Document
拖动滑块完成拼图
专利交易 商标交易 积分商城 国际服务 IP管家助手 科技果 科技人才 会员权益 需求市场 关于龙图腾 更多
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 晶体管器件及制备方法、电子产品
    晶体管器件及制备方法、电子产品_厦门市三安集成电路有限公司_202512014818.X
    本申请提供一种晶体管器件及制备方法、电子产品，其中，晶体管器件包括衬底、半导体叠层、介质层、栅极金属、源极金属和漏极金属；所述半导体叠层包括源极区域、漏极区域和多个鳍部；每两个相邻的所述鳍部之间形成为凹槽，所述介质层覆盖于所述鳍部上以及覆盖...
    2026-04-18
  • 具有缠绕式栅极电介质的叉片晶体管
    具有缠绕式栅极电介质的叉片晶体管_英特尔公司_202511351804.0
    公开了具有缠绕式栅极电介质的叉片晶体管。提供了用于形成半导体器件的技术，该半导体器件包括具有缠绕式栅极电介质、具有自对准电介质脊和纳米片的叉片晶体管。电介质脊可以在形成栅极结构之前形成。在示例中，第一和第二半导体器件分别具有在第一方向上延伸...
    2026-04-18
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202511071037.8
    一种半导体器件可以包括：第一有源图案，在第一方向上延伸并且在第二方向上具有第一宽度；第二有源图案，在所述第一方向上延伸并且在所述第二方向上具有小于所述第一宽度的第二宽度；第一栅极结构，在所述第一有源图案上延伸；第二栅极结构，在所述第二有源图...
    2026-04-18
  • MOS晶体管和集成电路
    MOS晶体管和集成电路_北京燕东微电子科技有限公司_202512019816.X
    本申请涉及半导体技术领域，具体提供一种MOS晶体管和集成电路，旨在解决现有高压CMOS的GIDL漏电的技术问题。为此目的，本申请的MOS晶体管包括：半导体基板；设置在半导体基板内的源区和漏区；设置在源区和漏区之间且位于半导体基板上的栅极结构...
    2026-04-18
  • 半导体结构
    半导体结构_北京燕东微电子科技有限公司_202512016555.6
    本发明提供一种半导体结构，包括：半导体层；位于半导体层中且间隔设置的源区和漏区；位于半导体层上的栅极结构，包括层叠设置的栅极介质层和栅极，栅极介质层包括靠近漏区的第一区域和靠近源区的第二区域，第二区域与第一区域的等效氧化层厚度相等；其中，第...
    2026-04-18
  • 引入Mg δ掺杂埋层结构的大功率GaN p-FET器件及其制备方法
    引入Mg δ掺杂埋层结构的大功率GaN p-FET器件及其制备方法_南京大学_202511926703.1
    本发明公开了一种引入Mg δ掺杂埋层结构的大功率GaN p‑FET器件，其其结构最底层为衬底，其上依次生长有GaN缓冲层、Mg δ掺杂埋层、AlGaN势垒层、GaN沟道层、p‑GaN层、p+‑GaN层，其中Mg δ掺杂埋层是在GaN层进行M...
    2026-04-18
  • 碳化硅器件和碳化硅器件的制备方法
    碳化硅器件和碳化硅器件的制备方法_珠海格力电子元器件有限公司_202511922366.9
    本申请提供了一种碳化硅器件和碳化硅器件的制备方法。该碳化硅器件包括衬底、外延层、沟槽栅极结构、源区结构、掺杂层、第一金属层以及第二金属层，外延层位于衬底的一侧，外延层包括沿第一方向交替排布的第一掺杂区和外延区，相邻的第一掺杂区和外延区形成超...
    2026-04-18
  • 一种屏蔽栅沟槽器件及其制作方法
    一种屏蔽栅沟槽器件及其制作方法_芯迈半导体技术(杭州)股份有限公司_202511909404.7
    本发明提供一种屏蔽栅沟槽器件及其制作方法，该方法在采用湿法刻蚀回刻复合介质层之后，先形成调整介质层，其至少覆盖回刻后的复合介质层，且其顶面最低点高于第一介质层的顶面，之后回刻调整介质层以得到顶面齐平的介质层，后续形成的控制栅层位于屏蔽栅层的...
    2026-04-18
  • 集成结势垒肖特基二极管的单沟道元胞结构及版图结构
    集成结势垒肖特基二极管的单沟道元胞结构及版图结构_重庆平伟实业股份有限公司_202511890175.9
    本发明提供的一种集成结势垒肖特基二极管的单沟道元胞结构及版图结构，包括：衬底；第一导电类型外延区，设置于衬底的正面；第二导电类型体区，其形成于第一导电类型外延区背离衬底的一侧部分区域；第一导电类型源区，其形成于第二导电类型体区背离衬底的一侧...
