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最新专利技术
  • 一种IGBT器件、制备方法及电子产品
    一种IGBT器件、制备方法及电子产品_南方电网科学研究院有限责任公司_202511273660.1
    本申请公开了一种IGBT器件、制备方法及电子产品，IGBT器件包括功率芯片、连接层和碳素材料层；功率芯片具有作为发射极的第一侧和作为集电极的第二侧；连接层相邻于第一侧设置，连接层形成烧结连接界面并用于建立热传导路径；碳素材料层相邻于第二侧设...
    2026-01-28
  • 一种芯片封装结构及其制备方法
    一种芯片封装结构及其制备方法_东莞锐信仪器有限公司_202511217656.3
    本发明涉及通信技术领域，具体涉及一种芯片封装结构及其制备方法。本申请的芯片封装结构，在基板上分别设置有芯片以及由金属柱和金属环形成的一体结构，其中，一体结构由一个金属环和多个金属柱加工而成，金属环为环绕芯片设置的连续结构，金属柱与金属环固定...
    2026-01-28
  • 一种歧管式多孔介质拓扑微通道热沉
    一种歧管式多孔介质拓扑微通道热沉_安徽智遥信息技术有限公司_202511209921.3
    本发明公开了一种歧管式多孔介质拓扑微通道热沉，涉及微通道热沉技术领域。具体包括：基座，具有冷却剂入水口与出水口；冷却铜板，具有微通道；歧管玻璃板，具有用于分流冷却剂的歧管通路；以及上盖板；其中，所述基座、所述冷却铜板、所述歧管玻璃板及所述上...
    2026-01-28
  • 一种陶瓷基板结构、智能功率模块、控制器及家用电器
    一种陶瓷基板结构、智能功率模块、控制器及家用电器_珠海格力电器股份有限公司_202511193708.8
    本申请公开了一种陶瓷基板结构、智能功率模块、控制器及家用电器，涉及半导体技术领域。本申请包括第一覆铜陶瓷基板和至少一个第二覆铜陶瓷基板，第一覆铜陶瓷基板包括至少一个第一上芯区域。至少一个第二覆铜陶瓷基板与第一覆铜陶瓷基板连接，且与第一覆铜陶...
    2026-01-28
  • 一种基于气液相变传质的功率模块绝缘-散热封装结构
    一种基于气液相变传质的功率模块绝缘-散热封装结构_合肥综合性国家科学中心能源研究院(安徽省能源实验室)_202511191191.9
    本发明涉及功率模块封装技术领域，尤其涉及一种基于气液相变传质的功率模块绝缘‑散热封装结构。其主要针对现有材料无法平衡散热和绝缘的要求的问题，提出如下技术方案包括两组待封装的半导体芯片，所述半导体芯片的下方设置有绝缘均热板衬底，所述绝缘均热板...
    2026-01-28
  • 电子部件、高频模块、以及通信装置
    电子部件、高频模块、以及通信装置_株式会社村田制作所_202510688922.4
    电子部件(50)具备基板(51)和柱状电极(61)。基板(51)具有第一主面(511)。柱状电极(61)从基板(51)的第一主面511)向基板(51)的厚度方向(D1)突出。柱状电极(61)配置在基板(51)的第一主面(511)与凸块电极(...
    2026-01-28
  • 用于使用散热器传递来自电子器件的热量的技术
    用于使用散热器传递来自电子器件的热量的技术_阿尔特拉公司_202510505979.6
    本公开涉及用于使用散热器传递来自电子器件的热量的技术。一种电子器件包括第一层和导热散热器，该导热散热器包括电子器件的第二层中的传导区域。散热器还包括延伸穿过第一层的第一通孔。第一通孔填充有耦合到传导区域的传导材料。第一通孔中的传导材料耦合到...
    2026-01-28
  • 用于集成电路封装的模块化热沉装置
    用于集成电路封装的模块化热沉装置_阿尔特拉公司_202510489307.0
    本公开涉及用于集成电路封装的模块化热沉装置。提供了用于集成电路器件的模块化热沉系统的系统和方法。模块化热沉系统可以包括附接到集成电路封装管芯的基底散热器。辅助散热设备可以选择性地附接到基底散热器。当辅助散热设备未与基底散热器对接时，基底散热...
    2026-01-28
  • 一种半导体功率器件及半导体功率系统
    一种半导体功率器件及半导体功率系统_潍柴动力股份有限公司_202511329692.9
    本申请提供了一种半导体功率器件及半导体功率系统，涉及半导体技术领域。半导体功率器件包括有塑封壳体，可知半导体功率器采用塑封方式进行的封装，从而使得半导体功率器件具有较好的抗振、防水、防尘、防氧化等能力，并且提高了半导体功率器件的绝缘性能，同...
    2026-01-28
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_芯盟科技有限公司_202511198210.0
    本公开实施例提供了一种半导体器件及其制造方法，其中，半导体器件包括：沿第一方向堆叠设置的第一半导体结构和第二半导体结构；第一半导体结构包括：沿第一方向键合的第一子半导体结构和第二子半导体结构；第一接触结构，沿所述第一方向贯穿至少部分第一子半...
