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  • 本发明涉及光电子半导体器件,尤其涉及一种锗硅光电探测器,包括硅基底;设于硅基底上的二氧化硅层;设于二氧化硅层上的硅波导;设于波导上的锗吸收层;设于锗吸收层上的氮化钛TiN加热电阻以及电极系统。通过局部温控提升锗材料在工作波长处的光吸收系数;...
  • 本申请提供了一种探测器像元结构及其制备方法,涉及探测器像元结构技术领域。探测器像元结构包括衬底、支撑复合层和光复合层,支撑复合层包括层叠的第一导电层和第二导电层,以及设置于第一导电层和第二导电层之间的第一绝缘层,第一导电层连接并电导通衬底和...
  • 本发明提供一种光电二极管及其制造方法,其中,光电二极管包含衬底、光作用区域、滤波层及遮光侧壁。其中,光作用区域设置在衬底上。滤波层覆盖在光作用区域上,选择性地仅允许特定波长的光线通过而被光作用区域接收并对应地产生电信号。遮光侧壁完全地覆盖滤...
  • 本发明属于光学元件技术领域,具体公开了一种双层荧光型太阳能集光器。该集光器包括荧光层、无损波导层、设置在荧光层与无损波导层之间的不对称光传输纳米结构层以及无损波导层底部的反射底面。本发明利用不对称光传输纳米结构层促进荧光光子向无损波导层传输...
  • 本申请涉及光伏组件技术领域,具体涉及一种背接触电池片及其制备方法和光伏组件。背接触电池片包括硅基底,硅基底的背面包括第一区域、第二区域以及位于第一区域和第二区域之间的交叠区。其中,沿第一方向,交叠区堆叠设置有隧穿介质层、第一掺杂层、第一钝化...
  • 本申请涉及太阳能电池技术领域,提供了一种背接触电池、电池组件和光伏系统,在背接触电池中,在第一隧穿层中掺杂有第三主族元素,第二隧穿层中掺杂有第三主族元素和第五主族元素,第二隧穿层中的第五主族元素的掺杂浓度为第二隧穿层中的第三主族元素的掺杂浓...
  • 本发明涉及太阳能电池技术领域,具体涉及一种钝化接触太阳能电池及其制备方法。所提供的钝化接触太阳能电池,包括:N型单晶硅片,在第一方向上,N型单晶硅片的两侧表面均设为绒面;在N型单晶硅片的一侧设有凸台;第一方向上,N型单晶硅片的绒面表面上设有...
  • 本申请属于太阳能电池技术领域,具体涉及一种背接触光伏组件、背接触光伏组件的制备方法和制造设备,能够消除传统高温焊接工艺带来的电池片翘曲问题,背接触光伏组件,包括:背板,包括基板、设于所述基板的上表面的粘结层、设于所述粘结层上的导电层,所述导...
  • 本申请涉及太阳能电池技术领域,提供了一种背接触电池、电池组件和光伏系统,在背接触电池中,由于背接触电池上设有第一防断栅线和第二防断栅线,在相邻的第一防断栅线和第二防断栅线之间具有一个由第一焊接部构成的第一焊接结构以及一个由第二焊接部构成的第...
  • 本申请提供了一种背接触电池、电池组件和光伏系统,在背接触电池中,第一掺杂层的交叠部上具有绝缘隔离层,绝缘隔离层将第一掺杂层和位于交叠部上的第二掺杂层绝缘隔开,绝缘隔离层包括底层部分和顶层部分,底层部分位于绝缘隔离层朝向交叠部的一侧,顶层部分...
  • 本公开涉及一种光伏组件及其制备方法,该光伏组件包括电池串和汇流条,其中,电池串包括沿第一方向布置的多个电池片,相邻两个电池片朝向光伏组件同侧的极性相反,且相邻两个电池片之间通过第一焊带相连以使得多个电池片串联;汇流条位于电池串端部的电池片通...
  • 本发明提供一种背接触电池及加工工艺,涉及光伏发电技术领域。背接触电池包括电池片,电池片成对设置,且沿第一方向排列,电池片上设置有多个第一主栅和多个第二主栅;第一主栅沿第一方向远离另一电池片的一端设置有第一焊盘,第一焊盘连接有第一焊带;第二主...
  • 本发明公开了一种基于光窗槽与U形结的光电二极管及制备方法,该光电二极管包括:N型4H‑SiC衬底;下电极,位于N型4H‑SiC衬底下表面;N型漂移层,位于N型4H‑SiC衬底上表面;P型区域位于N型漂移层上表面,P型区域上设置有第一U形凹槽...
  • 本申请公开了一种背接触式光伏组件,属于光伏组件技术领域。包括至少两个沿第一方向间隔排布的电池串,电池串包括沿第二方向相邻设置的第一电池片和第二电池片,电池片的背面设置有沿第二方向延伸且沿第一方向间隔排布的第一电连接件和第二电连接件;绝缘件设...
  • 本申请适用于太阳能电池技术领域,提出了一种太阳能电池的制备方法、太阳能电池、组件及光伏系统,该方法包括:提供电池本体;在电池本体的受光面形成保护层;对保护层进行固化;对保护层固化后的电池本体进行水洗和高温处理;高温处理的反应温度大于或等于1...
  • 本发明属于光电器件领域,具体公开了一种太阳能电池芯片的制备方法,以及相应的太阳能电池。本发明的方法在外延片上形成光刻胶层,并对光刻胶层进行局部区域的曝光和显影,并在外延片上依次形成栅线金属层和保护膜,接着剥离光刻胶层,保留直接形成在外延片上...
  • 本发明公开了一种topcon电池背面减反膜结构及其制备方法,属于太阳能电池制造技术领域,其技术方案为包括如下步骤:对硅片进行制绒、扩散、背面抛光和刻蚀之后,S1、首先进行第一层氮化硅沉积,沉积时间130‑150s,硅烷流量2100‑2300...
  • 本发明涉及光伏电池制造技术领域,且公开了一种利用硅墨水制备TBC电池的方法及TBC电池,S1:提供一硅基底,在所述硅基底的背面制备隧穿氧化层;S2:在所述隧穿氧化层上,利用富氢硅墨水打印预设的第一指交叉图形和第二指交叉图形;所述富氢硅墨水包...
  • 本发明公开了一种改善管式PECVD镀膜均匀性的制备方法, 属于太阳能电池片镀膜技术领域中的一种制备方法,其技术方案为S1、硅片输入;S2、温度调配;S3、真空处理;S4、第一次反应气体通入,将反应的气体NH3、N2O和SiH4 通入沉积管内...
  • 本发明涉及半导体技术领域,具体为一种片间通信系统,包括:光源;玻璃基板芯片,玻璃基板芯片包括:玻璃基板层、波导层;波导层的外表面设置有计算区、处理区;计算区包括:驱动芯片、调制芯片,调制芯片与光源通过经由波导层的第一光通道相连接,调制芯片与...
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