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太阳能电池制备方法及太阳能电池
本申请涉及太阳能电池技术领域,公开了一种太阳能电池制备方法及太阳能电池,本申请的太阳能电池制备方法包括:提供具有截面的初始分片电池片;对所述截面进行氧化处理,形成氧化层;在所述氧化层远离所述截面的表面上形成含氢钝化层;对所述含氢钝化层远离所...
一种背面局部掺杂的TBC电池及其制备方法
本申请具体公开了一种背面局部掺杂的TBC电池及其制备方法,涉及太阳能电池技术领域,其制备方法包括:在N型硅衬底背面制备隧穿氧化硅层和多晶硅层后,采用硼浆和磷浆印刷形成掺杂源区,替代传统高温扩散;随后利用激光扫描,通过调整激光图形使电极接触区...
一种背面局部掺杂的TBC电池及其制备方法
本申请具体公开了一种背面局部掺杂的TBC电池及其制备方法,涉及太阳能电池技术领域,其制备方法包括:在硅衬底背面沉积隧穿氧化硅层和多晶硅层后,通过印刷不同掺杂源含量的硼浆和磷浆,在背面的多晶硅层上形成重掺杂区域和轻掺杂区域;再利用激光进行选择...
一种光伏电池片的刻蚀方法
本发明公开了一种光伏电池片的刻蚀方法,涉及电池制造技术领域,包括:将硅片送入预处理槽,利用HF药液去除硅片正面和周边的磷硅玻璃层;将硅片送入刻蚀槽,利用混合药液对硅片进行刻蚀操作;将硅片送入水槽,利用去离子水去除硅片表面残留的混合药液;将硅...
改善铟剥离后铟皮残留的方法
本发明提供一种改善铟剥离后铟皮残留的方法,包括:提供衬底,形成光刻胶层,所述光刻胶层覆盖所述衬底暴露的表面,图形化所述光刻胶层以形成铟柱定位孔;形成铟层,所述铟层沉积在所述铟柱定位孔内,以及覆盖所述光刻胶层表面;采用醇类溶剂浸泡所述衬底;采...
剥离金属层的方法
本发明提供一种剥离金属层的方法,包括:提供衬底;形成光刻胶层,所述光刻胶层覆盖所述衬底表面,并图形化所述光刻胶层以定义出金属定位槽;形成金属层,所述金属层沉积在所述金属定位槽内,以及覆盖所述光刻胶层表面;采用粘性膜剥离设备剥离所述金属层;采...
太阳能电池的制备方法
本发明涉及太阳能电池技术领域,具体涉及太阳能电池的制备方法,其中第二开膜包括激光开膜,激光开膜的激光扫描区域包括中间扫描区和分布于中间扫描区侧边的边缘扫描区;中间扫描区包括多个呈N行M列分布的第一激光光斑,相邻的两个第一激光光斑之间具有重合...
一种二维硒化铟本征缺陷调控方法及其在光电探测器上的应用
本发明提供了一种二维硒化铟本征缺陷调控方法及其在光电探测器上的应用,解决现有针对二维硒化铟材料内部缺陷水平不可控导致其光电探测器性能离散性严重的调控策略仍停留在定性层面,无法确立缺陷与器件性能的定量关联,难以实现精准调控的问题。本发明方法选...
硅片及其处理方法、太阳能电池和光伏组件
本发明提供了硅片及其处理方法、太阳能电池和光伏组件。处理硅片的方法包括:提供待处理硅片,待处理硅片的表面具有多个线痕槽,线痕槽包括底壁和侧壁;对待处理硅片的表面进行识别,得到第一区域和第二区域,第一区域包括底壁和靠近底壁的部分侧壁,第二区域...
电池分片的边缘钝化方法、边缘钝化系统、电池分片及光伏组件
本发明公开了一种电池分片的边缘钝化方法、边缘钝化系统、电池分片及光伏组件。电池分片的边缘钝化方法包括:获得具有侧切面的电池分片;在所述侧切面上形成钝化层;在所述钝化层上喷涂保护溶液,以覆盖所述钝化层的至少部分表面;干燥所述保护溶液,以在所述...
