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最新专利技术
  • 静电保护电路、芯片及设备
    静电保护电路、芯片及设备_北京奕斯伟计算技术股份有限公司_202512061216.X
    本申请公开了静电保护电路、芯片及设备，属于电子技术领域。静电保护电路包括泄放单元和第一场效应管；泄放单元的一端连接电源正极，泄放单元的另一端连接第一场效应管的漏极，第一场效应管的源极和栅极连接电源负极；泄放单元，用于在电源正极存在静电电流的...
    2026-03-15
  • 功率半导体元件的故障防止装置
    功率半导体元件的故障防止装置_丰田自动车株式会社_202510948953.9
    本发明提供一种能够在功率半导体元件发生故障之前提示用户更换部件的功率半导体元件的故障防止装置。一种功率半导体元件的故障防止装置，所述功率半导体元件通过焊接而安装于绝缘基板，并通过冷却水进行冷却，其特征在于，所述故障防止装置具有：水温测定机构...
    2026-03-15
  • 封装结构及其制备方法
    封装结构及其制备方法_苏州国显创新科技有限公司_202511786264.9
    本申请实施例提供的一种封装结构及其制备方法，封装结构包括基板、走线层、芯片及散热层，基板具有贯穿于自身的通孔；走线层设置于基板的一侧，基板在通孔位置处与走线层围合形成容纳槽；芯片设置于容纳槽中并与走线层连接；散热层设置于基板背离走线层的一侧...
    2026-03-15
  • 一种三相半控整流桥复合封装及制备方法
    一种三相半控整流桥复合封装及制备方法_扬州扬杰电子科技股份有限公司_202511981365.1
    本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种三相半控整流桥复合封装及制备方法。包括：散热基板，包括固定设置在陶瓷层上、下两侧的金属层；所述上金属层包括间隔依次设置的V连接岛、第一基岛、第二基岛和第三基岛；所述V连接岛包括对称设置的V+连接岛和V‑...
    2026-03-15
  • 热传导片材以及具备热传导片材的装置
    热传导片材以及具备热传导片材的装置_株式会社力森诺科_202511940428.9
    本发明涉及热传导片材以及具备热传导片材的装置。一个实施方式涉及一种热传导片材，其含有包含选自鳞片状粒子、椭圆体状粒子、以及棒状粒子中的至少1种的石墨粒子(A)，所述石墨粒子(A)在厚度方向上取向，厚度的压缩率在温度150℃以及压缩应力0.1...
    2026-03-15
  • 一种石墨烯表面改性的SiC高导热基板
    一种石墨烯表面改性的SiC高导热基板_哈尔滨工业大学_202511257753.5
    本发明提供了一种石墨烯表面改性的SiC高导热基板的制备方法。方法：一、选择高纯度SiC与石墨烯材料支撑体。其中SiC和石墨烯均为尺寸5mm*5mm*5mm的小正方体，对SiC和钎料的接触面进行机械打磨，打磨后的表面粗糙度Ra值应在0.2‑0...
    2026-03-15
  • 基于双层铝基板的复合叠层散热装置及其散热控制方法
    基于双层铝基板的复合叠层散热装置及其散热控制方法_上海莘汭驱动技术有限公司_202511803603.X
    本发明提供基于双层铝基板的复合叠层散热装置及其散热控制方法，采用双层铝基板与相变材料流动散热相结合形成复合散热结构，降低功率器件的峰值温度；双层铝基板布局与垂直互联能够降低电流密度，提升电磁兼容性，使得热应力分布均匀，增强结构可靠性和降低焊...
    2026-03-15
  • 封装结构及封装方法、电子设备
    封装结构及封装方法、电子设备_苏州国显创新科技有限公司_202511786977.5
    本申请提供了一种封装结构及封装方法、电子设备。封装结构包括：载板，包括多个第一孔，第一孔沿载板厚度方向贯穿载板；第一导电柱，填充第一孔；第一线路层，位于载板的第一侧，第一线路层与第一导电柱电连接；第二线路层，位于载板的第二侧，第二线路层与第...
    2026-03-15
  • 一种硅基SIP微流道散热架构及其制备方法
    一种硅基SIP微流道散热架构及其制备方法_中国船舶集团有限公司第七二三研究所_202511756205.7
    本发明公开了一种硅基SIP微流道散热架构及其制备方法。所述架构采用多层堆叠设计，包括上层功能层、下层功能层、散热层及馈电板。创新性地通过散热层盖层倒扣于下层衬底形成微流道腔体，结合散热层硅通孔实现冷却液循环；散热层垫层通过特定厚度设计与BG...
    2026-03-15
  • 一种非均匀宽度通道和流量自适应调节的液冷板结构
    一种非均匀宽度通道和流量自适应调节的液冷板结构_内蒙古自治区民航机场集团有限责任公司呼和浩特分公司_202511749505.2
    本发明公开一种非均匀宽度通道和流量自适应调节液冷板结构，包括换热板，换热板上加工有工质进口、渐变流道，工质出口，工质从工质进口流入，至渐变流道，最终工质从工质出口流出；渐变流道在垂直于工质流动方向的截面上呈梯度变径分布，用于实现基础流量与热...
