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最新专利技术
  • 一种微型LED显示芯片
    一种微型LED显示芯片_上海显耀显示科技有限公司_202511507886.3
    本申请公开了一种微型LED显示芯片包括发光台面阵列，所述发光台面阵列包括多个发光台面单元，每个所述发光台面单元包括：微发光台面，所述微发光台面从下往上依次包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；材料层，所述材料层覆盖所述微发光台面的侧壁；和...
    2026-01-02
  • 一种双波长LED芯片
    一种双波长LED芯片_淮安澳洋顺昌光电技术有限公司_202511185904.0
    本发明涉及半导体发光器件技术领域，具体而言，涉及一种双波长LED芯片。双波长LED芯片包括N型半导体层、第一应力缓冲层、第一长波发光阱层、电流扩展层、第二应力缓冲层、第二短波发光阱层和P型半导体层；第一应力缓冲层包括若干层InGaN第一子层...
    2026-01-02
  • 一种发光二极管和发光元件
    一种发光二极管和发光元件_淮安澳洋顺昌光电技术有限公司_202511185903.6
    本发明涉及半导体器件技术领域，具体而言，涉及一种发光二极管和发光元件。发光二极管至少包括第一导电半导体层、第一应力缓冲层、第一发光量子阱层、电流扩展层、第二应力缓冲层、第二发光量子阱层和第二导电半导体层；第一发光量子阱层发射具有第一峰值波长...
    2026-01-02
  • 一种微发光组件、微发光二极管及其显示装置
    一种微发光组件、微发光二极管及其显示装置_厦门三安光电有限公司_202510991442.5
    本发明涉及一种微发光组件、微发光二极管及其显示装置，包括：至少一支撑结构，所述支撑结构至少包括若干不同应力方向的介质层交叠而成桥臂结构，相邻所述介质层结构的材料不同；半导体层序列；所述桥臂与所述半导体层序列接触固定，通过将不同应力方向的多层...
    2026-01-02
  • 一种具有AlGaN/InGaN超晶格阱层的量子阱LED及其制备方法
    一种具有AlGaN/InGaN超晶格阱层的量子阱LED及其制备方法_吉林大学_202511556081.8
    一种具有AlGaN/InGaN超晶格阱层的量子阱LED及其制备方法，属于半导体发光器件技术领域。该量子阱LED由衬底、成核层、GaN未掺杂层、n型GaN层、多量子阱有源区、电子阻挡层、p型GaN层、电流扩展层、钝化层和电极组成；多量子阱有源...
    2026-01-02
  • 微型发光二极管及其制备方法
    微型发光二极管及其制备方法_京东方华灿光电(苏州)有限公司_202511549622.4
    本公开提供了一种微型发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括依次层叠的n型GaN层、浅阱层、多量子阱层和p型含铝半导体层；所述浅阱层包括交替层叠的多个InyGa1‑yN层和多个GaN层，0.01＜Y＜0.1；所述多量...
    2026-01-02
  • 一种基于差异化欧姆接触材料的退火温度卡控方法
    一种基于差异化欧姆接触材料的退火温度卡控方法_微玖(苏州)光电科技有限公司_202511550729.0
    本申请公开了一种基于差异化欧姆接触材料的退火温度卡控方法，针对现有AlGaInP基红光Micro‑LED的N面Au/Ge欧姆接触层退火温度监控不准、温场不均难检测、异常响应滞后的问题，该方法通过七步工艺(两次图形化、两次金属镀膜、两次去胶、...
    2026-01-02
  • 一种基于四元锑化物盖层的量子点及其生长方法
    一种基于四元锑化物盖层的量子点及其生长方法_湖南汇思光电科技有限公司_202511544358.5
    一种基于四元锑化物盖层的量子点及其生长方法，生长方法包括：将衬底去除氧化层，并除气；在衬底上进行第一GaAs缓冲层的生长；在第一GaAs缓冲层上进行AlGaAs缓冲层的生长；在AlGaAs缓冲层上进行第二GaAs缓冲层的生长；在第二GaAs...
    2026-01-02
  • 减少Mini LED焊接中腐蚀结晶的方法及Mini LED模组
    减少Mini LED焊接中腐蚀结晶的方法及Mini LED模组_江西省东都智能装备科技有限公司_202511053301.5
    本发明公开了一种减少Mini LED焊接中腐蚀结晶的方法及Mini LED模组，涉及半导体技术领域，该方法包括：对PCB基板进行等离子清洗；在干燥后PCB基板的焊盘区域喷涂气态助焊剂；对焊盘区域喷涂有气态助焊剂的PCB基板进行多阶式加热，使...
    2026-01-02
  • 一种AlN基外延基底结构及其制备方法和应用
    一种AlN基外延基底结构及其制备方法和应用_北京中博芯半导体科技有限公司_202510992086.9
    本申请公开了一种AlN基外延基底结构及其制备方法和应用，属于半导体技术领域。本申请的AlN基外延基底结构的制备方法包括如下步骤：用沉积法在基材上制备交替层叠设置的AlGaN层和第二AlN层，然后再用沉积法在第二AlN层远离AlGaN层的表面...
