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最新专利技术
  • 半导体装置、半导体存储装置及半导体装置的制造方法
    半导体装置、半导体存储装置及半导体装置的制造方法_铠侠股份有限公司_202510385415.3
    提供晶体管特性优异的半导体装置、半导体存储装置及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置具备：第一电极、第二电极、第一电极与第二电极之间的氧化物半导体层、以及与氧化物半导体层对置的栅电极。栅电极包含将氧化物半导体层夹在中间的第一部分和第二...
    2026-04-11
  • 半导体存储装置
    半导体存储装置_铠侠股份有限公司_202510316515.0
    提供良好地动作的半导体存储装置。半导体存储装置具备：在第一方向上层叠的多个第一半导体层、与多个第一半导体层电连接的通孔布线、与多个第一半导体层电连接的多个存储部、与多个第一半导体层对置的多个第一栅电极。另外，该半导体存储装置具备：相对于多个...
    2026-04-11
  • 半导体装置及半导体存储装置
    半导体装置及半导体存储装置_铠侠股份有限公司_202510281385.1
    本发明提供一种半导体装置及半导体存储装置，其晶体管特性优异。实施方式的半导体装置具备：第1电极；第2电极；第1电极与第2电极之间的第1氧化物半导体层；第2氧化物半导体层，在与连结第1电极与第2电极的第1方向垂直的第2方向，与第1氧化物半导体...
    2026-04-11
  • 存储器件
    存储器件_铠侠股份有限公司_202510274309.8
    本发明提供抑制存储器件的制造成本的存储器件。实施方式的存储器件包括第1及第2导电构件、多个存储单元、以及屏蔽电极。第1及第2导电构件各自在第1方向上延伸设置。第1及第2导电构件在第2方向上排列。多个存储单元在第1方向上排列。多个存储单元各自...
    2026-04-11
  • 存储装置
    存储装置_铠侠股份有限公司_202510253651.X
    一实施方式的存储装置包含第一导电体、第一半导体、第一绝缘体、第二导电体、第三导电体及第二绝缘体。第一导电体在第一方向上延伸。第一半导体沿着与第一方向相交的第一平面包围第一导电体。第一绝缘体沿着第一平面包围第一半导体。第二导电体沿着第一平面包...
    2026-04-11
  • 半导体存储装置
    半导体存储装置_铠侠股份有限公司_202510230291.1
    本公开提供一种能够实现高集成化的半导体存储装置。半导体存储装置具备：多个半导体层，在第1方向上层叠并在第2方向及第3方向上排列；多个过孔布线，分别电连接于在第1方向上层叠的多个半导体层；多个存储部，分别电连接于多个半导体层；多个栅电极，分别...
    2026-04-11
  • 半导体装置及半导体存储装置
    半导体装置及半导体存储装置_铠侠股份有限公司_202510175708.9
    实施方式提供一种半导体装置及半导体存储装置，其能够制造品质较佳的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：多个栅极电极，沿着与上下方向交叉的第1方向延伸，在与上下方向及第1方向交叉的第2方向上相互隔开地设置；多个位电极，在栅极电极的上方沿着第2...
    2026-04-11
  • 半导体装置及其形成方法
    半导体装置及其形成方法_华邦电子股份有限公司_202510128439.0
    本发明公开了一种半导体装置及其形成方法。所述装置包括：衬底；设置于衬底上的栅极结构；覆盖栅极结构的第一绝缘层；设置穿过第一绝缘层的接触件，其中接触件横向地邻近栅极结构；设置于第一绝缘层上且物理接触接触件的金属层；以及覆盖金属层的侧壁的第一介...
    2026-04-11
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_南亚科技股份有限公司_202411598619.7
    本发明提供一种半导体结构。半导体结构包括基板及字元线。字元线嵌入基板中，字元线包括高功函数层及在高功函数层上的低功函数层，其中高功函数层的平均功函数大于低功函数层的平均功函数，低功函数层包括下部及在下部上的上部，以及下部的平均晶粒尺寸小于上...
    2026-04-11
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_南亚科技股份有限公司_202411564701.8
    半导体结构包括半导体基板、位元线结构以及位元线间隔物。位元线结构设置于半导体基板上。位元线间隔物覆盖位元线结构，其中位元线间隔物包括SiCO层、绝缘氧化物层以及绝缘氮化物层。SiCO层覆盖位元线结构，其中SiCO层的氧浓度等于或大于55at...
    2026-04-11
  • 半导体器件、制作方法以及存储器系统
    半导体器件、制作方法以及存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202411310919.0
    本公开实施例公开了一种半导体器件、制作方法以及存储器系统，所述半导体器件包括第一半导体结构，所述第一半导体结构包括：半导体层，包括有源区；所述半导体层在第一方向上具有相对设置的第一侧和第二侧；第一隔离结构，嵌设于所述半导体层中且在与所述第一...
