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最新专利技术
  • 电子装置
    电子装置_群创光电股份有限公司_202410676215.9
    本发明提供一种电子装置。电子装置包括：一基板，包括有一显示区及围绕该显示区的一周边区；以及一静电防护结构，设置于该周边区，包括：一第一金属层，包括有相邻的一第一部分及一第二部分；一绝缘层，设置于该第一金属层上；以及一第二金属层，设置于该绝缘...
    2025-12-27
  • 高压大回扫堆叠双向SCR静电保护结构
    高压大回扫堆叠双向SCR静电保护结构_杰平方半导体(上海)有限公司_202410662512.8
    本发明公开了一种高压大回扫堆叠双向SCR静电保护结构，属于半导体制造技术领域，该高压大回扫堆叠双向SCR静电保护结构，包括第一P型衬底；第一P型掺杂区，位于第一P型衬底中，第一P型掺杂区的顶部从左至右依次分布有第三P型掺杂区、第一N型掺杂区...
    2025-12-27
  • 集成电路
    集成电路_三星电子株式会社_202510192610.4
    集成电路(IC)包括布置在第一列中的多个第一分接单元、以及布置在第二列中并且设置在与其中设置多个第一分接单元的行不同的行中的多个第二分接单元。第二列在第一方向上与第一列相邻并且与第一列间隔第一距离。所述IC包括多个第三分接单元，多个第三分接...
    2025-12-27
  • 电路基板及发光面板
    电路基板及发光面板_武汉华星光电技术有限公司_202511142043.8
    本申请实施例公开了一种电路基板和发光面板，电路基板其包括基板、基底结构、绝缘层和化学镀层，基底结构包括电极部和辅助部，辅助部设置在电极部的边缘区域，电极部远离基板的一侧形成有凹槽，凹槽的边缘区域设置于辅助部靠近基板的一侧并与辅助部界定形成底...
    2025-12-27
  • 半导体器件及形成方法
    半导体器件及形成方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511046986.0
    本发明提供一种半导体器件及形成方法，包括：在有源区的表面形成栅极结构以及分别位于栅极结构两侧的有源区内的源端和漏端；在栅极结构的表面和浅沟槽隔离结构的表面形成第一介质层，位于第一介质层内的第一金属层和第二金属层，第一金属层通过第一接触孔连接...
    2025-12-27
  • 一种绝缘体上硅衬底及其制备方法
    一种绝缘体上硅衬底及其制备方法_芯联集成电路制造股份有限公司_202511606930.6
    本申请提供一种绝缘体上硅衬底及其制备方法，包括：提供第一衬底和第二衬底；第一衬底和第二衬底中的至少一个衬底的表面形成绝缘层和位于绝缘层中的至少一个导热结构，每个导热结构包括至少一层第一绝缘导热层和至少一层第二绝缘导热层，其中，第一绝缘导热层...
    2025-12-27
  • 一种驱动电路单片集成器件及其制备方法
    一种驱动电路单片集成器件及其制备方法_南京大学_202511211973.4
    本申请提供一种驱动电路单片集成器件及其制备方法，其中的器件包括形成于同一个外延结构上的HEMT和垂直型MOSFET以及位于HEMT和垂直型MOSFET之间的隔离沟槽，垂直型MOSFET的栅极设置于隔离沟槽侧壁；第一布线层，至少部分形成于隔离...
    2025-12-27
  • 半导体管芯和用于制造半导体管芯的方法
    半导体管芯和用于制造半导体管芯的方法_半导体元件工业有限责任公司_202411350482.3
    本公开提供了半导体管芯和用于制造半导体管芯的方法，该半导体管芯包括硅层。第一器件电路形成在该硅层的第一端部处的第一区域中，并且第二器件电路形成在硅层的第二端部处的与该第一区域相距一定距离的第二区域中。该第一端部与该第二端部相对，并且该第一器...
    2025-12-27
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511621046.X
    本申请涉及一种半导体器件及其制造方法，包括：衬底，包括相邻设置的第一器件区和第二器件区；多个栅极结构，间隔设置于所述衬底上；西格玛沟槽，位于所述第一器件区内，且所述西格玛沟槽设置于相邻两个所述栅极结构之间的所述衬底内；隔离沟槽，位于所述第二...
    2025-12-27
  • 降低半导体器件延迟的器件结构
    降低半导体器件延迟的器件结构_上海华力集成电路制造有限公司_202511195912.3
    本发明公开了一种降低半导体器件延迟的器件结构中，半导体器件包括形成于半导体衬底表面上的平面栅。第一层间膜形成于平面栅外侧的半导体衬底表面上并将平面栅的侧面包覆。第一层间膜包括由多层二氧化硅层和多层LK材料层交替生长形成的叠加结构，LK材料层...
