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最新专利技术
  • 具有气隙的半导体装置及其制造方法
    具有气隙的半导体装置及其制造方法_华邦电子股份有限公司_202410907639.1
    本发明提供了一种具有气隙的半导体装置及其制造方法，包括形成于衬底上的多个栅极堆叠、位于栅极堆叠上方的第一绝缘层以及第二绝缘层。其中栅极堆叠沿着第一方向延伸且在第二方向上彼此相隔间距，其中相邻的两栅极堆叠之间具有气隙。第一绝缘层位于栅极堆叠和...
    2026-01-28
  • 半导体器件及其制作方法、电子设备
    半导体器件及其制作方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202410684201.1
    本公开涉及一种半导体器件及其制作方法、电子设备，半导体器件包括：衬底；多条公共位线，沿垂直于衬底的方向间隔设置在衬底上；屏蔽部，屏蔽部和公共位线相绝缘，屏蔽部包括设置在相邻的公共位线之间的屏蔽层以及垂直设置在衬底上的接地电极，屏蔽层和接地电...
    2026-01-28
  • 半导体结构
    半导体结构_联发科技股份有限公司_202510718603.3
    提供了一种半导体结构。该半导体结构包括基板。该基板包括核、导电材料、高k介电材料和重分布层。该核具有第一孔、第二孔和穿过该核的第三孔。设置在该第一孔中的导电材料作为电容器的第一电极，设置在该第二孔中的导电材料作为该电容器的第二电极。该高k介...
    2026-01-28
  • 一种模组化封装结构
    一种模组化封装结构_芯爱科技(南京)有限公司_202511562996.X
    本发明提供的一种模组化封装结构，技术方案如下：一种模组化封装结构，包括：电子元件载运片，所述电子元件载运片的顶层配置为与芯片或电子元件耦合连接；支撑板，所述支撑板的底层配置为与印刷电路板耦合连接；其中，所述电子元件载运片与所述支撑板相互耦合...
    2026-01-28
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社电装_202511206149.X
    半导体装置具备第一绝缘基板和与第一绝缘基板经由第一导体隔件接合的第一半导体元件。第一绝缘基板具有第一绝缘层和设于第一绝缘层的一侧的第一内侧导体层。第一内侧导体层的表面具有第一区域和包围第一区域并且表面粗糙度比第一区域大的第二区域。第一导体隔...
    2026-01-28
  • 集成电路封装、与其电连接的电路板及裸片封装方法
    集成电路封装、与其电连接的电路板及裸片封装方法_赛灵思公司_202511198569.8
    描述了用于使用多个不同节距策略性地布局集成电路(IC)封装(200、320、340)的导电元件(例如，焊球(210、302))(以及用于与IC封装电连接的电路板的相应的导电焊盘(401))的方法和装置。一个示例集成电路(IC)封装(320、...
    2026-01-28
  • 半导体封装
    半导体封装_三星电子株式会社_202510304321.9
    一种半导体封装，包括：封装衬底以及在竖直方向上堆叠在封装衬底上的多个半导体芯片，其中，多个半导体芯片中的每一个包括半导体衬底，该半导体衬底包括第一表面、在第一表面上的下半导体器件、与第一表面相对的第二表面、在第二表面上的上半导体器件、设置在...
    2026-01-28
  • 互连件阵列
    互连件阵列_德州仪器公司_202510625184.9
    本公开的实施例涉及互连件阵列。一种具有用于集成电路IC的互连件阵列(100)的衬底(102)包含用于接收管芯的管芯焊盘(120)。所述互连件阵列(100)还包含经布置以包围所述管芯焊盘(120)的引线(124)。接近所述衬底的周边(116)...
    2026-01-28
  • 一种半导体连接片
    一种半导体连接片_重庆中晶微电子科技有限公司_202511405306.X
    本发明属于半导体技术领域，公开了一种半导体连接片包括内置的铝料带以及包覆铝料带的铜料带。本发明的半导体连接片低碳环保、节能减排，在AL材表面包覆Cu金属层，不但解决了AL与芯片焊接不良的问题，还弥补了AL材导电性能相对纯Cu材偏弱的不足。本...
    2026-01-28
  • 一种半导体结构及制备方法和相应芯片、产品
    一种半导体结构及制备方法和相应芯片、产品_深圳市联合蓝海应用材料科技股份有限公司_202511589424.0
    本发明公开了一种半导体结构及制备方法和相应芯片、产品，该结构包括硅基集成电路及设于其上的凸块结构。凸块结构依次包含UBM层、铜导体层、镍导体层和金导体层。本发明在所述UBM层、铜导体层和镍导体层的暴露侧壁上，包覆一层由钯、钯合金、铂或铂合金...
