P型连接部，第一P型...
    2026-01-03
  • 一种二维JFET器件及其制作方法
    一种二维JFET器件及其制作方法_浙江大学杭州国际科创中心_202511575508.9
    本发明涉及一种二维JFET器件及其制作方法。所述二维JFET器件包括：绝缘衬底；少层二维铁电半导体薄膜，少层二维铁电半导体薄膜位于绝缘衬底表面；二维半金属薄膜，二维半金属薄膜位于少层二维铁电半导体薄膜表面的中间区域；金属电极，金属电极分为源...
    2026-01-03
  • 薄膜晶体管存储器、制备方法及电子设备
    薄膜晶体管存储器、制备方法及电子设备_深圳大学_202511553983.6
    本申请公开了一种薄膜晶体管存储器、制备方法及电子设备，属于存储器技术领域。所述薄膜晶体管存储器包括：衬底、绝缘层、电荷捕获层、隧穿层、有源层、源极和漏极，目标电极设置于所述隧穿层背离所述电荷捕获层的一面，所述目标电极与所述有源层电性隔离，所...
    2026-01-03
  • 包含氧化物半导电材料的晶体管及相关微电子装置、存储器装置、电子系统和方法
    包含氧化物半导电材料的晶体管及相关微电子装置、存储器装置、电子系统和方法_美光科技公司_202511190762.7
    本专利申请涉及包含氧化物半导电材料的晶体管，且涉及相关微电子装置、存储器装置、电子系统和方法。一种晶体管包括下部接触结构、沟道结构、介电填充结构和上部接触结构。所述下部接触结构包括第一氧化物半导电材料。所述沟道结构接触所述下部接触结构并且包...
    2026-01-03
  • 半导体结构
    半导体结构_江苏长晶科技股份有限公司_202511554211.4
    本申请涉及一种半导体结构。半导体结构包括：衬底；多个方形元胞，位于衬底的一侧，每一方形元胞的俯视图呈方形；栅极，环绕方形元胞，且经由方形元胞的边沿中点连接相邻的方形元胞。首先，本申请设置方形元胞，以使的方形元胞可以以较整齐的方式排列，增加了...
    2026-01-03
  • 半导体装置
    半导体装置_三菱电机株式会社_202510460675.2
    本公开的目的在于提供能够兼顾提高绝缘膜的可靠性和抑制芯片翘曲的半导体装置。本公开的半导体装置具备：发射极电极；栅电极；漂移层；源极层；基极层；集电极；以及虚设有源沟槽，其在半导体基板的沟槽的内部处，在上层具有与栅电极或发射极电极连接、或者为...
    2026-01-03
  • 一种半导体器件
    一种半导体器件_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511563664.3
    本发明公开了一种半导体器件，属于半导体技术领域，所述器件包括：衬底，其内间隔设置源极区域和漂移区域；隔离结构，设置于衬底内以划分有源区，第一隔离结构从源极区域朝向漂移区域延伸，第二隔离结构设置于漂移区域，且在第一隔离结构正交方向上延伸；有源...
    2026-01-03
  • 一种LDMOS器件及其制造方法
    一种LDMOS器件及其制造方法_芯联集成电路制造股份有限公司_202511246179.3
    本申请提供一种LDMOS器件及其制造方法，该LDMOS器件包括：衬底；第一导电类型的漂移区，位于衬底中；第二导电类型的体区，位于衬底中；第一导电类型的漏区，位于漂移区中；第一导电类型的源区，位于体区中，并与漂移区间隔设置；栅极结构，位于衬底...
    2026-01-03
  • 半导体器件、LDMOS结构及其制备方法
    半导体器件、LDMOS结构及其制备方法_芯联先锋集成电路制造(绍兴)有限公司_202511182926.1
    本发明提供了一种半导体器件、LDMOS结构及其制备方法。所述LDMOS结构包括依次层叠的基底层、第一外延层及第二外延层，所述第二外延层中设有体区和漂移区；所述第一外延层中设有辅助耗尽层，所述辅助耗尽层位于所述漂移区的下方，所述辅助耗尽层的导...
    2026-01-03
  • LDMOS器件及其制备方法
    LDMOS器件及其制备方法_芯联集成电路制造股份有限公司_202511173678.4
    本发明提供了一种LDMOS器件及其制备方法，其中LDMOS器件包括：衬底；第一导电类型漂移区和与第一导电类型漂移区邻接的第二导电类型体区，均位于衬底中；栅极，位于第一导电类型漂移区上，并延伸至第二导电类型体区上；凹槽，位于第一导电类型漂移区...
    2026-01-03
  • 具有减小的面积占用的横向导电MOSFET器件
    具有减小的面积占用的横向导电MOSFET器件_意法半导体国际公司_202510660532.6
    本公开涉及具有减小的面积占用的横向导电MOSFET器件。一种横向导电MOSFET器件包括半导体主体和第一导电类型的源极区域，源极区域沿着第一方向延伸到主体中，沿着第二(垂直)方向彼此相距一定距离。每个源极区域沿着第一方向具有第一部分和第二部...
    2026-01-03
  • 一种晶体管及电子设备
    一种晶体管及电子设备_深圳平湖实验室_202511582900.6
    本公开提供了一种晶体管及电子设备，采用GaAsSb/InGaAs异质结材料，可以通过调整P+型GaAsSb层的掺杂浓度、InGaAs层中In组分以及InGaAs层和P+型GaAsSb层的侧面倾斜角度等参数，使得GaAsSb/InGaAs在能...
    2026-01-03
  • 一种SiC沟槽MOSFET器件及其制备方法
    一种SiC沟槽MOSFET器件及其制备方法_南昌航空大学_202511394155.2
    本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种SiC沟槽MOSFET器件及其制备方法，包括背面金属层、衬底层、外延层、沟槽、体区、源区、阱区、伪栅结构、控制栅结构、正面金属层。本发明通过在第一外延层上增加一层高掺杂层，在不增加器件比导通电阻的情...
    2026-01-03
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510121845.4
    本公开提供了半导体器件及其制造方法。本公开的实施例提供了一种用于制造具有长栅极长度的半导体器件的方法。在具有长栅极长度的器件区域之上形成图案化的光致抗蚀剂层，以实现工艺均匀性并提高器件密度。
    2026-01-03
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