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最新专利技术
  • 一种镨离子掺杂锗酸铋晶体材料及其制备方法和应用
    一种镨离子掺杂锗酸铋晶体材料及其制备方法和应用_深圳技术大学_202511991806.6
    本发明公开了一种镨离子掺杂锗酸铋晶体材料及其制备方法和应用，属于光电功能与激光技术领域，所述晶体的分子式为Pr4xBi4(1‑x)Ge3O12；其中，x的取值范围为0.005~0.02，x代表Pr离子的掺杂浓度，Pr离子取代Bi离子格位；所...
    2026-05-05
  • 一种避免氧化镓多晶肩形成的晶体生长方法
    一种避免氧化镓多晶肩形成的晶体生长方法_北京铭镓半导体有限公司_202610202458.8
    本发明公开了一种避免氧化镓多晶肩形成的晶体生长方法，属于晶体生长技术领域。本发明通过将模具表面狭缝的长度设计为不超过模具长度的三分之一，在引晶阶段将熔体供应严格限制在狭缝局部区域，实现单晶精确起始；随后在晶体侧向扩展阶段，主动调控模具上表面...
    2026-05-05
  • 一种碱金属氟铍化物晶体及其制备方法和用途
    一种碱金属氟铍化物晶体及其制备方法和用途_中国科学院新疆理化技术研究所_202610077343.0
    本发明公开了一种碱金属氟铍化物晶体及其制备方法和用途，碱金属氟铍化物晶体的化学通式为LiABeF4，A=Na或K或NH4或Rb或它们的复合，其制备方法为：以BeF2和LiF为主原料，通过添加NaF、KF、NH4F、RbF中的任一种或至少两种...
    2026-05-05
  • 一种氯代亚磷酸氢锑非线性光学晶体及制备方法和用途
    一种氯代亚磷酸氢锑非线性光学晶体及制备方法和用途_中国科学院新疆理化技术研究所_202512054146.5
    本发明涉及化合物氯代亚磷酸氢锑和氯代亚磷酸氢锑非线性光学晶体及制备方法和用途，该晶体分子式为SbHPO3Cl，分子量为237.18，属于正交晶系，空间群为Pmn21，晶胞参数为a=5.1890(11)Å，b=6.5843(14)Å，c=6....
    2026-05-05
  • 单晶硅生长的模拟方法及装置
    单晶硅生长的模拟方法及装置_中国科学院上海微系统与信息技术研究所_202512048277.2
    本发明涉及一种单晶硅生长的模拟方法及装置，方法包括：S100：构建模拟空间，其内预设有多个离散的原子占位位点；S200：从各原子占位位点中选取一个作为初始位点，对其执行原子生长操作，并将其作为边缘位点记录至边缘列表；S300：对边缘位点的每...
    2026-05-05
  • 一种硅棒高效保护的单晶硅生长炉
    一种硅棒高效保护的单晶硅生长炉_新疆晶品新能源有限公司_202511674815.2
    本申请公开了一种硅棒高效保护的单晶硅生长炉，包括炉体、炉盖、与炉盖连接的连接室、副室、用于移动炉盖的炉盖移动机构、用于移动副室的副室移动机构、籽晶夹头、用于驱动籽晶夹头升降和旋转的籽晶夹头驱动机构、坩埚、用于驱动坩埚升降和旋转的坩埚驱动机构...
    2026-05-05
  • 一种高结晶度、高导电性的ZnGa2O4外延薄膜及其制备方法
    一种高结晶度、高导电性的ZnGa2O4外延薄膜及其制备方法_山东大学_202511938142.7
    本发明涉及半导体材料技术领域，具体涉及一种高结晶度、高导电性的ZnGa2O4外延薄膜及其制备方法。将乙酰丙酮镓水溶液、乙酰丙酮锌水溶液和四价锡盐水溶液混合形成前驱体溶液；将蓝宝石衬底进行清洗和氮气吹扫后固定于雾化学气相沉积设备反应器中，将前...
    2026-05-05
  • 外延腔体中基座的升降控制方法、装置及外延设备
    外延腔体中基座的升降控制方法、装置及外延设备_中芯南方集成电路制造有限公司_202411321120.1
    本申请公开了外延腔体中基座的升降控制方法、装置及外延设备，该方法包括：获取基座的升降运动参数，升降运动参数包括当前升降速度和当前升降位置，在根据当前升降速度确定基座处于动作状态时，根据基座对应的多个预设升降位置确定当前升降位置所属的目标升降...
    2026-05-05
  • 一种MOCVD卡槽及其在制备GaN/AlGaN异质结中的应用
    一种MOCVD卡槽及其在制备GaN/AlGaN异质结中的应用_西安电子科技大学_202511929740.8
    本发明公开了一种MOCVD卡槽及其在制备GaN/AlGaN异质结中的应用，属于电子材料技术领域。本发明通过MOCVD生长卡槽来对应力的引入和分布进行控制，通过选择具有不同热膨胀系数的材料作为卡槽底座的组成材料，利用材料的热膨胀差异产生不同程...
    2026-05-05
  • 基座及SiC外延生长装置
    基座及SiC外延生长装置_株式会社东芝_202510132224.6
    提供能够抑制妨碍晶片的搬出的基座及SiC外延生长装置。实施方式的基座具有支承台和圆环状的晶片引导件。支承台具有支承晶片的支承面。晶片引导件以沿支承面的法线方向延伸的中心轴线为中心包围被支承于支承面的晶片的周围。在从中心轴线的轴向观察时，在晶...
