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  • 一种半导体结构及其形成方法,方法包括:以第一掩膜层为掩膜,对栅极材料层进行刻蚀,形成栅极结构对,栅极结构对沿第一方向的一侧与衬底围成第一开口,一栅极结构对包括2个沿第一方向依次排列的栅极结构,一栅极结构对的2个栅极结构之间形成第二开口;在第...
  • 本申请公开了一种应用于闪存器件制作中的工艺方法,包括:在正面氮化物层上形成保护氧化物层,正面氮化物层形成于浮栅多晶硅层上,浮栅多晶硅形成于耦合氧化物层上,耦合氧化物层形成于衬底正表面,衬底背表面上形成有背面氧化物层,背面氧化物层上形成有背面...
  • 本发明提供一种在浮栅闪存工艺中集成非自对准高压CMOS器件的方法,该方法包括:提供衬底;形成浮栅材料层;将高压CMOS器件区域内的浮栅材料层图案化,形成具有梯形截面的硬掩膜;利用该硬掩膜对衬底进行倾斜离子注入,以形成轻掺杂漏极区。其中,该梯...
  • 本发明提供一种二比特浮栅型分栅闪存器件及其制造方法。器件的控制栅包括厚度大于内侧部分的外侧部分,金属硅化物层形成于所述控制栅的所述外侧部分的上表面和外侧面上。该形成方法包括:采用各向同性与各向异性相结合的刻蚀方式,形成所述具有非对称厚度的控...
  • 提供了半导体装置和包括半导体装置的数据存储系统。所述半导体装置,包括:导电层;堆叠结构,包括在第一方向上堆叠的栅电极,并且堆叠结构在第一区域和与第一区域相邻的第二区域中在第一方向上堆叠;沟道结构,在第一方向上穿透堆叠结构;接触结构,包括穿透...
  • 本申请涉及存储设备技术领域,公开了一种4F2存储单元、存储器及4F2存储单元的制备方法,该4F2存储单元,包括:衬底;在所述衬底一侧表面沿厚度方向外延生长的半导体材料柱;覆盖所述半导体材料柱表面的中间介质层;覆盖所述中间介质层远离所述衬底一...
  • 本申请提供一种存储器的制备方法、存储器及半导体器件。方法包括:在衬底上形成多个堆叠结构,每个堆叠结构包括:在第一方向上依次堆叠的第一有源结构和第二有源结构,第一有源结构相比于第二有源结构远离衬底,第一有源结构和第二有源结构沿第一方向自对准;...
  • 本申请提供一种存储器的制备方法、存储器及电子设备,方法包括:形成衬底以及衬底上的堆叠结构,其中,堆叠结构包括在第一方向上依次堆叠的第一有源结构和第二有源结构;在衬底上的第一区域内,基于第一有源结构,形成第一存储器;第一存储器包括第一晶体管,...
  • 本申请提供一种存储器的制备方法、存储器及电子设备,方法包括:在半导体衬底上形成叠层结构,叠层结构包括第一叠层结构、第一隔离结构和第二叠层结构;刻蚀第二叠层结构、第一隔离结构和第一叠层结构,以形成第一凹槽;在第一凹槽内,依次形成第一沟道结构和...
  • 一种包括上绝缘层的半导体器件。在单元区域中,上绝缘层可以与单元盖图案接触,在核心区域中,上绝缘层布置为穿透绝缘薄层以与核心盖图案、绝缘间隔物和绝缘薄层中的每个接触。
  • 一种存储器装置的制造方法包括在基板中形成沟槽,形成沿着沟槽的表面的栅极介电层;在沟槽中与栅极介电层上方形成字元线;蚀刻栅极介电层,使得栅极介电层的顶部末端低于基板的顶表面;在栅极介电层的顶部末端上方形成着陆垫;形成介电层,从而覆盖字元线、着...
  • 本公开实施例涉及半导体领域,提供了一种半导体结构及其制备方法,包括:衬底,衬底包括存储区和外围区,存储区内设置有位线结构和位于位线结构之间的接触插塞;着陆垫,间隔设置于对应的接触插塞上,并与接触插塞电连接;第一隔离层,位于着陆垫之间,且覆盖...
  • 本公开实施例提供一种半导体器件及其制造方法。半导体器件的制造方法包括:提供基底结构,所述基底结构包括半导体层和位于所述半导体层中沿第一方向延伸的多个第一沟槽;通过所述第一沟槽对所述半导体层进行第一次离子注入,以在所述第一沟槽的底部形成第一掺...
  • 本公开内容涉及用于管理半导体装置中的接触结构的方法、装置、系统和技术。示例性半导体装置包括第一半导体结构。所述第一半导体结构包括:沿第一方向彼此交替的导电层和隔离层的第一堆叠体;沿所述第一方向彼此交替的导电层和隔离层的第二堆叠体;沿所述第一...
  • 本发明公开了一种SRAM存储单元、SRAM器件及其制备方法,属于半导体领域,本发明首先将NMOS和PMOS的有源区分别设置在各自最佳方向上,然后将PMOS进行下沉设置,使得两种晶体管的有源区错开设置以提高散热能力;并且本发明为了制作上述结构...
  • 本发明公开了一种SRAM存储单元、静态随机存取存储器及其制备方法,属于半导体领域,本发明将两个传输栅极晶体管的沟道方向设置为第一方向,两个上拉晶体管的沟道方向设置为第二方向,两个下拉晶体管的沟道方向设置为第三方向,第三方向与第一方向为同族晶...
  • 本申请提供一种静态随机存取存储器及制备方法、器件、电子设备,该方法包括:在衬底上形成正面有源结构和背面有源结构;正面有源结构和背面有源结构在第一方向上堆叠设置;基于正面有源结构,形成正面半导体结构;正面半导体结构包括第一正面晶体管、第二正面...
  • 本发明公开了一种防位移型SMT贴片装置,本发明涉及SMT贴片技术领域,真空吸附管的外壁滑动连接有升降伸缩管,贴片装置的上侧连接有用于夹持SMT贴片的两个夹持板,贴片架的内部安装有用于挤压夹持板提高SMT贴片的夹持效果的下压架,两块夹持板的上...
  • 本发明属于贴装技术领域,公开一种大片料精准定位贴装机,包括取料位和贴装位,所述取料位和所述贴装位之间设置有取料部件,所述取料部件包括移动部件,所述移动部件的移动端设置有取料吸盘,所述取料吸盘上设置有压辊;通过集成可升降压辊结构与取料吸盘的一...
  • 本发明公开了一种PCB板加工用贴片装置,涉及电子元件加工设备的技术领域,包括工作台、第一传送机构、第二传送机构和贴片机构,贴片机构包括转动轴、转动架、安装板和吸附组件,安装板上开设有两个相对布置的通槽,吸附组件设置有两组,且分别设置在对应的...
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