    2026-04-11
  • 半导体结构及其形成方法、半导体器件
    半导体结构及其形成方法、半导体器件_长鑫科技集团股份有限公司_202411306655.1
    本公开提供了一种半导体结构及其形成方法、半导体器件，该半导体结构包括：沿第一方向依次排布的第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区以及第四掺杂区；其中，第一掺杂区与第四掺杂区的掺杂类型相同，第二掺杂区的掺杂类型与第三掺杂区的掺杂类型相同，第一掺杂...
    2026-04-11
  • 存储器单元、存储器阵列和制造半导体器件的方法
    存储器单元、存储器阵列和制造半导体器件的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511744068.5
    存储器单元包括：有源区域，沿着第一方向纵向延伸；以及第一栅极结构和第二栅极结构，沿着与第一方向不同的第二方向纵向延伸。第一栅极结构接合有源区域以形成第一晶体管，并且第二栅极结构接合有源区域以形成第二晶体管。存储器单元还包括：第一外延部件，设...
    2026-04-11
  • 存储器件及其形成方法
    存储器件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511314529.5
    提出了用于在CFET SRAM器件中进行电源分配的单元设计，使用中间带单元将器件的背面连接到其正面。一种器件包括设置在衬底上的单元阵列。该单元阵列包括第一阵列部分和第二阵列部分，在器件的俯视图中沿第一方向分离。该器件还包括设置在沿第一方向的...
    2026-04-11
  • 基于在线三维X射线检测的贴片质量闭环控制方法及装置
    基于在线三维X射线检测的贴片质量闭环控制方法及装置_武汉大学_202511822450.3
    本申请提供了一种基于在线三维X射线检测的贴片质量闭环控制方法及装置，该方法包括：在当前电路板上形成焊膏并贴片；获取当前电路板上焊膏的三维体数据；根据三维体数据提取焊膏的三维形态特征参数；将三维形态特征参数导入预训练的孔洞风险预测模型中，预测...
    2026-04-11
  • 防磁屏蔽箱
    防磁屏蔽箱_聚变新能(安徽)有限公司_202610191486.4
    本发明涉及防磁屏蔽领域，并公开了一种防磁屏蔽箱，防磁屏蔽箱包括：箱体、屏蔽板、存物盒、箱盖和压紧机构，箱体设有呈圆形的进出口；屏蔽板设在箱体内且呈环形，屏蔽板的内环壁面为波纹结构；存物盒设在屏蔽板内，且与屏蔽板的内环壁面贴合；箱盖呈圆形且与...
    2026-04-11
  • 内窥镜的电气隔离系统、方法及设备
    内窥镜的电气隔离系统、方法及设备_杭州康基唯精医疗机器人有限公司_202512013988.6
    本申请实施例提供一种内窥镜的电气隔离系统、方法及设备。该系统包括：主机侧系统，患者侧系统以及隔离屏障；主机侧系统用于接收患者侧系统采集的视频信号，并向患者侧系统发送控制指令以及提供电源；患者侧用于基于控制指令采集视频信号，并将视频信号返回给...
    2026-04-11
  • 一种具有模块化隔离与电磁屏蔽功能的滤波器壳体
    一种具有模块化隔离与电磁屏蔽功能的滤波器壳体_贵阳航空电机有限公司_202511734122.8
    本发明公开了一种具有模块化隔离与电磁屏蔽功能的滤波器壳体，包括具有中空结构腔室的主壳体，所述主壳体内部设有用于将腔室分隔至少三个独立腔室的隔板，至少三个独立腔室分别用于容纳并隔离输入滤波模块、输出滤波模块和电源模块，所述主壳体的正面、侧面或...
    2026-04-11
  • 一种强电磁脉冲自触发抑制装置及其制备方法
    一种强电磁脉冲自触发抑制装置及其制备方法_贵州电网有限责任公司_202511571902.5
    本发明公开了一种强电磁脉冲自触发抑制装置及其制备方法，涉及电磁防护技术领域，装置包括针状放电电极阵列，用于在强电磁脉冲电场作用下集中电场；接地网格电极，与针状放电电极阵列相对设置；气体放电腔，位于针状放电电极阵列与接地网格电极之间，气体放电...
    2026-04-11
  • 一种用于复杂电磁环境的动态电磁屏蔽方法及其屏蔽装置
    一种用于复杂电磁环境的动态电磁屏蔽方法及其屏蔽装置_广西电网有限责任公司电力科学研究院_202511514031.3
    本发明公开了一种用于复杂电磁环境的动态电磁屏蔽方法及其屏蔽装置，所述方法包括获取复杂电磁环境下的实时电压数据并进行电压特征分析，输出实时电压信号的特征向量，并根据特征向量分析当前电场的干扰源类型，根据干扰源类型通过预先训练的LSTM模型对特...
    2026-04-11
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