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最新专利技术
  • 一种SiC基GaN外延结构及其制备方法、器件
    一种SiC基GaN外延结构及其制备方法、器件_嘉兴晶丰芯驰半导体材料有限公司_202511741983.9
    本发明涉及一种SiC基GaN外延结构及其制备方法、器件，具体涉及半导体领域，所述SiC基GaN外延结构包括：依次设置于衬底上的GaN沟道层、AlN插入层和AlGaN势垒层；所述衬底包括：掺Fe‑SiC半绝缘衬底。本发明提供的SiC基GaN外...
    2026-03-16
  • 键合装置和复合衬底制备方法
    键合装置和复合衬底制备方法_深圳平湖实验室_202512004896.1
    本公开实施例提供一种键合装置和复合衬底制备方法，涉及半导体技术领域，用于提高两片翘曲衬底的键合质量。键合装置包括相对设置的第一压盘和第二压盘以及控制设备，第一压盘和/或第二压盘包括分体设置的多个子压盘；控制设备，与第一压盘和第二压盘连接；控...
    2026-03-16
  • 一种基于钙钛矿石墨炔异质结的自供电光电突触器件及其制备方法
    一种基于钙钛矿石墨炔异质结的自供电光电突触器件及其制备方法_南开大学_202411162672.2
    本发明为一种基于钙钛矿/石墨炔异质结的自供电光电突触器件及其制备方法。所述基于钙钛矿/石墨炔异质结的自供电光电突触器件包括衬底、底电极、石墨炔层、钙钛矿层、钝化保护层和金属顶电极。本发明通过钙钛矿/石墨炔异质结得到具有自供电功能的光电突触器...
    2026-03-16
  • 一种原位氧化二维异质结的忆阻器及其制备方法和应用
    一种原位氧化二维异质结的忆阻器及其制备方法和应用_复旦大学_202511768151.6
    本发明属于神经形态计算技术领域，具体涉及一种原位氧化二维异质结的忆阻器及其制备方法和应用，包括由底至顶依次设置的衬底、介电层、二维异质结和金属电极；二维异质结由p型二维材料层和n型二维材料层在介电层表面构筑形成；二维异质结的表面经过氧等离子...
    2026-03-16
  • 双向阈值开关材料和包括其的垂直存储器件
    双向阈值开关材料和包括其的垂直存储器件_三星电子株式会社_202511097646.0
    提供双向阈值开关材料和包括其的垂直存储器件。所述双向阈值开关材料包括锗(Ge)、锑(Sb)和硒(Se)，其中Ge、Sb和Se中的Ge的比例为10原子%或更大且40原子%或更小，Ge、Sb和Se中的Sb的比例为10原子%或更大且40原子%或更...
    2026-03-16
  • 半导体元件及其制作方法
    半导体元件及其制作方法_联华电子股份有限公司_202411219820.X
    本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中制作电阻式随机存取存储器的方法主要先形成一层间介电层于基底上，然后形成一接触插塞于层间介电层内，形成第一停止层于层间介电层上，形成一凹槽于该第一停止层内，形成一下电极于凹槽内，形成一金属氧化层于下电...
    2026-03-16
  • 一种超导量子比特结构及其制备方法
    一种超导量子比特结构及其制备方法_浙江启真量子科技有限公司_202511758728.5
    本发明提供一种超导量子比特结构及其制备方法，该超导量子比特结构包括超导薄膜层，超导薄膜层的表面和侧壁覆盖有保护层。该制备方法包括：在衬底表面依次沉积超导层和涂覆光刻胶层；对光刻胶层进行图形化处理，再对暴露出的超导层进行刻蚀，并去除超导层表面...
    2026-03-16
  • 一种SFQ器件底层处理方法及由该方法制备的SFQ器件底层
    一种SFQ器件底层处理方法及由该方法制备的SFQ器件底层_量子科技长三角产业创新中心_202511743841.6
    本公开提供了一种SFQ器件底层处理方法，所述SFQ器件底层包括第一绝缘层和被包覆在所述第一绝缘层内部的超导层，包括如下步骤：基于掩膜在所述第一绝缘层的表面进行原子层刻蚀以去除所述超导层上的第一绝缘层以暴露部分所述超导层；对所述第一绝缘层进行...
    2026-03-16
  • 具有TMR传感器芯片的传感器封装
    具有TMR传感器芯片的传感器封装_英飞凌科技股份有限公司_202511132069.4
    本发明涉及具有TMR传感器芯片的传感器封装，其包括TMR传感器芯片(200)和缓冲层(402)，缓冲层具有在20℃的温度中小于1GPa的弹性模量。缓冲层(402)安置在TMR传感器芯片(200)的上方和/或下方。
    2026-03-16
  • 自旋轨道矩存储单元、其制备方法及磁性随机存储器
    自旋轨道矩存储单元、其制备方法及磁性随机存储器_浙江驰拓科技有限公司_202411169286.6
    本申请公开了一种自旋轨道矩存储单元、其制备方法及磁性随机存储器。该自旋轨道矩存储单元包括：磁性隧道结，具有第一外周表面；轨道层，位于磁性隧道结的一侧，轨道层具有与第一外周表面共面的第二外周表面，且轨道层的背离磁性隧道结的一侧表面为第一表面；...
