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一种真空镀膜机工件定位机构
本发明公开了一种真空镀膜机工件定位机构,属于真空镀膜机技术领域,包括支撑组件以及安装在支撑组件上的滑动组件,滑动组件上安装有移动组件,移动组件上安装有定位组件,定位组件上安装有旋转组件,支撑组件上安装有翻转组件,支撑组件上安装有转动组件,滑...
一种晶体谐振器溅射镀膜装置及晶体谐振器的制备方法
本发明公开了一种晶体谐振器溅射镀膜装置及晶体谐振器的制备方法,属于电子元器件领域,顺次包括底板、下电极掩模板、定位板、上电极掩模板和磁性盖板,定位板上设置有晶片定位凹槽,晶片安装在晶片定位凹槽中,上电极掩模板与下电极掩模板上均设置有电极孔,...
黑色红外辐射窗口选择超材料及其制备方法与应用
本发明公开了一种黑色红外辐射窗口选择超材料及其制备方法与应用。所述制备方法包括:采用磁控溅射技术,依次在基底表面沉积反射层、红外选择性调控层、介质层、吸收层、减反层,从而制得黑色红外辐射窗口选择超材料。本发明设计了黑色红外辐射窗口选择超材料...
一种靶材组件的背板
本发明涉及一种靶材组件的背板,具体涉及靶材领域,所述靶材组件的背板包括:环形渐深过流区;所述环形渐深过流区的环宽为背板宽度的85‑90%;所述环形渐深过流区的深度h=L/tanα,L为对应位置所在深度直线至中心轴线的距离,α=30‑45°。...
一种外延片的ITO膜层磁控溅射方法
本发明公开了一种外延片的ITO膜层磁控溅射方法,包括:将外延片置于镀膜腔,在所述镀膜腔中通入氩气,并在磁控溅射ITO机台处于第一溅射功率和第一镀膜转速时,在所述外延片上制备ITO膜层的粘附层;在所述镀膜腔中通入氩气和氧气,并在磁控溅射ITO...
一种半导体晶体用真空沉积设备
本发明公开了一种半导体晶体用真空沉积设备,涉及真空沉积技术领域,包括箱体;箱体内部的工作台上固定安装有多边形壳体;多边形壳体的内部设置有旋转上料组件;旋转上料组件包括旋转盘;旋转盘底部与旋转撑杆固定安装;旋转撑杆远离旋转盘的一端通过安装轴承...
用于玻璃装饰物表面的高致密高结合力银膜及其制备方法
本发明涉及玻璃装饰物表面处理技术领域,具体公开了用于玻璃装饰物表面的高致密高结合力银膜制备方法,包括以下步骤:步骤一:制备活化层,采用等离子体活化技术,通入甲烷、TMS与空气的混合气体进行等离子体活化,在玻璃装饰物基底表面形成包含Si‑C‑...
一种深振荡磁控溅射制备超硬且韧的复合涂层的方法
本申请提供了一种深振荡磁控溅射制备超硬且韧的复合涂层的方法,TiVSiN复合涂层技术领域,1)对基体进行预清洗;2)对基体进行离子清洗;3)采用深振荡磁控溅射沉积方法在基体上沉积形成过渡层;4)采用深振荡磁控溅射沉积方法,在过渡层上先调控高...
一种兼具耐磨与耐蚀性能的CoCrFeNi中熵合金涂层及其制备方法
本发明公开了一种兼具耐磨与耐蚀性能的CoCrFeNi中熵合金涂层及其制备方法,属于材料科学与表面工程技术领域。本方法首次提出通过能量输入窗口调控形成“梯度孔隙‑自然氧化‑致密膜”连续演化机制,通过中等能量输入实现涂层致密化及残余压应力引入,...
一种溅射装置及薄膜沉积方法
本申请涉及一种溅射装置及薄膜沉积方法,包括:载板、圆柱状可旋转阴极靶材及阳极结构,其中,载板用于放置待沉积基片;圆柱状可旋转阴极靶材设于载板上方;阳极结构包括多个调节单元,多个调节单元沿圆柱状可旋转阴极靶材的轴向方向依次排布,调节单元沿圆柱...