    2026-01-28
  • 基于2.5D集成的二维闪存与CMOS混合封装存储芯片及其制备方法
    基于2.5D集成的二维闪存与CMOS混合封装存储芯片及其制备方法_复旦大学_202511172918.9
    本发明属于半导体存储器封装技术领域，具体为一种基于二维材料与CMOS电路2.5D集成的存储芯片及其制备方法。本发明所述芯片通过采用2.5D封装结构，将由二维材料超快闪存器件芯粒与采用标准CMOS工艺制备的外围控制电路芯粒集成于中介层上，并通...
    2026-01-28
  • 半导体封装件的减压结构及其制造方法
    半导体封装件的减压结构及其制造方法_意法半导体国际公司_202510711788.5
    本公开涉及半导体封装件的减压结构及其制造方法。一种半导体器件或封装件包括减压结构，以通过减轻或减少应力和应变来防止机械缺陷在半导体器件或封装件内传播或减少机械缺陷在半导体器件或封装件内传播的可能性。半导体器件或封装件内或其部分的各种层、结构...
    2026-01-28
  • 电子装置
    电子装置_日月光半导体制造股份有限公司_202510163471.2
    本公开提供一种电子装置。所述电子装置包含被配置成可拉伸的载体以及安置在所述载体上方的第一电子组件。所述电子装置还包含至少部分地安置在所述载体内并且连接到所述第一电子组件的结构。所述结构被配置成减少所述载体与所述第一电子组件之间的位移量。
    2026-01-28
  • 一种半导体封装结构以及封装方法
    一种半导体封装结构以及封装方法_鼎道智芯(上海)半导体有限公司_202410706188.5
    本公开涉及一种半导体封装结构及封装方法，其中，半导体封装结构包括：基板、第一芯片颗粒、第一塑封层、多个第二芯片颗粒。第一芯片颗粒，布置在基板上；第一塑封层，包覆第一芯片颗粒，并暴露出第一芯片颗粒的顶面；每个第二芯片颗粒，一部分布置在第一芯片...
    2026-01-28
  • 芯片封装结构及其制造方法
    芯片封装结构及其制造方法_华为技术有限公司_202410696827.4
    本申请提供了一种芯片封装结构及其制造方法，该芯片封装结构包括第一预制封装结构和底部重布线层，第一预制封装结构包括层叠设置的顶层封装单元、顶部重布线层和第一裸片封装层，第一裸片封装层底部表面的凹槽与底部重布线层的凸出部嵌合。第一裸片封装层的硅...
    2026-01-28
  • 芯片封装结构及其制备方法、电子设备
    芯片封装结构及其制备方法、电子设备_华为技术有限公司_202410679241.7
    本申请实施例公开一种芯片封装结构及其制备方法、电子设备，涉及半导体技术领域。芯片封装结构包括第一基板、第一芯片、第二基板、第一散热部件、第一连接部和第二芯片。第一芯片电连接于第一基板的一侧。第二基板位于第一芯片远离第一基板的一侧，且与第一基...
    2026-01-28
  • 一种基于跨平面结构的低电感高压功率模块
    一种基于跨平面结构的低电感高压功率模块_华北电力大学_202511197176.5
    本发明介绍一种基于跨平面结构的低电感高压功率模块，包括固定在散热底板上的DBC衬板，所述DBC衬板由上层铜层、陶瓷绝缘层和下层铜层构成，在所述上层铜层分别焊接有SiC MOSFET芯片、栅极端子、漏极端子、源极端子和开尔文源极端子；所述Si...
    2026-01-28
  • 一种压接式功率模块、功率半导体器件和设备
    一种压接式功率模块、功率半导体器件和设备_南方电网科学研究院有限责任公司_202511273662.0
    本申请公开了一种压接式功率模块、功率半导体器件和设备，压接式功率模块包括第一凸台、功率芯片、第二凸台和应力缓冲结构；多个功率芯片设置第一凸台和第二凸台之间；应力缓冲结构用于在第一凸台或第二凸台的至少之一上形成至少两个施压区域，以使压力能够通...
    2026-01-28
  • 一种晶圆及其制造方法
    一种晶圆及其制造方法_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202510988379.X
    本公开提供了一种晶圆及其制造方法，晶圆可以包括本体和加强部，加强部从晶圆背面填充到晶圆中；其中，加强部的材料的弹性模量大于本体的材料的弹性模量。
    2026-01-28
  • 半导体管芯以及半导体装置的制作方法
    半导体管芯以及半导体装置的制作方法_联华电子股份有限公司_202511136190.4
    本发明公开一种半导体管芯以及半导体装置的制作方法，其中该半导体装置的制作方法包括下列步骤。对半导体晶片进行分离制作工艺以形成半导体管芯。分离制作工艺包括第一切割步骤、薄化步骤与第二切割步骤。第一切割步骤对半导体晶片进行蚀刻而于半导体晶片中形...
    2026-01-28
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