    2026-04-18
  • 铁电场效应晶体管
    铁电场效应晶体管_中国科学院微电子研究所_202511698949.8
    本公开提供了一种铁电场效应晶体管，包括有源区、有源区上的铁电堆叠结构和铁电堆叠结构上的栅电极。铁电堆叠结构包含彼此具有不同矫顽场的多个铁电层。其中，铁电场效应晶体管被配置为基于多个铁电层的极化状态而实现多值存储。
    2026-04-18
  • 一种SiC功率半导体器件、制备方法、金半接触界面结构及应用
    一种SiC功率半导体器件、制备方法、金半接触界面结构及应用_湖南大学_202511575768.6
    本发明公开了一种SiC功率半导体器件、制备方法、金半接触界面结构及应用，属于半导体领域。该SiC功率半导体器件，包括源极和漏极，所述源极和/或漏极的材质为MAX相。本发明的结构合理，通过选用特定的MAX相作为构建源极和/或漏极的材质，进而形...
    2026-04-18
  • 具有增厚层的半导体装置及其制造方法
    具有增厚层的半导体装置及其制造方法_南亚科技股份有限公司_202510318792.5
    本申请公开一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包含基底，包括源极区和漏极区；字元线结构，包含基底内且包含U形轮廓的字元线介电层、字元线介电层上且在基底中的字元线导电层，和字元线导电层上的字元线盖层；顶部增厚层，包含U形轮廓，在字元线导电层...
    2026-04-18
  • 半导体装置及制造半导体装置的方法
    半导体装置及制造半导体装置的方法_汉磊科技股份有限公司_202411321989.6
    本发明提供一种半导体装置及制造半导体装置的方法。其中，半导体装置包括：碳化硅磊晶层，其包括：p型阱区；重掺杂n型区，其在该p型阱区的表面上；以及重掺杂p型区，其在该重掺杂n型区之下且在该p型阱区内。该半导体装置还包括第一栅极沟槽，其穿过该p...
    2026-04-18
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_台亚半导体股份有限公司_202411946340.3
    本发明提供一种半导体结构及其制造方法，其中半导体结构包含一硅基板、一氮化物缓冲复合层、一主动层及一硅阻挡复合层。氮化物缓冲复合层设置于硅基板上方，主动层设置于氮化物缓冲复合层上方，硅阻挡复合层夹置于氮化物缓冲复合层中，实质阻挡来自硅基板的一...
    2026-04-18
  • 一种基于GaN材料的HEMT器件外延结构及其应用
    一种基于GaN材料的HEMT器件外延结构及其应用_先导原创(上海)新技术研究有限公司_202411359580.3
    本发明公开了一种基于GaN材料的HEMT器件外延结构及其应用，该外延结构包括：衬底；形成在衬底上的第一缓冲层；形成在第一缓冲层上的叠层；形成在叠层上的沟道层；形成在沟道层上的势垒层；其中，叠层包括若干沿背离衬底方向依次层叠设置的叠层单元，每...
    2026-04-18
  • 一种GaN HEMT制备方法及GaN HEMT
    一种GaN HEMT制备方法及GaN HEMT_烟台睿创微纳技术股份有限公司_202512022778.3
    本申请公开了一种GaN HEMT制备方法及GaN HEMT，属于半导体技术领域，该方法包括：在衬底表面形成外延结构，并在外延结构中形成隔离区、源极和漏极；在外延结构背离衬底的表面形成第一钝化保护层，并在源极和漏极之间的第一钝化保护层中形成栅...
    2026-04-18
  • 功率半导体器件的制备方法及功率半导体器件
    功率半导体器件的制备方法及功率半导体器件_北京燕东微电子科技有限公司_202512022437.6
    本申请涉及功率半导体技术领域，具体提供一种功率半导体器件的制备方法及功率半导体器件，旨在解决如何有效调节电极接触孔到沟槽侧壁的距离，提升器件设计的灵活性的问题。为此目的，本申请提供的方法包括：在半导体基板上形成掩膜结构，对掩膜结构中的第一掩...
    2026-04-18
  • MOS器件及其制备方法
    MOS器件及其制备方法_珠海格力电子元器件有限公司_202511922363.5
    本申请涉及半导体技术领域，提供了一种MOS器件及其制备方法，其中，MOS器件的制备方法包括：提供外延片，外延片包括衬底和位于衬底之上的外延层，外延层具有第一掺杂类型；在外延层内形成多个间隔设置的基区，基区具有第二掺杂类型，第二掺杂类型与第一...
    2026-04-18
  • 一种LDMOS器件及其制造方法
    一种LDMOS器件及其制造方法_荣芯半导体(淮安)有限公司_202511792087.5
    一种LDMOS器件及其制造方法，该制造方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底中形成有源区、漏区、体区和漂移区，半导体衬底上形成有栅极结构；形成覆盖栅极结构和半导体衬底的多层场板介质层；在多层场板介质层上形成图案化的光刻胶层，图案化的光刻胶层包...
    2026-04-18
  • 一种半导体器件及其制备方法
    一种半导体器件及其制备方法_荣芯半导体(淮安)有限公司_202511753400.4
    本申请提供一种半导体器件及其制备方法，包括：提供衬底，在衬底上形成有至少两个栅极；在栅极和衬底上形成图案化的第一掩膜层，图案化的第一掩膜层定义出第一注入窗口，第一注入窗口露出两个栅极之间的衬底表面、两个栅极彼此相对的侧壁以及部分顶面；对衬底...
    2026-04-18
首页 上一页 20 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证