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最新专利技术
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202511143129.2
    一种半导体装置可包括：多个沟道，在基底的第一区域上，所述多个沟道在与基底的上表面垂直的竖直方向上彼此间隔开，并且基底包括第一区域和第二区域；栅极结构，至少部分地围绕所述多个沟道中的每个；位线，与所述多个沟道中的每个的第一端部接触，位线在竖直...
    2026-03-19
  • 半导体存储器件
    半导体存储器件_三星电子株式会社_202511131214.7
    一种半导体存储器件，可以包括：垂直半导体图案，垂直半导体图案在第一方向上延伸；多条位线，多条位线位于垂直半导体图案的下表面上，位线中的每一者在垂直于第一方向的第二方向上延伸；以及多个第一栅极结构，多个第一栅极结构位于垂直半导体图案的第一侧表...
    2026-03-19
  • 半导体存储装置
    半导体存储装置_新加坡优尼山帝斯电子私人有限公司_202511130944.5
    本发明涉及一种半导体存储装置，是在金属半导体绝缘膜电场效应晶体管的电性浮体中储存多数载子以存储数据。通过将与浮体电容耦合的板线按每一字符线分离并配线成平行于字符线，而通过对于板线施加电压，从而沿着字符线一并执行多数载子的擦除操作。半导体存储...
    2026-03-19
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_爱思开海力士有限公司_202511040999.7
    本申请涉及半导体器件及其制造方法。半导体器件可包括高集成度的存储单元，并且制造半导体器件的方法可包括形成模堆叠，该模堆叠包括垂直堆叠在衬底之上的多个模层；在模堆叠中形成牺牲层；蚀刻牺牲层并形成多个牺牲层图案和多个孔形开口；形成填充孔形开口的...
    2026-03-19
  • 半导体存储器装置
    半导体存储器装置_三星电子株式会社_202511032597.2
    示例半导体存储器装置可包括：第一导线，在与基底垂直的第一方向上延伸；第一栅电极，在基底上在与第一方向交叉的第二方向上延伸；第一半导体图案，从第一导线延伸到第一栅电极；第二栅电极，在基底上与第一栅电极间隔开，并且在第二方向上延伸；以及接触件，...
    2026-03-19
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202510974797.3
    一种半导体装置可以包括：位线，其在第一方向上延伸；第一半导体竖直部分，其位于位线上并在竖直方向上延伸；第一字线，其与第一半导体竖直部分相邻；栅极绝缘图案，其在第一半导体竖直部分和第一字线之间；以及接触图案，其位于第一半导体竖直部分的上表面上...
    2026-03-19
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202510520169.8
    一种半导体器件，包括：存储单元阵列区域，包括与字线和位线连接的存储单元；以及外围电路区域，包括第一半导体元件和第二半导体元件。第一半导体元件和第二半导体元件中的每一个包括：鳍结构，在衬底上沿第一方向延伸；栅极结构，沿垂直于第一方向的第二方向...
    2026-03-19
  • 电气结构及其制备方法
    电气结构及其制备方法_南亚科技股份有限公司_202510233415.1
    本申请公开一种半导体元件及该半导体元件的制备方法。该半导体元件包括一基底；一第一绝缘层，经配置在该基底的一第一表面上；一第二绝缘层，经配置在该第一绝缘层上；以及一电气接点，延伸穿过该第一绝缘层及该第二绝缘层，以与该基底的该第一表面电性连接，...
    2026-03-19
  • 形成存储器装置的方法
    形成存储器装置的方法_南亚科技股份有限公司_202411482354.4
    本公开的一些实施方式提供一种形成存储器装置的方法，包括在介电质结构上形成光阻、穿过光阻形成介电质结构中的沟槽以暴露嵌入介电质结构中的栅极电极、通过灰化气体移除光阻，其中灰化气体具有将硅晶圆的表面氧化成厚度薄于的氧化层的氧化能力。方法还包括形...
    2026-03-19
  • 半导体存储器结构及其形成方法
    半导体存储器结构及其形成方法_华邦电子股份有限公司_202411406837.6
    本申请实施例提供一种半导体存储器结构及其形成方法，半导体存储器结构包含第一主动区、相邻于第一主动区的第二主动区、围绕第一主动区和第二主动区的隔离结构、横跨第一主动区延伸的第一位线结构、以及延伸至第二主动区中的接触插塞。隔离结构包含第一绝缘材...