一种特殊形貌AZO薄膜的制备方法
本发明涉及一种特殊形貌AZO薄膜的制备方法,其特征在于:(1)采用特殊形貌的玻璃或不锈钢材料作为衬底材料,对衬底材料进行清洗处理;(2)采用磁控溅射法直接在衬底上制备出具有特殊形貌的AZO薄膜。本发明具有如下优点:本发明以特殊形貌的材料为衬...
一种关节置换全阶段自适应Ag-DLC涂层及其制备方法
本发明公开了一种关节置换全阶段自适应Ag‑DLC涂层及其制备方法,该涂层包括生物友好型基底、钛粘结层和掺杂Ag元素的Ag‑DLC功能层,功能层中Ag元素以Ag纳米颗粒形式镶嵌于DLC的碳骨架中,且Ag纳米颗粒的尺寸为1~35 nm,掺杂量为...
工艺腔室及半导体工艺设备
本发明提供一种工艺腔室及半导体工艺设备,工艺腔室包括:腔室本体,其顶部具有进气孔,进气孔用于向腔室本体内部输出工艺气体;第一转盘,绕第一轴线可转动地设置在腔室本体内,并位于进气孔的下方,进气孔的轴线方向与第一轴线平行;第二转盘,用于承载晶圆...
一种旋转式靶材座
本发明公开了一种旋转式靶材座,属于靶材座技术领域,包括靶材座主体,靶材座主体上连接有驱动机构,驱动机构上连接有靶材板,靶材板与靶材座主体之间设置有冷却机构,靶材座主体顶端连接有钼支架,钼支架上连接有钼片。本发明采用上述的一种旋转式靶材座,通...
一种带熔池稳定机构的多电子枪真空镀膜装置
本发明属于真空镀膜装置技术领域,特别涉及一种带熔池稳定机构的多电子枪真空镀膜装置,包括底架;所述底架的顶部一侧安装有坩埚组件,且所述坩埚组件的顶部一侧安装有基片支架,所述底架的一侧设置有机械泵,所述坩埚组件的外壁且靠近机械泵的一侧安装有分子...
一种抽屉式自动开闭的下沉腔结构
本发明涉及下沉腔技术领域,具体为一种抽屉式自动开闭的下沉腔结构,包括下沉腔本体以及固定在其底部的底板,且底板的前侧内部由左向右依次贯穿连接有第二转动杆和第一转动杆,所述第二转动杆的顶端连接有钨舟,所述底板的上表面中部位置固定有滑轨机构。该抽...
一种大尺寸基板真空蒸镀腔室及真空蒸镀装置
本发明公开了一种大尺寸基板真空蒸镀腔室,包括蒸镀腔室以及设置于所述蒸镀腔室内的线源装置,所述蒸镀腔室内至少设置有一个用于放置基板的基板架,所述基板架位于所述线源装置上方,所述蒸镀腔室一侧设置用于基板进出蒸镀腔室的基板上料口;所述线源装置下方...
一种非接触真空传输机构及蒸镀系统
本发明公开了一种非接触真空传输机构,包括传输承载组件、驱动组件;所述传输承载组件包括下传输轨道、上传输轨道,所述下传输轨道上滑动连接有滑动承载部,所述滑动承载部与所述下传输轨道非接触配合,所述上传输轨道下方滑动连接有减重承载部,所述减重承载...
一种钛合金表面(TiZrNbHfTa)C高熵合金碳化物陶瓷涂层及其制备方法和应用
本发明公开了一种钛合金表面(TiZrNbHfTa)C高熵合金碳化物陶瓷涂层及其制备方法和应用,属于合金涂层材料技术领域。本涂层由连续致密的(TiZrNbHfTa)C高熵合金碳化物陶瓷层,TiZrNbHfTa高熵合金中间层和Ti‑Zr‑Nb‑...
复合涂层及其制备方法、卫浴制品
本申请涉及复合涂层及其制备方法、卫浴制品。上述复合涂层包括至少一层第一涂层,按质量百分比计,制备第一涂层的材料包括稀土金属氧化物2%~10%、Al单质50%~60%及Ti单质30%~40%。上述复合涂层具有较好的抗菌性的同时,具有较高的硬度...
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