    2026-03-15
  • 集成功率器件及集成功率器件的制备方法
    集成功率器件及集成功率器件的制备方法_浙江晶能微电子有限公司_202511656511.3
    本申请提供一种集成功率器件及集成功率器件的制备方法，所述集成功率器件包括芯片模块和散热模块。芯片模块包括芯片层和功能层。所述芯片层包括至少一个芯片。所述功能层包括第一功能层和第二功能层，所述第一功能层和所述第二功能层分别位于所述芯片层的两侧...
    2026-03-15
  • 嵌入式功率模块总成及具有其的车辆
    嵌入式功率模块总成及具有其的车辆_中国第一汽车股份有限公司_202511573076.8
    本发明提供了一种嵌入式功率模块总成及具有其的车辆。嵌入式功率模块总成包括：多个铜箔层；芯片，芯片为多个，多个芯片设置于多个铜箔层之间，多个芯片中的部分芯片设置于铜箔层的上桥区域，另一部分的芯片设置于铜箔层的下桥区域；散热基座，多个芯片通过散...
    2026-03-15
  • 散热结构、散热模块及电子装置
    散热结构、散热模块及电子装置_财团法人工业技术研究院_202510047848.8
    本发明公开一种散热结构、散热模块及电子装置。散热结构包括基底以及多个弯曲鳍片，其中弯曲鳍片并列地设置于基底上，每一个弯曲鳍片具有多个波峰，而所述波峰中任意二个相邻的波峰之间具有间距，且所述间距中的至少二个不相同。
    2026-03-15
  • 一种SMDF封装结构及其封装方法
    一种SMDF封装结构及其封装方法_苏州亿芯微电子技术有限公司_202511546715.1
    本发明公开了一种SMDF封装结构及其封装方法，包括：带底侧电极与顶侧电极的半导体芯片；含顶部芯片贴装区和底部外露散热焊盘的散热导电底板；设于芯片底侧电极与底板贴装区之间，实现芯片固定及热电连接的芯片贴装层；电连接芯片顶侧电极的导电连接块；第...
    2026-03-15
  • 一种半导体器件的制备方法及半导体器件
    一种半导体器件的制备方法及半导体器件_广州增芯科技有限公司_202511845802.7
    本发明提供了一种半导体器件的制备方法及半导体器件，在半导体衬底的顶硅层内制备浅沟槽和有源区的基础上，额外刻蚀埋氧层，以露出底硅层表面和有源区内的部分顶硅层底面。再通过外延工艺自对准并贴敷于暴露出的底硅层表面和顶硅层部分底面的紧密的散热膜，将...
    2026-03-15
  • 基于相同基础芯片的多层堆叠芯片及多层堆叠方法
    基于相同基础芯片的多层堆叠芯片及多层堆叠方法_北京中科彼岸集成电路科技有限公司_202610130899.1
    本发明公开了一种基于相同基础芯片的多层堆叠芯片及多层堆叠方法，包括：第一芯片，采用第一掩膜版在第一基础芯片上光刻制作第一连接垫获得；第二芯片，采用第二掩膜版在第二基础芯片上光刻制作第二连接垫获得；以此类推；第N芯片，采用第N掩膜版在第N基础...
    2026-03-15
  • 一种顶层金属层结构、生成方法以及半导体器件
    一种顶层金属层结构、生成方法以及半导体器件_粤芯半导体技术股份有限公司_202610124523.X
    本申请实施例公开了一种顶层金属层结构、生成方法以及半导体器件。本申请实施例提供的技术方案通过将顶层金属层上的顶层金属呈蛇形布置，并在顶层金属在蛇形布置的转角内角设置为第一倒角，在顶层金属在蛇形布置的转角外角设置为第二倒角，可有效减少顶层金属...
    2026-03-15
  • M0A层金属互连线线端开路OPC方法及器件
    M0A层金属互连线线端开路OPC方法及器件_上海华力集成电路制造有限公司_202511767498.9
    本发明公开了一种M0A层金属互连线线端开路OPC方法，包括以下步骤：S1，识别修整对象，在M0A层版图中识别被两根金属互连线长线夹持的孤立金属互连线的线端图形；S2，对识别出的线端图形执行OPC re‑target操作，通过改变线端图形的几...
    2026-03-15
  • 一种封装结构和相应的制备方法
    一种封装结构和相应的制备方法_长电科技管理有限公司_202511637377.2
    本发明涉及半导体封装技术领域，本发明公开了一种封装结构和相应的制备方法，包括：基板；位于所述基板上方的芯片；位于所述芯片上方的中介层；其中，所述芯片的内部具有导电通孔，所述导电通孔连接所述芯片的正面且暴露于所述芯片的背面，所述芯片的背面具有...
    2026-03-15
  • 基于相同基础芯片和不同连接结构制备多层堆叠用不同芯片的方法
    基于相同基础芯片和不同连接结构制备多层堆叠用不同芯片的方法_北京中科彼岸集成电路科技有限公司_202610130801.2
    本发明公开了一种基于相同基础芯片和不同连接结构制备多层堆叠用不同芯片的方法，所述方法包括：采用第一掩膜版在第一基础芯片上光刻制作第一连接结构，以获得第一芯片；采用第二掩膜版在第二基础芯片上光刻制作第二连接结构，以获得第二芯片；重复上述步骤多...
    2026-03-15
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