    2026-03-16
  • SOT-MTJ器件及其制备方法
    SOT-MTJ器件及其制备方法_浙江驰拓科技有限公司_202411128704.7
    本发明提供一种SOT‑MTJ器件，包括：两个底部金属层，形成于衬底上；两个底部通孔，与两个底部金属层一一相对；SOT轨道层，位于两个底部通孔上并与两个底部通孔接触；MTJ膜堆叠，位于SOT轨道层上；其中底部通孔包括两个导电层，位于下层的第一...
    2026-03-16
  • 电流驱动型垂直磁化异质结和磁性隧道结及其制备方法
    电流驱动型垂直磁化异质结和磁性隧道结及其制备方法_中国科学院物理研究所_202411144297.9
    本发明涉及电流驱动型垂直磁化异质结和磁性隧道结及其制备方法。一种垂直磁化异质结结构可包括：自旋霍尔效应层，包括具有自旋霍尔效应的重金属材料；形成在所述自旋霍尔效应层上的亚铁磁层，包括铁磁金属和稀土金属的合金，其中，所述自旋霍尔效应层配置为接...
    2026-03-16
  • 磁阻式随机存取存储结构及其制备方法
    磁阻式随机存取存储结构及其制备方法_浙江驰拓科技有限公司_202411128703.2
    本发明提供一种磁阻式随机存取存储结构及其制备方法，该方法包括：提供基底；在基底上形成磁隧道结膜层；在磁隧道结膜层上形成第一介质层；刻蚀第一介质层在第一方向上的两端，以使磁隧道结膜层在第一方向上的相对两端延伸出刻蚀后的第一介质层；在磁隧道结膜...
    2026-03-16
  • 压电元件、液体喷出头以及打印机
    压电元件、液体喷出头以及打印机_精工爱普生株式会社_202511174696.4
    本发明提供压电元件、液体喷出头以及打印机，能够降低压电体层产生裂纹的可能性。一种压电元件，包括：基板；第一电极，其具有设置在所述基板上的含有钛的密合层、以及设置在所述密合层上的导电层；扩散抑制层，其设置在所述第一电极上，抑制所述钛的扩散；压...
    2026-03-16
  • 一种基于压电薄膜PZT技术的压电风冷器件
    一种基于压电薄膜PZT技术的压电风冷器件_上海仙材技术有限公司_202511840497.2
    本发明公开了一种基于压电薄膜PZT技术的压电风冷器件，涉及MEMS技术领域。器件采用压电悬臂梁MEMS芯片与带通气孔PCB的两层封装结构。MEMS芯片的悬臂梁集成SOI顶硅层与超薄PZT驱动堆栈，兼具低刚度与高驱动力，表面覆盖PDMS柔性密...
    2026-03-16
  • 压电陶瓷组件、换能器以及键合机
    压电陶瓷组件、换能器以及键合机_无锡奥特维科技股份有限公司_202411138066.7
    本申请公开一种压电陶瓷组件、换能器以及键合机。所述压电陶瓷组件可以包括：叠层设置的多个压电陶瓷预堆叠体；其中，每个压电陶瓷预堆叠体包括电极片，以及相互层叠于所述电极片上的多个压电陶瓷片；所述多个压电陶瓷片的极化方向相同；任意相邻的两个压电陶...
    2026-03-16
  • 一种多孔无铅压电材料及其制备方法、压电能量采集器
    一种多孔无铅压电材料及其制备方法、压电能量采集器_四川大学_202511839903.3
    本发明涉及一种多孔无铅压电材料及其制备方法、压电能量采集器，涉及无铅压电材料领域。其中，所述多孔无铅压电材料的制备方法包括以下步骤：将陶瓷基体制成第一压电膜；将陶瓷基体和造孔剂制成第二压电膜；将数量若干的所述第一压电膜和数量若干的所述第二压...
    2026-03-16
  • 一种利用高极性添加剂改善钙钛矿薄膜质量的方法与应用
    一种利用高极性添加剂改善钙钛矿薄膜质量的方法与应用_吉林大学_202511812289.1
    本发明涉及一种利用高极性添加剂改善钙钛矿薄膜质量的方法与应用，在钙钛矿薄膜前驱体中引入高偶极矩分子作为添加剂，所述添加剂包括苯乙胺阳离子、氟苯乙胺阳离子、三氟甲基苯乙胺阳离子、三氟甲氧基苯乙胺阳离子、五氟苯氧基乙胺阳离子或4‑(2‑氨乙基)...
    2026-03-16
  • 检查装置、检查方法、基板处理装置及物品制造方法
    检查装置、检查方法、基板处理装置及物品制造方法_佳能株式会社_202511156989.X
    本发明提供检查装置、检查方法、基板处理装置及物品制造方法。为了高效地检查配置在基板之上的多个液滴，检查装置具备控制部，该控制部根据表示所述多个液滴的配置的配置信息来决定所述多个液滴各自的检查条件。
    2026-03-16
  • 检查发光元件样品的方法、用于检查发光元件样品的设备和制造显示装置的方法
    检查发光元件样品的方法、用于检查发光元件样品的设备和制造显示装置的方法_三星显示有限公司_202511048216.X
    提供了检查发光元件样品的方法、用于检查发光元件样品的设备和制造显示装置的方法。检查发光元件样品的方法包括以下步骤：获取关于发光元件样品的电信息和光学信息；以及通过合成电信息和光学信息来分析发光元件样品。
    2026-03-16
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