一种光伏电池板层压生产设备
本申请提供了一种光伏电池板层压生产设备,涉及光伏电池板生产技术领域,包括机架、进料组件、出料组件以及层压机仓,限位组件包括设置在机架顶部的推进部件、设置在推进部件输出端的夹持部件以及设置在夹持部件底部的挤压部件,处理组件包括设置在层压机仓顶...
光伏组件激光焊接返修方法
本发明提供一种光伏组件激光焊接返修方法,包括:将不良电池片上的焊带拆掉;对不良电池片与主栅垂直的两侧的非交联区域进行切割,以增大不良电池片的两侧的片间距;沿不良电池片的四周的片间距和串间距将正面胶膜划开,以取下不良电池片;在不良电池片的所在...
太阳能光伏电池链式生产系统及其单片追溯方法
本申请涉及一种太阳能光伏电池链式生产系统及其单片追溯方法,管理平台根据首端的工艺设备发送的虚拟ID请求信息分配硅片虚拟ID,将硅片虚拟ID与花篮内层数信息下发至首端的工艺设备;首端的工艺设备接收管理平台下发的电池硅片的硅片虚拟ID和花篮内层...
胶膜结构及其制备工艺、光伏组件及其制备工艺
本申请涉及一种胶膜结构及其制备工艺、光伏组件及其制备工艺。该胶膜结构的制备工艺包括以下步骤:将多根导电部件沿第一方向间隔排布,并分别放置于第一滚轮的多个容纳槽中,且导电部件凸出于第一滚轮的外周面;将胶膜输送至第一滚轮与第二滚轮之间;控制第一...
一种倒置生长阵列雪崩光电探测器结构材料的方法
本发明公开了一种倒置生长阵列雪崩光电探测器结构材料的方法,其包括以下步骤:第一步:在衬底上依次外延生长p掺InP层和n重掺InP覆盖层;第二步:对p掺InP层和n重掺InP覆盖层进行台面刻蚀;第三步:在第二步形成的结构上,二次外延生长InP...
用于制造背接触电池、电池串以及电池组件的方法
本申请适用于太阳能电池技术领域,提供了一种用于制造背接触电池、电池串以及电池组件的方法,通过在第一掺杂层和第二掺杂层上制备直接与焊接件焊接的金属薄膜层,可以无需设置主栅来进行汇流,也无需在掺杂层上设置金属化细栅和电镀工艺,解决了成本。同时,...
一种N型TOPCon电池片及其制备方法
本发明实施例提供了一种N型TOPCon电池片及其制备方法,其中,本发明实施例所提供的制备方法中,利用激光辅助烧结正极栅线和/或负极栅线,可以在不损害硅片钝化层的情况下,直接形成低电阻的金属电极与硅之间接触点,从而降低整体的接触电阻,并促进金...
一种开窗介质孔超薄多光谱堆叠芯片
本发明公开了一种开窗介质孔超薄多光谱堆叠芯片,涉及多光谱成像技术领域。包括:超薄可见光芯片,所述超薄可见光芯片为经过感光区介质层开窗、正面镀膜新介质层、临时键合、背部极限减薄及反面镀膜新介质层制备工艺处理的晶圆;常规厚度的第二感光芯片,所述...
背照式图像传感器及其制备方法
本发明属于半导体技术领域,公开一种背照式图像传感器及其制备方法,所述方法包括:提供一晶圆键合结构;晶圆键合结构包括器件晶圆;对器件晶圆的背面进行共离子注入,然后进行化学机械平坦化使器件晶圆减薄至设定厚度,然后在器件晶圆的背面形成衬底氧化层;...
阵列基板及其制作方法、平板探测器
本申请属于显示领域,具体涉及一种阵列基板及其制作方法、平板探测器,阵列基板包括衬底基板,以及依次形成在衬底基板上的第一金属层、光电转换层、缓冲层和共掩膜层,第一金属层包括第一导体部和第二导体部,光电转换层形成在第二导体部远离衬底基板一侧,共...
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