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最新专利技术
  • 形成半导体结构、沉积偶极层及形成半导体器件的方法
    形成半导体结构、沉积偶极层及形成半导体器件的方法_ASMIP私人控股有限公司_202510697267.9
    公开了形成半导体结构的方法。所公开的方法包括通过循环沉积过程在高k电介质材料的表面上沉积包含三元镓材料的偶极层。还公开了通过原子层沉积过程在衬底上沉积偶极层的方法。还公开了采用三元镓材料形成半导体器件的方法。
    2025-12-25
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社日本显示器_202510697503.7
    本发明涉及半导体装置。课题在于实现即使是微细的像素电路，也在不使开口率变小的情况下具备良好电特性的半导体装置。半导体装置具备：具有图案的氧化物半导体层；栅电极，其与前述氧化物半导体层对置；栅极绝缘层，其设置在前述氧化物半导体层与前述栅电极之...
    2025-12-25
  • 半导体功率器件及其制备方法
    半导体功率器件及其制备方法_广东芯粤能半导体有限公司_202511573580.8
    本发明涉及半导体功率器件技术领域，公开了一种半导体功率器件及其制备方法，旨在提升器件耐压性能与可靠性。该终端结构包括衬底；外延层，位于衬底的上方；重掺杂区，位于外延层中；结终端扩展区，位于外延层中，且与重掺杂区接触；氧化层，位于重掺杂区和结...
    2025-12-25
  • 一种优化电场的超结结构及其制备方法
    一种优化电场的超结结构及其制备方法_西安龙威半导体有限公司_202511238918.4
    本发明公开了一种优化电场的超结结构及其制备方法，包括：第一导电类型衬底层；第一导电类型外延层，位于衬底层的上表面；第二导电类型杂质注入区，位于器件两端的外延层内；第二导电类型体区，位于器件两端的外延层内，且位于对应的杂质注入区上；第一导电类...
    2025-12-25
  • 碳化硅MOSFET及其制备方法、芯片、电子设备
    碳化硅MOSFET及其制备方法、芯片、电子设备_比亚迪股份有限公司_202511204162.1
    本申请提供一种碳化硅MOSFET及其制备方法、芯片、电子设备，在碳化硅MOSFET中的源极沟槽底部设置的第一保护层，可以有效降低碳化硅MOSFET处于关断状态时，降低源极沟槽底部的电场。其中，具体通过避免高能量对体区的注入损伤，可有效屏蔽碳...
    2025-12-25
  • 半导体装置
    半导体装置_三菱电机株式会社_202510656496.6
    本公开的目的在于提供能够兼得“恢复dV/dt max”及导通损耗的折衷的改善和栅极总电荷量Qg降低的半导体装置。本公开的半导体装置具备：半导体基板；发射极电极，形成在半导体基板之上；第一导电型的漂移层，形成在半导体基板之中；第二导电型的基极...
    2025-12-25
  • 半导体晶体管器件以及制造半导体晶体管器件的方法
    半导体晶体管器件以及制造半导体晶体管器件的方法_英飞凌科技奥地利有限公司_202511198459.1
    公开了半导体晶体管器件以及制造半导体晶体管器件的方法。本申请涉及一种半导体晶体管器件(1)，其具有：源极区(2)；本体区(3)，其包括在竖向方向(10)上延伸的沟道区(3.1)；漏极区(4)；栅极区(6)，被布置成在横向方向(11)上在沟道...
    2025-12-25
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202510647999.7
    提供一种半导体装置，能够提高可靠性。一实施方式的半导体装置具备：半导体部，其具有单元区域和设置在单元区域的外侧的终端区域；第一电极，其设置在半导体部的背面上；第二电极，其设置在半导体部的正面侧；控制电极，其经由沿从单元区域朝向终端区域的方向...
    2025-12-25
  • 半导体结构及其制备方法、存储阵列、存储器、逻辑器件、电子设备
    半导体结构及其制备方法、存储阵列、存储器、逻辑器件、电子设备_华为技术有限公司_202410650333.2
    本申请的实施例提供一种半导体结构及其制备方法、存储阵列、存储器、逻辑器件、电子设备，旨在增加栅极与栅介质层的接触面积，从而提高栅极的控制能力。本申请实施例中提供的半导体结构，栅极包括面向沟道柱侧壁的第一表面、以及与第一表面相邻的第二表面；栅...
    2025-12-25
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202510115504.6
    一种半导体装置，包括：下层间绝缘层、有源图案、多个纳米片、栅电极、源极/漏极区域、衬垫层、接触隔离层和源极/漏极接触件，其中，接触隔离层的侧壁包括在第一水平方向上与源极/漏极接触件接触的第一侧壁、在第一水平方向上与衬垫层和有源图案中的每个接...
    2025-12-25
  • 半导体器件及其制备方法、电子设备
    半导体器件及其制备方法、电子设备_深圳平湖实验室_202511607833.9
    本公开提供了一种半导体器件及其制备方法、电子设备，涉及半导体芯片技术领域，旨在解决半导体器件的制备过程中，湿法刻蚀技术会导致势垒层被栅极材料沾污的问题；所述半导体结构包括：衬底、沟道层、势垒层、盖帽层、栅极、源极、漏极和第一隔离结构；沟道层...
