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最新专利技术
  • 一种图像传感器及其制作方法
    一种图像传感器及其制作方法_合肥海图微电子有限公司_202511192405.4
    本发明提供一种图像传感器及其制作方法，属于半导体器件技术领域。且所述图像传感器包括：衬底；隔离结构，设置在所述衬底中；光电二极管，设置在所述衬底中，且所述隔离结构设置在所述光电二极管外围；以及隔离层，设置在所述光电二极管中，所述隔离层上设置...
    2025-12-24
  • 一种显示模组及其制备方法、显示装置
    一种显示模组及其制备方法、显示装置_厦门天马微电子有限公司_202511113208.9
    本申请实施例提供的一种显示模组及其制备方法、显示装置，显示模组包括感光晶体管，所述感光晶体管包括第一掺杂部、第二掺杂部、感光区；所述感光区位于所述第一掺杂部与所述第二掺杂部之间；沿垂直于所述显示模组所在平面方向上，所述感光区包括朝向所述显示...
    2025-12-24
  • 一种集成增益的高灵敏碳化硅X射线探测器及制备方法
    一种集成增益的高灵敏碳化硅X射线探测器及制备方法_大连理工大学_202511174048.9
    本发明属于半导体器件制备技术领域，公开了一种集成增益的高灵敏碳化硅X射线探测器及制备方法。该集成增益的高灵敏碳化硅X射线探测器包括碳化硅单晶、高空穴浓度p型碳化硅区域、绝缘介质层、金属填充微互联结构、金属填充电场限制微结构、高电子浓度n型碳...
    2025-12-24
  • 传感器及其制备方法、电子设备
    传感器及其制备方法、电子设备_河南师范大学_202511186473.X
    本公开实施例涉及电子器件技术领域，提供一种传感器及其制备方法、电子设备，以在极端光线环境下获取高韦伯对比度的图像，从而提高产品性能和适用范围。传感器包括：衬底；依次叠层设置在衬底之上的铁电层和第一N型半导体层；设置在衬底之上的第二N型半导体...
    2025-12-24
  • 一种半导体器件及其制备方法和用途
    一种半导体器件及其制备方法和用途_积石芯材(杭州)科技有限公司_202511209248.3
    本发明涉及一种半导体器件及其制备方法和用途。半导体器件包括基底层，功能薄膜层，电极结构层；功能薄膜层为MoxEu1‑xS2薄膜层，具有二维铺展的晶体结构，所述晶体结构属于六方晶系，由金属原子和硫原子组成，其中金属原子亚晶格位于一个平面，记为...
    2025-12-24
  • 一种氧化锗PN结日盲探测器
    一种氧化锗PN结日盲探测器_宁波大学_202510981495.9
    本发明公开一种氧化锗PN结日盲探测器，包括：基板；半导体膜层，设于所述基板上，包括多个第一半导体薄膜层和多个第二半导体薄膜层，两个薄膜层互为异相，且交替层叠设置，形成量子阱结构；漏极和源极，设于所述半导体膜层远离所述基板的一面上，所述漏极和...
    2025-12-24
  • 一种基于MgO/Ga2O3异质外延结构的紫外偏振探测器及制备方法
    一种基于MgO/Ga2O3异质外延结构的紫外偏振探测器及制备方法_南京邮电大学_202511143737.3
    本发明公开了一种基于MgO/Ga2O3异质外延结构的紫外偏振探测器，包括具有特定晶向的MgO衬底，在衬底上异质外延生长的Ga2O3薄膜，Ga2O3薄膜上制备的第一金属电极和第二金属电极。所述衬底为氧化镁晶片，具有特定的晶体结构取向，其晶体结...
    2025-12-24
  • 一种暗电流减小的光电探测器芯片及其制备方法
    一种暗电流减小的光电探测器芯片及其制备方法_福建中科光芯光电科技有限公司_202511213134.6
    本发明提供了一种暗电流减小的光电探测器芯片及其制备方法，包括阳极、P型接触层、吸收层、过渡层、N型接触层以及阴极；所述阳极、P型接触层、吸收层、过渡层以及N型接触层依次层叠设置；锌扩散深度完全覆盖P型接触层以及部分吸收层。应用本技术方案可实...
    2025-12-24
  • 一种横向PIN结构的光电探测器及其制备方法
    一种横向PIN结构的光电探测器及其制备方法_广州光电存算芯片融合创新中心_202511200078.2
    本发明公开了一种横向PIN结构的光电探测器及其制备方法，属于光电子器件及制备技术领域，光电探测器包括绝缘体上硅、硅外延层、锗外延层、顶部氧化硅层和电极层；其中：顶层硅设置于绝缘体上硅的最上层，硅外延层沿第一方向依次包括分离的第二N型掺杂区域...
    2025-12-24
  • 一种Weyl半金属/TMDC异质结光电探测器及其应用
    一种Weyl半金属/TMDC异质结光电探测器及其应用_南京邮电大学_202511605885.2
    本发明公开一种Weyl半金属/TMDC异质结光电探测器及其应用，属于光电器件技术领域。该光电探测器包括衬底和在其上依次设置的TMDC材料层、Weyl半金属材料层和薄膜电极，其中，TMDC材料层和Weyl半金属材料层构成范德华异质结；此器件可...