    2026-03-19
  • 导电结构、半导体装置及其制造方法
    导电结构、半导体装置及其制造方法_力晶积成电子制造股份有限公司_202411207189.1
    本发明公开一种导电结构、半导体装置及其制造方法，其中该导电结构包括第一导电层、第二导电层、绝缘层以及导电插塞。第二导电层位于第一导电层上，且第二导电层至少覆盖第一导电层的第一部分。绝缘层覆盖第一导电层及第二导电层。导电插塞从绝缘层上方穿过绝...
    2026-03-19
  • 一种埋入式字线的制备方法
    一种埋入式字线的制备方法_长鑫科技集团股份有限公司_202411183636.4
    本公开提供了一种埋入式字线的制备方法。埋入式字线的制备方法包括提供衬底；在衬底中形成字线沟槽；在字线沟槽内形成栅介质层；在字线沟槽内填充金属层，金属层位于栅介质层的表面；在字线沟槽内形成含氮掩模层，含氮掩模层覆盖金属层的末端区域；以含氮掩模...
    2026-03-19
  • 半导体结构及半导体结构的制备方法
    半导体结构及半导体结构的制备方法_长鑫科技集团股份有限公司_202411183540.8
    本公开提供了半导体结构及半导体结构的制备方法，涉及半导体技术领域。该半导体结构包括：衬底，衬底内设置有沿第一方向、第二方向间隔排布的多个有源柱，有源柱均沿第三方向延伸；以及衬底内设置有多个沿第一方向延伸的第一沟槽和多个沿第二方向延伸的第二沟...
    2026-03-19
  • 半导体器件及其制备方法和电子设备
    半导体器件及其制备方法和电子设备_北京超弦存储器研究院_202411147053.6
    本申请公开了一种半导体器件及其制备方法和电子设备，涉及半导体技术领域。该方法包括：提供基底，基底上形成有包括交替层叠的绝缘层和牺牲层的叠层结构；叠层结构中形成有第一沟槽；基于第一沟槽，沿第三方向刻蚀牺牲层，形成第二沟槽；基于第二沟槽，沿第一...
    2026-03-19
  • 存储器及其制造方法、电子设备
    存储器及其制造方法、电子设备_长鑫科技集团股份有限公司_202411140980.5
    一种存储器及其制造方法、电子设备。存储器包括第一半导体结构，第一半导体结构包括有源柱行、字线、数据存储单元、第一接触插塞。有源柱行包括沿第一方向延伸且沿第二方向排列的多个有源柱，该多个有源柱包括位于第一区域中的第一有源柱和位于第二区域中的第...
    2026-03-19
  • 一种存储器及其访问方法、电子设备
    一种存储器及其访问方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411140868.1
    一种存储器及其访问方法、电子设备，存储器包括：垂直于衬底方向堆叠的多层存储单元阵列，多条字线；沿第二方向分布的同一列或者多层同列的字线分为K个第一字线组，同一第一字线组的字线分别通过对应的选通子电路连接到同一第一字线驱动器；字线划分为多个第...
    2026-03-19
  • 一种半导体器件及其制造方法、电子设备
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411140255.8
    一种半导体器件及其制造方法，电子设备，所述半导体器件包括：分布于多层沿垂直于衬底方向堆叠的多个电容器，贯穿所述多个电容器的电容器孔；所述电容器包括第一电容电极和第二电容电极，以及，设置在所述第一电容电极和第二电容电极之间的介电层；多个所述第...
    2026-03-19
  • 半导体器件及其制造方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411139700.9
    本申请提供了一种半导体器件及其制造方法、电子设备。该半导体器件包括：衬底、多层堆叠于衬底上的晶体管单元和字线。多层堆叠于衬底上的晶体管单元；每层晶体管单元包括多个沿第一方向间隔排布的晶体管单元，每个晶体管单元包括至少两个沿第一方向间隔排布的...
    2026-03-19
  • 半导体器件及其制造方法、电子设备和工作方法
    半导体器件及其制造方法、电子设备和工作方法_北京超弦存储器研究院_202411139697.0
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备和工作方法，包括：多个存储单元，每个存储单元包括分布在不同层的第一存储子单元和第二存储子单元；多条字线，沿第二方向排布的一列所述存储单元分别与两条所述字线连接，其中一条所述字线与一列所述第一存储子单元连接...
    2026-03-19
  • 存储单元、存储器及其制备方法、电子设备
    存储单元、存储器及其制备方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411139608.2
    一种存储单元包括沿平行于衬底的第一方向排布的第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管包括第一栅极和第一半导体层。第一栅极和第一半导体层均沿垂直于衬底的第二方向延伸，且第一半导体层环绕第一栅极。第二晶体管包括第二栅极和第二半导体层。第二栅极和第二半...
    2026-03-19
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