    2026-05-05
  • 一种半绝缘化合物单晶及其制备方法
    一种半绝缘化合物单晶及其制备方法_大庆溢泰半导体材料有限公司_202610000190.X
    本发明涉及单晶生长技术领域，且公开了一种半绝缘化合物单晶及其制备方法，包括以下步骤：将碳化硅粉和碳化钒粉混合，得到碳化硅混合粉料；将碳化硅混合粉料置于石墨坩埚底部，将预处理籽晶置于石墨坩埚盖上后，置于石墨坩埚上部，装配好后，置于单晶生长炉中...
    2026-05-05
  • 一种有效降低碳化硅单晶缺陷的生长方法
    一种有效降低碳化硅单晶缺陷的生长方法_江苏芯恒惟业电子科技有限公司_202511942493.5
    本发明属于碳化硅单晶材料技术领域，具体涉及一种有效降低碳化硅单晶缺陷的生长方法。所述生长方法具体包括下述步骤：S1：种晶预处理与位错显形筛选；S2：低过饱和度愈合缓冲层生长；S3：轴向和径向梯度热场诱导位错弯折；S4：主生长期中的周期性气氛...
    2026-05-05
  • 一种基于动态压力场调控的SiC籽晶真空粘接方法
    一种基于动态压力场调控的SiC籽晶真空粘接方法_山东力冠微电子装备有限公司_202511933324.5
    本申请提供了一种基于动态压力场调控的SiC籽晶真空粘接方法，属于半导体加工技术领域，技术方案为，一种基于动态压力场调控的SiC籽晶真空粘接方法，包括如下步骤，分别对石墨盘和SiC籽晶的粘接面进行预处理；将涂胶后的SiC籽晶与石墨盘对位，置于...
    2026-05-05
  • 一种双线圈感应PVT晶体生长装置及使用方法
    一种双线圈感应PVT晶体生长装置及使用方法_山东力冠微电子装备有限公司_202511922144.7
    本发明属于晶体生长技术领域，具体公开了一种双线圈感应PVT晶体生长装置及使用方法，包括外壳，外壳的内部固定安装有保温筒，保温筒的内部设置有坩埚和坩埚盖，坩埚盖设置在坩埚的顶部；控制组件用于精准调节坩埚和坩埚盖内部温度，控制组件与外壳和保温筒...
    2026-05-05
  • 碳化硅单晶生长扩径装置及方法
    碳化硅单晶生长扩径装置及方法_宁夏创盛新材料科技有限公司_202511759030.5
    本申请提供了一种碳化硅单晶生长扩径装置及方法，属于碳化硅晶体生长技术领域，解决了现有技术晶体扩径生长气氛的量难以控制的问题。本申请的碳化硅单晶生长扩径装置包括坩埚、盖体以及长晶引导组件，盖体与坩埚顶部可拆卸连接，盖体上设有第二籽晶区，第二籽...
    2026-05-05
  • 碳化硅晶体生长炉和方法
    碳化硅晶体生长炉和方法_宁夏晶创智能装备有限公司_202511759010.8
    本申请涉及半导体晶体生长技术领域，尤其是涉及一种碳化硅晶体生长炉和方法。一种碳化硅晶体生长炉包括：炉体；加热器；以及坩埚，坩埚包括：坩埚本体内部具有反应腔，坩埚本体的底部用于容置碳化硅原料；盖体用于连接碳化硅籽晶；扩径单元从盖体向下延伸且呈...
    2026-05-05
  • 一种碳化硅晶体生长炉和方法
    一种碳化硅晶体生长炉和方法_宁夏鑫晶盛电子材料有限公司_202511756872.5
    本申请涉及半导体长晶技术领域，尤其是涉及一种碳化硅晶体生长炉和方法，一种碳化硅晶体生长炉，包括：炉体；加热器；以及坩埚，所述坩埚包括：坩埚本体，所述坩埚本体内部具有反应腔，所述坩埚本体的底部用于容置碳化硅原料；盖体，所述盖体盖设于所述坩埚本...
    2026-05-05
  • 一种基于机器视觉图像处理透明熔体实时控制晶体生长的方法
    一种基于机器视觉图像处理透明熔体实时控制晶体生长的方法_南京大学_202511887921.9
    本发明公开了一种基于机器视觉图像处理透明熔体实时控制晶体生长的方法，包括以下步骤：通过图像采集设备实时采集晶体生长过程中晶体与熔体界面的视频图像；对采集的图像进行预处理并提取有效特征；基于双阈值分割图像，确定精确识别范围与识别准确度，结合极...
    2026-05-05
  • 一种拉晶控制方法、装置、系统及存储介质
    一种拉晶控制方法、装置、系统及存储介质_天津中环领先材料技术有限公司_202511970298.3
    本申请公开了一种拉晶控制方法、装置、系统及存储介质，属于半导体制造技术领域。拉晶控制方法包括：首先获取单晶的当前熔区边界参数；然后基于当前熔区边界参数与单晶肩部长度的基准映射关系，确定当前基准参数；然后基于当前熔区边界参数与当前基准参数，确...
    2026-05-05
  • 一种晶棒断线处理方法及装置、直拉单晶炉
    一种晶棒断线处理方法及装置、直拉单晶炉_上海新昇半导体科技有限公司_202610070294.8
    本发明提供一种晶棒断线处理方法及装置、直拉单晶炉，晶棒断线处理方法包括以下步骤：响应于晶棒断线报警信号，确认启动自动回熔；根据预设的工艺配方，自动调整所述直拉单晶炉的回熔工艺参数，以执行回熔操作；基于传感器信号与时间维持的双重判定机制，确保...
    2026-05-05
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