    2025-12-25
  • 半导体器件及其制备方法、电子设备
    半导体器件及其制备方法、电子设备_深圳平湖实验室_202511607563.1
    本公开提供了一种半导体器件及其制备方法、电子设备，涉及半导体芯片技术领域，旨在解决半导体器件的制备过程中，湿法刻蚀技术会导致势垒层被栅极材料沾污的问题；所述半导体结构包括：衬底、沟道层、势垒层、盖帽层、栅极、源极、漏极和第一隔离部；沟道层和...
    2025-12-25
  • 基于p型氧化铌偶极子的金属-氧化物-半导体器件及其制造方法
    基于p型氧化铌偶极子的金属-氧化物-半导体器件及其制造方法_复旦大学_202511600730.X
    本发明涉及基于p型氧化铌偶极子的金属‑氧化物‑半导体器件及其制造方法，属于半导体器件制造技术领域。本发明的技术方案包括一种MOS器件，其栅介质叠层自下而上依次包括界面层、高k介电层和包含氧化铌的p型电偶极子层。其制备方法采用原子层沉积工艺沉...
    2025-12-25
  • 具有外延轻度掺杂部分的半导体元件及其制造方法
    具有外延轻度掺杂部分的半导体元件及其制造方法_南亚科技股份有限公司_202510770434.8
    本申请公开一种具有外延轻度掺杂部分的半导体元件及其制造方法。该半导体元件包括：一基板；多个凹槽，从该基板的一顶表面凹陷且定义一通道区，其中该通道区位于该多个凹槽之间且相邻于该基板的该顶表面；一栅极结构，位于该通道区上；多个杂质区，包括多个轻...
    2025-12-25
  • 平坦触点沟槽MOSFET及其制造方法
    平坦触点沟槽MOSFET及其制造方法_安世有限公司_202510698983.9
    一种包括多个沟槽的平坦触点沟槽MOSFET(210，220)，其中两个沟槽之间的台面包括半间距P+掺杂的平坦触点区(212)和半间距N+掺杂的NP结区(222)，并且其中所述半间距N+掺杂的NP结区(222)的表面与所述半间距平坦触点区(2...
    2025-12-25
  • 一种芯片、制备方法及电子设备
    一种芯片、制备方法及电子设备_华为技术有限公司_202410646167.9
    本申请公开了一种芯片、制备方法及电子设备，芯片包括衬底、沟道结构、设置于沟道结构两侧的源极和漏极。沟道结构包括堆叠且交替设置的栅极结构和沟道层，栅极结构包括在第一方向上依次设置的第一牺牲层、第一内侧墙、控制栅、第二内侧墙和第二牺牲层，不仅降...
    2025-12-25
  • 一种P-Cr2O3/P-NiO为复合盖层的增强型GaN HEMT器件及其制备方法
    一种P-Cr2O3/P-NiO为复合盖层的增强型GaN HEMT器件及其制备方法_西安电子科技大学芜湖研究院_202511238916.5
    本发明公开了一种P‑Cr2O3/P‑NiO为复合盖层的增强型GaN HEMT器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括：依次层叠设置的衬底、缓冲层、沟道层、插入层、势垒层；复合盖层，位于势垒层的上表面，复合盖层包括层叠设置的P‑Cr2O3层...
    2025-12-25
  • 一种晶体管器件及其制备方法
    一种晶体管器件及其制备方法_安建科技有限公司_202410649823.0
    一种晶体管器件及其制备方法，本发明涉及于功率半导体器件，为提高器件的可靠性及效能，本发明通过设置激活浓度不同的第一P型盖层及第二P型盖层，下层的P型盖层的激活浓度较高，保证了器件的阈值电压可达到较高的数值，减低增强型器件被误开启的机会；上层...
    2025-12-25
  • 一种LDMOS器件及其制造方法
    一种LDMOS器件及其制造方法_荣芯半导体(宁波)有限公司_202511599251.0
    一种LDMOS器件及其制造方法，该制造方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底中形成有第一掺杂类型的漂移区；在半导体衬底上依次形成栅极介质层和栅电极层；图案化栅电极层，以形成彼此间隔设置的第一栅电极和第二栅电极；对位于第一栅电极与第二栅电极之间...
    2025-12-25
  • 一种垂直环栅沟道长度的制造方法
    一种垂直环栅沟道长度的制造方法_西安微电子技术研究所_202511229171.6
    本发明属于半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种垂直环栅沟道长度的制造方法。包括：衬底上刻蚀形成硅柱；硅柱外依次生长栅氧和多晶；在多晶外生成二氧化硅掩蔽层，通过湿法带胶腐蚀漏出待刻蚀的多晶层；在待刻蚀的多晶层进行短时干法刻蚀，形成初始凹槽...
    2025-12-25
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