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最新专利技术
  • 集成电路装置
    集成电路装置_三星电子株式会社_202510612538.6
    提供了一种包括具有不同宽度的多个半导体图案的集成电路装置。为了最小化或减少从具有相对小宽度的半导体图案到源极/漏极区下方的电流泄漏，可在与窄半导体图案对应的源极/漏极区下方选择性地形成具有特定厚度的下薄膜，从而提高装置的电可靠性。此外，提供...
    2026-03-18
  • 半导体器件和用于制造该半导体器件的方法
    半导体器件和用于制造该半导体器件的方法_三星电子株式会社_202510296779.4
    一种半导体器件可以包括：第一杂质图案和第二杂质图案，在衬底上沿第一方向彼此间隔开，其中，第一方向可以平行于衬底的上表面，并且其中，第一杂质图案和第二杂质图案可以包括具有不同导电类型的杂质；第一半导体图案，在第一杂质图案和第二杂质图案之间；以...
    2026-03-18
  • 半导体装置及制造半导体装置的方法
    半导体装置及制造半导体装置的方法_爱思开海力士有限公司_202510041659.X
    本申请涉及半导体装置及制造半导体装置的方法。一种半导体装置包括：第一栅极结构，其包括交替地层叠的第一导电层和第一绝缘层；位于第一栅极结构上的第二栅极结构，其包括交替地层叠的第二导电层和第二绝缘层；以及延伸穿过第一栅极结构和第二栅极结构且具有...
    2026-03-18
  • 具有电子阻挡层的反向导通IGBT
    具有电子阻挡层的反向导通IGBT_力特保险丝公司_202511137877.X
    公开了一种具有电子阻挡层的反向导通IGBT。一种用于反向导通绝缘栅双极晶体管和相关结构的装置和相关方法。该装置包括设置在正面和背面之间的衬底、设置在衬底中的二极管导频区、设置在衬底中的绝缘栅双极晶体管(IGBT)区、以及与二极管导频区和IG...
    2026-03-18
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202411117491.8
    本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括在衬底表面区域的高压器件形成区、所述中压器件形成区和所述低压器件形成区分别形成的高压MOS器件、中压MOS器件以及低压MOS器件，并且，在所述中压器件形成区，栅介质层具有沿沟道长度方向...
    2026-03-18
  • 一种并联SiC MOSFET器件及其制备方法
    一种并联SiC MOSFET器件及其制备方法_深圳市芯电元科技有限公司_202610103150.8
    本申请公开了一种并联SiC MOSFET器件及其制备方法，该制备方法包括：将器件外延层划分为元胞区和辅助均流区，辅助均流区位于元胞区的一侧边缘；通过第一预设工艺在器件外延层进行沟槽蚀刻处理，以在元胞区蚀刻出若干主沟槽；通过第二预设工艺再次在...
    2026-03-18
  • 垂直晶体管的制备方法、垂直晶体管及半导体器件
    垂直晶体管的制备方法、垂直晶体管及半导体器件_北京知识产权运营管理有限公司_202511713479.8
    本申请提供了一种垂直晶体管的制备方法、垂直晶体管及半导体器件；该方法包括：在半导体衬底中形成介质叉片，介质叉片在竖直方向上部分嵌入半导体衬底内部；去除半导体衬底的一部分和介质叉片的一部分，以分别形成一对有源结构和介质柱，一对有源结构中的两个...
    2026-03-18
  • 垂直晶体管的制备方法、垂直晶体管及半导体器件
    垂直晶体管的制备方法、垂直晶体管及半导体器件_北京知识产权运营管理有限公司_202511700073.6
    本申请提供了一种垂直晶体管的制备方法、垂直晶体管及半导体器件；该方法包括：在半导体衬底中形成介质叉片，其中，介质叉片在竖直方向上部分嵌入半导体衬底内部；去除半导体衬底的一部分，以形成一对有源结构，其中，一对有源结构中的两个有源结构沿第一水平...
    2026-03-18
  • 制造半导体器件的方法
    制造半导体器件的方法_三星电子株式会社_202510850074.2
    一种制造半导体器件的方法包括：形成被配置为第一基层、包括硅锗的第一蚀刻停止层、第二基层、包括硅锗的第二蚀刻停止层和第三基层的衬底叠层。通过蚀刻所述衬底叠层中的部分区域在所述衬底叠层中形成开口。在所述开口内生长单晶硅。形成在所述衬底叠层上并被...
    2026-03-18
  • 功率组件及其制造方法
    功率组件及其制造方法_王佩如_202510810396.4
    本申请涉及一种功率组件及其制造方法。本申请涉及的功率组件，包含一沟槽结构、一凸型(mesa)部、一栅极介电层、一栅极、一氧化层、以及一载子浮置层。所述沟槽结构位于一半导体层上。所述凸型(mesa)部配置于所述沟槽结构中，具有一上部电极、一中...