    2025-12-27
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202510283461.2
    一些示例实施例提供一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一下栅极结构，在第一方向上延伸；上器件隔离结构，在第一下栅极结构上在第一方向上延伸；第二下栅极结构，在第二方向上与第一下栅极结构间隔开，第二方向与第一方向交叉，并且第二下栅极结构在第一...
    2025-12-27
  • n/p MOS栅极堆叠及其制造方法
    n/p MOS栅极堆叠及其制造方法_三星电子株式会社_202510154451.9
    n/p MOS栅极堆叠包括：半导体衬底，具有nMOS区域和pMOS区域；nMOS堆叠，包括第一界面层、形成在第一界面层上的第一高介电层、形成在第一高介电层上的第一n金属层、以及形成在第一n金属层上的第一上电极，它们形成在nMOS区域中；以及...
    2025-12-27
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202510612967.3
    一种半导体装置包括：下层间绝缘层，包括在第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面；多个有源图案，设置在下层间绝缘层的第一表面上；栅极结构，设置在下层间绝缘层的第一表面上；源极/漏极图案，连接到所述多个有源图案；下导电层，设置在下层间绝缘层的第...
    2025-12-27
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202411839785.1
    一种半导体装置包括：第一有源图案和第二有源图案，在第一方向上彼此间隔开；第一半导体图案和第二半导体图案，与第一有源图案叠置；第三半导体图案和第四半导体图案，与第二有源图案叠置；下隔离绝缘层，在第一有源图案与第二有源图案之间；源极/漏极图案，...
    2025-12-27
  • 半导体器件、半导体器件的形成方法和电子装置
    半导体器件、半导体器件的形成方法和电子装置_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410702628.X
    本申请涉及半导体器件、半导体器件的形成方法和电子装置，该半导体结构包括：衬底，位于衬底上的多个栅氧化结构和多个浅槽隔离结构，多个栅氧化结构和多个浅槽隔离结构沿第一方向间隔分布，位于每个浅槽隔离结构上的第一结构，第一结构包括沿第二方向间隔分布...
    2025-12-27
  • 一种新型的高性能增强型GaN功率器件及其制备方法
    一种新型的高性能增强型GaN功率器件及其制备方法_西安电子科技大学_202511193429.1
    本发明公开了一种新型的高性能增强型GaN功率器件及其制备方法，功率器件包括共用衬底结构的耗尽型HEMT和增强型HEMT，耗尽型HEMT包括第一复合沟道层、第一势垒层、第一栅极、第一源极和第一漏极，增强型HEMT包括：第二复合沟道层、第二势垒...
    2025-12-27
  • 嵌入式MV器件的工艺集成方法
    嵌入式MV器件的工艺集成方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511195905.3
    本发明公开了一种嵌入式MV器件的工艺集成方法中，MV器件的第一有源区的回刻工艺的步骤包括：形成第一掩膜层并对第一掩膜层进行图形化以打开第二导电类型MV阱的形成区域。以第一掩膜层为掩膜进行第二导电类型的离子注入以形成第二导电类型MV阱。以第一...
    2025-12-27
  • 形成半导体装置结构的方法
    形成半导体装置结构的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511100835.9
    本揭露的实施方式提供形成半导体装置结构的方法。此方法包括从基板形成鳍结构及鳍结构包括交替的第一及第二半导体层。此方法还包括移除每个第二半导体层的边缘部分、沉积围绕在鳍结构的绝缘材料、执行热工艺以横向地扩张第二半导体层、形成牺牲栅极结构在鳍结...
    2025-12-27
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510731504.9
    方法包括：沉积第一层间电介质(ILD)，第一层间电介质围绕第一伪栅极堆叠件和第二伪栅极堆叠件；使第一ILD凹进至第一伪栅极堆叠件和第二伪栅极堆叠件的顶面下方；在第一ILD上方以及在第一伪栅极堆叠件和第二伪栅极堆叠件之间形成硬掩模；执行离子注...
    2025-12-27
  • 形成半导体器件的方法
    形成半导体器件的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510721911.1
    示例性可流动化学气相沉积方法包括：在衬底上方沉积可流动介电材料；紫外线固化可流动介电材料；以及退火紫外线固化的可流动介电材料。可流动介电材料填充第一栅极结构和第二栅极结构之间的间隔。紫外线固化的紫外线功率大于约80％，并且退火的退火温度小于...
    2025-12-27
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