    2026-01-28
  • 一种无基板垂直扇出封装结构及封装工艺
    一种无基板垂直扇出封装结构及封装工艺_太极半导体(苏州)有限公司_202511110075.X
    本发明公开了一种无基板垂直扇出封装结构及封装工艺，涉及半导体封装技术领域，包含干膜型塑封树脂、金属布线层、内存芯片和环氧树脂；金属布线层位于干膜型塑封树脂的下方，并与干膜型塑封树脂平行设置，金属布线层与干膜型塑封树脂之间形成封装空间；内存芯...
    2026-01-28
  • 半导体器件及其制备方法、电子设备
    半导体器件及其制备方法、电子设备_武汉楚兴技术有限公司_202410693003.1
    本公开的实施例提供一种半导体器件及其制备方法、电子设备，涉及半导体技术领域，旨在提高半导体器件的键合强度，提高半导体器件的性能。半导体器件包括：层叠设置的第一半导体结构和第二半导体结构；所述第一半导体结构包括层叠设置的第一基底和第一键合层；...
    2026-01-28
  • 一种封装结构及其制备方法
    一种封装结构及其制备方法_江苏中科智芯集成科技有限公司_202511589681.4
    本申请提供了一种封装结构及其制备方法。封装结构包括衬底、第一重布线结构、第一类介质结构、第二类介质结构，第一重布线结构间隔设置于衬底；第一类介质结构形成于衬底，且包覆第一重布线结构的侧表面；第二类介质结构间隔设置于衬底，其侧面与第一类介质结...
    2026-01-28
  • 中介连接板及其接地结构、封装模组和电子设备
    中介连接板及其接地结构、封装模组和电子设备_摩尔线程智能科技(北京)股份有限公司_202511404437.6
    本公开涉及一种中介连接板及其接地结构、封装模组和电子设备。该接地结构包括沿第一方向延伸且在第二方向间隔布置的多个第一金属线，以及沿第二方向延伸且在第一方向上间隔布置的多个第二金属线；多个第一金属线与多个第二金属线相交。该接地结构过将多个第一...
    2026-01-28
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社电装_202511189938.7
    半导体装置具备：半导体元件，具有第1主电极和第2主电极，第2主电极形成于在板厚方向上与第1主电极相反的面；第1布线部件，与第1主电极连接；接线柱，具有与第2主电极连接的第1端面和在板厚方向上与第1端面相反的第2端面，第2端面呈具有与第1方向...
    2026-01-28
  • 基于压电驱动的纳米流体喷射智能芯片散热装置
    基于压电驱动的纳米流体喷射智能芯片散热装置_深圳市普威迅科技有限公司_202510996810.5
    本发明涉及芯片散热技术领域，具体地说，涉及基于压电驱动的纳米流体喷射智能芯片散热装置。其包括压电驱动结构和芯片固定件，压电驱动结构包括驱动喷射件，驱动喷射件靠近芯片本体的一端形成一个喷口，喷口的外侧覆盖安装有喷头结构。本发明通过喷头结构中的...
    2026-01-28
  • 基于特斯拉阀热流控制的IGBT模块散热结构
    基于特斯拉阀热流控制的IGBT模块散热结构_重庆青山工业有限责任公司_202510943001.8
    本发明涉及电子功率器件散热领域，具体涉及一种基于特斯拉阀热流控制的IGBT模块散热结构，包括基板，基板内设有特斯拉阀流道层、以及位于所述特斯拉阀流道层上方的冷却液分配层，基板设置在IGBT层上方，特斯拉阀流道层内开设有多个并排设置的特斯拉阀...
    2026-01-28
  • 具复合式散热封装的积体电路元件
    具复合式散热封装的积体电路元件_广州力及热管理科技有限公司_202410678313.6
    一种具复合式散热封装的积体电路元件，包含电路基板、晶片以及三维蒸气腔元件，电路基板具有上基板表面，晶片设置于电路基板的上基板表面上，且晶片具有晶片表面，三维蒸气腔元件包含有上盖、下板以及多个流道鳍片，上盖具有上表面，下板相对于上盖，具有下板...
    2026-01-28
  • 基于梯度孔热电薄膜与相变材料协同作用的芯片制冷结构
    基于梯度孔热电薄膜与相变材料协同作用的芯片制冷结构_武汉理工大学三亚科教创新园_202511192507.6
    本发明涉及芯片制冷技术领域，具体为一种基于梯度孔热电薄膜与相变材料协同作用的芯片制冷结构，由上至下包括芯片层、热电薄膜、复合导热界面层以及散热基板，热电薄膜的冷端与芯片层贴合，热电薄膜的热端与复合导热界面层之间设有多个PCM微胶囊，对应热电...
    2026-01-28
  • 一种IGBT器件、制备方法及电子产品
    一种IGBT器件、制备方法及电子产品_南方电网科学研究院有限责任公司_202511273660.1
    本申请公开了一种IGBT器件、制备方法及电子产品，IGBT器件包括功率芯片、连接层和碳素材料层；功率芯片具有作为发射极的第一侧和作为集电极的第二侧；连接层相邻于第一侧设置，连接层形成烧结连接界面并用于建立热传导路径；碳素材料层相邻于第二侧设...
    2026-01-28
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