    2026-03-18
  • 石墨炔作栅介质层的半导体器件及制备方法
    石墨炔作栅介质层的半导体器件及制备方法_南开大学_202411162670.3
    本发明为一种石墨炔作栅介质层的半导体器件及制备方法。结构包括Si/SiO2衬底、半导体功能层、石墨炔介电层和金属电极；衬底上设有金属电极。具有底电极的衬底上设有二维半导体功能层，功能层覆盖底电极间沟道。所述功能层上设有新型石墨炔薄膜，该薄膜...
    2026-03-18
  • 一种半导体器件阈值电压控制方法、系统、设备及介质
    一种半导体器件阈值电压控制方法、系统、设备及介质_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610130109.X
    本发明提供的一种半导体器件阈值电压控制方法、系统、设备及介质，所述控制方法包括：制作栅介质层，测量并获取所述栅介质层的第一厚度；在所述栅介质层的基础上形成栅极多晶硅层，并对所述栅极多晶硅层表面进行氧化，得到离子阻挡层，测量并获取所述多晶硅层...
    2026-03-18
  • 半导体结构的制作方法
    半导体结构的制作方法_荣芯半导体(淮安)有限公司_202511848053.3
    本申请提供一种半导体结构的制作方法。该制作方法包括：提供表面形成有栅极氧化层和栅电极的半导体基底；在半导体基底上形成第一侧墙材料层，第一侧墙材料层共形地覆盖半导体基底、栅电极和栅极氧化层；在第一侧墙材料层上形成第二侧墙，第二侧墙位于栅电极的...
    2026-03-18
  • 半导体器件的制备方法及半导体器件
    半导体器件的制备方法及半导体器件_芯联先锋集成电路制造(绍兴)有限公司_202511810110.9
    本申请实施例涉及一种半导体器件的制备方法和半导体器件，包括：提供半导体结构，包括衬底及衬底上的待刻蚀层；在待刻蚀层上形成硬掩模层；进行图案化处理，以形成暴露出待刻蚀层部分表面的开口；执行第一沉积步骤，形成第一材料层，包括覆盖硬掩模层上表面的...
    2026-03-18
  • 金属栅的制造方法
    金属栅的制造方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511767507.4
    本发明公开了一种金属栅的制造方法，包括：在半导体衬底的顶部表面依次形成栅介质层和TSN层。采用臭氧对TSN层的顶部表面进行氧化处理。在TSN层的顶部表面形成P型功函数金属层。将第一区域打开并在常温条件下进行湿法刻蚀以去除第一区域中的P型功函...
    2026-03-18
  • HKMG的阈值电压调节方法
    HKMG的阈值电压调节方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511767470.5
    本发明公开了一种HKMG的阈值电压调节方法，包括：步骤一、完成P型金属栅的工艺环以在形成有TaN阻挡层的半导体衬底上形成图案化的功函数TiN层；半导体衬底上包括多级阈值电压区域，各级阈值电压区域的功函数TiN层的厚度不同，根据CPP不同各阈...
    2026-03-18
  • 一种图形化金属电极的制备工艺
    一种图形化金属电极的制备工艺_安徽量芯光电科技有限公司_202511519956.7
    本发明属于半导体芯片制造领域，公开了一种图形化金属电极的制备工艺，包括：制备掩蔽层、涂覆光刻胶、显影出光刻图案、刻蚀出钨柱、沉积金属层、再次填充光刻胶包覆金属层、酸浸去除光刻孔外的金属层、剥离光刻胶，即可制得图形化金属电极。通过上述工艺制得...
    2026-03-18
  • 用于Ni前侧SiC欧姆接触的制造方法
    用于Ni前侧SiC欧姆接触的制造方法_英飞凌科技股份有限公司_202511152611.2
    本描述涉及一种制造碳化硅晶片的方法，该方法包括：形成在表面或其表面的至少特定部分处包括SiC的半导体衬底；通过氢等离子体气氛清洁衬底的表面区域；在清洁的表面区域上施加镍金属接触材料，以在SiC衬底的表面或SiC衬底的至少部分处形成SiC/N...
    2026-03-18
  • 半导体元件制造方法以及半导体元件制造装置
    半导体元件制造方法以及半导体元件制造装置_细美事有限公司_202510784457.4
    本发明公开了一种半导体元件制造方法以及半导体元件制造装置。根据本发明的实施例的半导体元件制造方法的特征在于，包括：提供半导体结构物的步骤，所述半导体结构物包括在表面形成有界面层的一个以上沟道层；界面层表面激活步骤，对所述半导体结构物进行氢等...
    2026-03-18
  • 半导体元件及其制作方法
    半导体元件及其制作方法_联华电子股份有限公司_202411219730.0
    本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该半导体元件包含一栅极结构、二凹槽以及二外延层。栅极结构设置于一基底上。二凹槽设置于栅极结构二侧的基底中，各凹槽包含由下而上依序相连的一第一倾斜面、一第二倾斜面以及一第三倾斜面，第一倾斜面与第二倾斜...
    2026-03-18
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