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  • 本发明涉及芯片封装技术领域,公开一种芯片封装结构及芯片封装方法。芯片封装结构包括:基板和芯片,芯片固晶于基板上;反射胶层,反射胶层设置在基板上且围绕在芯片周围,反射胶层厚度均匀且高度不超过芯片的上表面;封装胶层,封装胶层覆盖在反射胶层以及芯...
  • 本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种HEMT封装结构,包括塑封体,塑封体包括第一面、第二面和周侧部;半导体器件的有源区包括若干元胞单元,元胞单元包括衬底,设置在衬底的正面的III‑V族外延层,以及设置在III‑V族外延层上的第一电极、第二...
  • 本发明公开一种功率芯片封装结构,其包含一功率芯片、相连于所述功率芯片的一第一传输件与两个第二传输件、一封装体、及一类钻碳层。所述封装体包埋所述功率芯片、所述第一传输件、及两个所述第二传输件于其内。所述封装体包含一布局面,其共平面于所述第一传...
  • 本发明公开了一种高压功率器件的封装方法及其封装结构,该封装结构包括陶瓷外壳、盖板、键合丝、SiC来料晶圆制得的SiC芯片,陶瓷外壳为氮化铝陶瓷外壳且具有芯腔和金属引脚,盖板为氮化铝陶瓷盖板且具有散热金属针,SiC芯片的厚度减薄且背面金属化,...
  • 本发明提供了一种2.5D封装结构的制备方法,其通过优化工艺流程,将传统的两次支撑基板键合及解键合工艺简化为无需基板键合,从而节省工艺时间和成本,提高封装效率。直接在来料TSV晶圆上做u‑bump进行贴片、塑封,然后对塑封料进行开槽、预切来释...
  • 本发明公开了一种高压TVS和二极管堆叠封装结构及封装工艺,该结构包括以下步骤:芯片一朝向基板贴装,包封并暴露芯片一,形成包封层一;在包封层一表面钻孔至基板,电镀底层立柱填充并在包封层一表面上继续电镀出焊盘;将芯片二和芯片三朝向焊盘贴装,芯片...
  • 提供半导体封装件、制造半导体封装件的方法和光致抗蚀剂膜。所述方法包括:在封装基底上堆叠多个半导体芯片;用光致抗蚀剂膜覆盖封装基底,以围绕所述多个半导体芯片的侧表面和顶表面;将光致抗蚀剂膜曝光和显影,以在所述多个半导体芯片中的对应半导体芯片的...
  • 本发明涉及半导体技术领域,特别是一种用于芯片和载板的直接键合方法,包括以下步骤:S1、通过电镀法或腐蚀法在芯片或载板上制造硬金属凸点,所述凸点为锥形凸点或类锥形凸点,所述凸点呈底部宽、顶部窄的形状;S2、在另一载板的焊盘区域电镀获得软金属层...
  • 本发明提供了一种含胶预制件的制作方法以及粘接方法。一种含胶预制件的制作方法,包括:选取胶以及两片与胶不粘连的膜体;将胶铺设在一片膜体上;将另一片膜体铺设在胶上,使得胶位于两片膜体之间,形成初始的预制件。通过设计含胶预制件的制作方法制作预制件...
  • 本发明涉及一种衬底布置,涉及一种用于生产电子组件的方法,并且涉及一种电子组件。该衬底布置包括:(a)金属箔,该金属箔包括上侧和下侧,(b)银层,该银层布置在该金属箔的该下侧上,和(c)银烧结层,该银烧结层布置在该银层上,其中该银层具有在20...
  • 本发明提供一种功率半导体封装结构及其制造方法。功率半导体封装结构包括基板、驱动芯片、导电夹、镀覆层以及导线。驱动芯片、第一晶体管芯片和第二晶体管芯片分别设置于基板上且彼此不碰触。导电夹具有上表面及下表面,导电夹的下表面设置于第一晶体管芯片与...
  • 本发明涉及封装基板领域,特别涉及一种光敏性绝缘介质封装基板及其制作方法。所述封装基板包括基板第一表面和基板第二表面,所述基板第一表面和基板第二表面之间含有绝缘介质,所述绝缘介质为光敏材料;所述基板第一表和基板第二表面之间布有一层或多层线路层...
  • 本申请提供了一种转接板及其制备方法、封装结构,该转接板包括:基板;具有相对设置的第一表面和第二表面;保护膜,位于第一表面,保护膜包括至少一个第一通孔,第一通孔贯穿保护膜和基板;至少一个导电柱,导电柱至少部分填充第一通孔;至少一层第一布线层,...
  • 本申请提供了一种封装结构及电子设备。封装结构包括:第一基板,包括相对设置的第一侧和第二侧;第二基板,位于第一侧,第二基板设有至少一个第一凹槽,第一凹槽贯穿第二基板;第三基板,位于第二侧,第三基板设有至少一个第二凹槽,第二凹槽贯穿第三基板。本...
  • 本发明提供一种集成电压调节模块的扇出型封装结构及其制备方法,包括重新布线层、电压调节模块、电连接部件、负载芯片、焊料连接结构和第一填充层,重新布线层包括于其第一主面显露的金属布线;电压调节模块包括VR芯片和集成电感,VR芯片通过贯穿其中的T...
  • 本发明公开一种嵌入式外壳的SiC功率模块及组装方法,涉及SiC功率模块领域。该嵌入式外壳的SiC功率模块及组装方法包括:嵌入式外壳,嵌入式外壳的内布置有若干个独立腔室,独立腔室嵌入散热底座,散热底座的顶部固定连接AMB衬底,该嵌入式外壳的S...
  • 本发明揭示了一种基于封装基板的半嵌入式线路结构及其制作方法,线路结构包括:第一介电层,包括第一面和第二面,所述第一面和第二面相对设置;第一金属布线层,设置于所述第一介电层,所述第一金属布线层包括贯穿型金属结构和凹陷型金属结构;所述贯穿型金属...
  • 本公开提供一种封装载板及其制备方法,该封装载板包括载板主体和布线结构。载板主体包括彼此相对的第一主表面和第二主表面,载板主体内设有至少一个空腔,空腔位于第一主表面和第二主表面之间。布线结构包括第一布线层、第二布线层和中间布线层,第一布线层设...
  • 本发明提出了一种多孔径通孔的玻璃基板,包括:玻璃芯层;贯穿所述玻璃芯层的通孔,其中至少部分通孔的孔径大于100 μm;所述通孔包含多个间隔设置的微孔区和隔离区,其中:微孔区,所述微孔区被金属填充,微孔区孔径小于通孔孔径,且小于等于100um...
  • 本申请实施例提供的一种基板及其制备方法、芯片载板,基板用于芯片载板中,基板包括本体部、渗透部以及导电部,本体部具有开孔,开孔具有侧壁和端壁,侧壁位置处具有导电性;渗透部具有导电性,渗透部设置于开孔中且至少部分渗透于端壁中以使端壁具有导电性;...
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