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  • 本发明公开了一种电驱动钙钛矿激光器及其制备方法,该器件以钙钛矿半导体或其与其他材料的组合为主要增益介质,无需外界光源辅助,在电流或电压驱动下即可产生激光发射。其器件类型包括电驱动集成(含单腔、双腔)和非集成钙钛矿激光器,激光阈值小于1000...
  • 本发明公开了半导体激光器量子阱混杂装置及半导体激光器制备工艺,通过光刻胶喷涂组件、光刻胶清洗组件、纯硅磁控溅射镀膜组件、氮化硅磁控溅射镀膜组件和纯铁磁控溅射镀膜组件,自动化实现在晶圆表面镀上“三层薄膜结构”,再通过加热盘对晶圆表面进行加热,...
  • 本发明提供一种低损耗多层耦合脊形光波导激光芯片及制备方法,涉及激光芯片技术领域,包括分层渐变界面脊形核心、分布式耦合环形腔、侧向补偿脊形外壳和集成反馈脊形终端,所述分层渐变界面脊形核心的底层为硅基脊形层,厚度为180‑220 nm,其顶部设...
  • 本申请实施例提供一种双FP耦合腔激光设备及电子设备,包括:第一激光器,第一激光器具有第一回音壁微腔;第二激光器,第二激光器具有第二回音壁微腔;第一FP腔,第一FP腔与第一回音壁微腔连接;第二FP腔,第二FP腔与第二回音壁微腔连接;分支波导,...
  • 本申请公开了一种半导体激光器阵列以及光通信发射模组、通信设备,其中半导体激光器阵列通过在共用同一衬底的多个VCSEL单元的出光面设置半球面,相当于在出光面上配置离轴透镜,将出射光束向激光器矩阵中轴线偏转,实现多个VCSEL单元光束耦入同一位...
  • 一种多波长垂直腔面发射半导体激光器及其制备方法,属于半导体激光器技术领域,解决了现有技术存在只能输出单一波长,导致系统体积、成本、功耗增加,并且多区外延或者多个量子阱结构的设计,会导致工艺复杂度高,无法维持工作温度的稳定性和可靠性的技术问题...
  • 本申请提供半导体结构及其制备方法、半导体激光器,涉及激光器的领域。半导体结构包括衬底、第一波导层、谐振结构和第二波导层;第一波导层设置于衬底沿厚度方向的表面;谐振结构包括有源区、输入层和输出层,有源区、输入层和输出层设置于第一波导层背离衬底...
  • 本发明公开了一种激光器及其制备方法,所述激光器包括衬底及位于衬底上的外延结构,所述外延结构包括依次层叠于衬底上的第一接触层、第一限制层、第一波导层、有源层、第二波导层、第二限制层和第二接触层,所述外延结构上形成有自第二接触层至少刻蚀至第二限...
  • 本申请属于超快光学与光场调控技术领域,提供一种数字化可调的离轴泵浦激光系统,包括具有依次连接的泵浦源、准直透镜、空间光调制器及第一聚焦透镜的数字化离轴泵浦模块,具有依次连接的输入耦合镜、增益介质、凹面反射镜及输出耦合镜的像散谐振腔,及具有依...
  • 一种提高锑化物激光器欧姆接触性能的方法。涉及半导体激光器技术领域,具体涉及一种提高锑化物激光器欧姆接触性能的方法。本发明采用重掺杂,直接作为接触层,或在锑化物激光器外延结构中引入重掺杂作为电极接触层的一部分,降低接触电阻,最后,在激光器结构...
  • 本申请涉及半导体技术领域,公开了一种半导体器件,包括衬底结构、第一电极、第二电极、有源区、散热结构和第一介质膜。衬底结构包括衬底层和凸脊,衬底层的厚度方向为第一方向,衬底层具有沿第一方向相反设置的上表面和下表面,凸脊沿第一方向凸出于上表面。...
  • 本发明涉及激光器技术领域,公开了一种半导体激光器芯片及制造方法。该半导体激光器芯片包括单元芯片,所述单元芯片自下而上为衬底、应力块和激光器芯片结构层,所述激光器芯片结构层包括两个改善区域和一个常规区域,且常规区域位于两个改善区域的中部,两个...
  • 本发明提供一种光学模组封装结构及其制造方法。光学模组封装结构包括第一电路板、电子元件、第一导线架及第二导线架、光发射模组及第二电路板。电子元件设置在第一电路板上。第一及第二导线架彼此相邻并且设置在电子元件上,并且电性连接第一电路板。光发射模...
  • 本申请涉及激光器技术领域,具体来说尤其涉及一种边射激光器的新型封装结构及其工艺、方法,包括:基座,包括电极板和绝缘板,所述绝缘板与电极板固定相连,所述绝缘板包括连接孔及垫片,所述垫片包括左垫片及右垫片,所述垫片底部设置有导线;支架,包括陶瓷...
  • 本发明涉及光电子技术领域,尤其涉及一种免微调半导体激光器合模组的制造方法。所述免微调半导体激光器合模组的制造方法包括将半导体激光器及其电极焊接在热沉上;根据所述半导体激光器的发光区高度,在柱透镜支架上加工柱透镜定位槽,在光纤支架上加工光纤定...
  • 本申请公开了一种激光器及其发射视场角调节方法、设备及可读存储介质,该激光器,包括:包括不透光壳体,不透光壳体具有一容置空间;激光阵列,激光阵列设置于容置空间中、且位于不透光壳体的第一面;设置于激光阵列背离不透光壳体的第一面的一侧的匀光片;设...
  • 本发明公开了一种激光器封装结构及其制备方法,封装结构包括基板、激光器芯片、耦合转换模块以及驱动模块,所述激光器芯片和耦合转换模块依次安装于基板上,所述驱动模块与基板之间设置有封装层,所述封装层至少部分覆盖激光器芯片和耦合转换模块,所述驱动模...
  • 本发明涉及一种高精准度低干扰的激光器控温系统及方法,属于激光器温度控制技术领域;包括:温度采集模块,包含n个线性排列的温度传感器,所述温度传感器以预设间距布置于激光器周边;信号调理电路,连接所述温度采集模块,包括线性化单元、放大单元和减法单...
  • 本发明涉及激光技术领域,提供一种宽调谐窄线宽中红外光参量激光产生装置,包括泵浦激光振荡腔和光参量激光振荡腔,泵浦激光振荡腔用于产生泵浦激光,泵浦激光振荡腔包括泵浦激光增益模块、脉冲调制模块、线宽压窄模块、光隔离模块、第一反射镜和至少两个第二...
  • 本发明提出了一种可调谐激光源输出波长调整装置及方法,所述方法包括:启动可调谐激光源并进行预热,复位电机运动单元;基于预存的激光源发光波长与电机位置的关系曲线,获取初始发光波长;通过电机运动单元的粗调参数控制激光源输出波长,遍历可调谐激光源的...
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