    2025-12-24
  • 一种光电探测器及其制作方法、光伏电池
    一种光电探测器及其制作方法、光伏电池_北京理工大学_202511199829.3
    本发明涉及一种光电探测器及其制作方法、光伏电池，属于光电探测器技术领域，解决现有长距离扩散会导致光生载流子的高复合率，从而限制响应度光电性能的问题。该器件包括：第一电极位于半导体衬底上方；石墨烯底电极位于第一电极上方，用于扩大二硫化钨‑硒化...
    2025-12-24
  • 一种半垂直异质结光电探测器及其制作方法
    一种半垂直异质结光电探测器及其制作方法_北京理工大学_202511199820.2
    本发明涉及一种半垂直异质结光电探测器及其制作方法，属于光电探测器技术领域，解决硒氧化铋的高迁移率会导致高暗电流及高复合率会限制响应度问题。该器件包括：半导体衬底；第一电极和第二电极在半导体衬底上方分别位于半导体衬底的相对两侧处；沟道区，于第...
    2025-12-24
  • 一种脉冲型光探测器、制备方法及其光加密通信应用方法
    一种脉冲型光探测器、制备方法及其光加密通信应用方法_北京理工大学_202511144534.6
    本发明公开了一种脉冲型光探测器、制备方法及其光加密通信应用方法，该探测器，具备频率选择性，只接受特定频率光信号，有效抗干扰及光电逻辑门特性，可以实现逻辑运算加密；脉冲型光探测器制备方法，能够实现图案化制备基底，且兼容多种材质，包括聚酰亚胺(...
    2025-12-24
  • 一种宽光谱微纳光电传感器及其制备方法与应用
    一种宽光谱微纳光电传感器及其制备方法与应用_中国科学技术大学苏州高等研究院_202511563847.5
    本发明属于光电检测技术领域，涉及一种宽光谱微纳光电传感器及其制备方法与应用，所述宽光谱微纳光电传感器采用多通道电极排布结构，每条传感通道由2根金属导线和1种金属氧化物构成，且每条传感通道的两端分别设置有导电触点，形成导电回路；其中，不同传感...
    2025-12-24
  • 降低能耗的电流辅助光子解调器
    降低能耗的电流辅助光子解调器_原子能和替代能源委员会_202510688336.X
    本发明涉及一种适于检测光辐射的电流辅助光子解调器(1)，包括 : 基于锗制成的检测部分(10)，该检测部分在平行于主平面的背面(Far)和正面(Fav)之间垂直延伸，该正面(Fav)旨在接收光辐射，该检测部分包括调制区(11)和收集区(12...
    2025-12-24
  • 一种超高耐压、亚纳秒级氮化铝光电导开关及脉冲功率系统
    一种超高耐压、亚纳秒级氮化铝光电导开关及脉冲功率系统_中山大学_202511162298.0
    本发明属于光电导开关技术领域，具体涉及一种超高耐压、亚纳秒级氮化铝(AlN)光电导开关(PCSS)及脉冲功率系统。本发明基于高质量的氮化铝单晶制作了具有异面错位电极结构的光电导开关器件。采用紫外脉冲激光作为触发光源，制作脉冲功率系统测试氮化...
    2025-12-24
  • 一种多分片光伏组件
    一种多分片光伏组件_陕西众森电能科技有限公司_202511335903.X
    一种多分片光伏组件，其特征在于：包括三个电池串组和由汇流带与旁路二极管焊接制成的一体化模组；通过采用由汇流带与旁路二极管焊接制成的一体化模组，实现在不增加接线盒的情况下增加旁路二极管的数量，降低每个旁路二极管对应的多分片电池串电压，降低热斑...
    2025-12-24
  • 太阳能电池片、太阳能电池组件及光伏发电系统
    太阳能电池片、太阳能电池组件及光伏发电系统_比亚迪股份有限公司_202511050307.7
    本申请涉及太阳能技术领域，尤其涉及一种太阳能电池片、太阳能电池组件及光伏发电系统。太阳能电池片包括硅片和多个电流收集单元，电流收集单元包括多个依次首尾相连的栅线段，栅线段连接在硅片上，相邻的两个电流收集单元通过栅线段相互拼接，以共同形成连续...
    2025-12-24
  • 一种背接触电池及其形成方法
    一种背接触电池及其形成方法_安徽阳光光能科技有限公司_202510976267.2
    本发明实施例涉及光伏领域，公开了一种背接触电池及其形成方法，其中，背接触电池包括：基底，基底包括相对的第一表面和第二表面；沿第一方向排布的多条主栅线，主栅线位于第一表面，多条主栅线包括正极主栅以及负极主栅，正极主栅以及负极主栅在第一方向间隔...
    2025-12-24
  • 金属互联条结构、电池串及其制备方法以及光伏组件
    金属互联条结构、电池串及其制备方法以及光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202410753283.0
    本发明公开了一种金属互联条结构、电池串及其制备方法以及光伏组件。金属互联条结构包括互联主体部以及突出部，所述互联主体部上设置有多个所述突出部，多个所述突出部沿着所述互联主体部的长度方向间隔分布，所述突出部突出于所述互联主体部宽度方向上的边缘...
    2025-12-24
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