    2026-01-02
  • 通过热自分裂工艺制造具有薄膜芯片结构的高输出紫外(UV)LED的方法
    通过热自分裂工艺制造具有薄膜芯片结构的高输出紫外(UV)LED的方法_威弗洛得有限公司_202510691960.5
    本发明涉及通过热自分裂工艺制造具有薄膜芯片结构的高输出紫外(UV)LED的方法。所述方法包括：在由SiC制成的生长基底上依次形成缓冲层和发射层的外延生长步骤；在发射层上形成n欧姆层和/或p欧姆层的第一制备工艺步骤；向生长基底的内部辐射激光以...
    2026-01-02
  • 一种光转换玻纤复合板及其制备方法和应用
    一种光转换玻纤复合板及其制备方法和应用_深圳市华宝新能源股份有限公司_202511575110.5
    本发明涉及一种光转换玻纤复合板及其制备方法和应用，所述光转换玻纤复合板包括光子晶体层和荧光转换层；所述光子晶体层包括光子晶体薄膜；所述荧光转换层包括荧光转换玻纤复合材料，所述荧光转换玻纤复合材料的制备原料包括荧光转换材料。本发明提供的光转换...
    2026-01-02
  • 一种BC太阳能电池及其钝化工艺
    一种BC太阳能电池及其钝化工艺_平煤隆基新能源科技有限公司_202511209162.0
    本发明涉及光伏技术领域，尤其涉及一种BC太阳能电池及其钝化工艺，该太阳能电池，包括硅基(7)，该硅基(7)的表面依次形成有SiO2钝化层(2)、Al2O3钝化层(1)及SiNx : H钝化层(3)，且所述SiO2钝化层(2)、Al2O3钝化...
    2026-01-02
  • 太阳电池及其制备方法
    太阳电池及其制备方法_通威太阳能(成都)有限公司_202411310827.2
    本申请涉及一种太阳电池及其制备方法。太阳电池包括衬底、空穴传输层、电子传输层以及种子层。种子层包括第一种子层和/或第二种子层。在太阳电池中引入第一种子层和第二种子层，第一种子层的功函数介于衬底的功函数和空穴传输层的功函数之间，第二种子层的功...
    2026-01-02
  • 太阳电池及其制备方法
    太阳电池及其制备方法_通威太阳能(成都)有限公司_202410949144.5
    本申请涉及一种太阳电池及其制备方法。太阳电池包括衬底、P型掺杂层、N型掺杂层、第一电极以及第二电极；所述P型掺杂层和所述N型掺杂层分别位于所述衬底的正面和背面，所述第一电极与所述P型掺杂层连接，所述第二电极与所述N型掺杂层连接；所述P型掺杂...
    2026-01-02
  • 一种太阳电池及其制备方法、光伏组件
    一种太阳电池及其制备方法、光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202410766524.5
    本发明涉及太阳电池技术领域，尤其涉及一种太阳电池及其制备方法、光伏组件。该太阳电池包括硅片、背离硅片依次设置在受光面上的N型掺杂非晶硅层、第一TCO层以及第二TCO层、以及背离硅片依次设置在背光面上的P型掺杂非晶硅层、第三TCO层、第四TC...
    2026-01-02
  • 光伏电池片及光伏组件
    光伏电池片及光伏组件_嘉兴阿特斯技术研究院有限公司_202511527414.4
    本发明公开了一种光伏电池片及光伏组件，光伏电池片包括电池片本体，电池片本体还包括多个独立的栅线区，多个栅线区分别设在第一导电类型掺杂层和第二导电类型掺杂层上，多个栅线区沿第三方向排布，相邻两个栅线区之间具有隔离区，隔离区在第一方向上对应的电...
    2026-01-02
  • 背接触电池、背接触叠层电池及光伏组件
    背接触电池、背接触叠层电池及光伏组件_晶科能源(海宁)有限公司_202511340416.2
    本申请涉及光伏领域，提供了一种背接触电池、背接触叠层电池及光伏组件，该背接触电池包括本体，本体的背光面设置有主栅和细栅，主栅包括第一主栅和第二主栅，细栅包括沿第二方向交替分布的第一细栅和第二细栅，第一细栅与第二主栅间隔设置，第二细栅与第一主...
    2026-01-02
  • 背接触电池片、叠层电池及光伏组件
    背接触电池片、叠层电池及光伏组件_上饶晶科能源叁号智造有限公司_202511308677.6
    本公开实施例提供一种背接触电池片、叠层电池及光伏组件，其中，背接触电池片包括：基底包括：相对的正面及背面，背面包括中心区以及分别位于中心区相对两侧的第一边缘区和第二边缘区；第一掺杂导电层包括在第一方向上相对设置的第一掺杂导电部和第二掺杂导电...
    2026-01-02
  • 一种太阳电池及激光切片方法
    一种太阳电池及激光切片方法_天合光能股份有限公司_202511144076.6
    本发明提供了一种太阳电池及激光切片方法，属于光伏技术领域。它包括电池本体，所述的电池本体前表面至少设有一条无发射极区域，具体方法是用激光在电池本体具有p‑n结一面，在后续的激光切片位置将有p‑n上面的磷硅玻璃或硼硅玻璃划开，接着用湿法腐蚀、...
    2026-01-02
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