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最新专利技术
  • 一种双栅器件集成结构的制备方法和双栅器件集成结构
    一种双栅器件集成结构的制备方法和双栅器件集成结构_无锡芯卓湖光半导体有限公司_202512059373.7
    本发明涉及半导体技术领域，公开了一种双栅器件集成结构的制备方法和双栅器件集成结构，包括：形成中间晶圆；中间晶圆包括自下而上层叠的第一基底、临时介质层、初始背栅层、背栅介质层和第一有源层；形成正栅介质层和正栅结构，得到初始第一器件结构；提供第...
    2026-04-22
  • 薄膜晶体管基板和使用该薄膜晶体管基板的显示装置
    薄膜晶体管基板和使用该薄膜晶体管基板的显示装置_乐金显示有限公司_202511049712.7
    本公开提供一种薄膜晶体管基板和使用该薄膜晶体管基板的显示装置，薄膜晶体管基板包括：基板；有源层，有源层位于基板上；栅极，栅极位于有源层上；第一导电层和第二导电层，第一导电层和第二导电层设置在有源层和栅极之间；源极，源极位于第一导电层上；以及...
    2026-04-22
  • 显示面板及显示装置
    显示面板及显示装置_厦门天马光电子有限公司_202512043977.2
    本申请提供了一种显示面板及显示装置。该显示面板包括多个像素单元，多个像素单元呈阵列分布，且相邻两行像素单元之间设置有第一栅极线和第二栅极线；第一栅极线在显示面板的第一区设置于显示面板的第一金属层，第二栅极线在第一区设置于显示面板与第一金属层...
    2026-04-22
  • 阵列基板和显示面板
    阵列基板和显示面板_北京维信诺科技有限公司_202512040120.5
    本发明实施例公开了一种阵列基板和显示面板，阵列基板包括至少一个像素电路，像素电路包括驱动晶体管和至少一个开关晶体管，开关晶体管包括第一晶体管；阵列基板还包括衬底和有源层，驱动晶体管的沟道区和第一晶体管的沟道区均位于有源层；第一晶体管的第一极...
    2026-04-22
  • 阵列基板和显示装置
    阵列基板和显示装置_合肥鑫晟光电科技有限公司_202411376176.7
    本公开提供一种阵列基板和显示装置，属于显示技术领域。本公开的一种阵列基板包括衬底基板、设置在衬底基板上的像素单元、第一测试线、第一测试端子、选通电路、多个沿第一方向并排设置的第一焊盘、多个沿第一方向并排设置的第二焊盘、多个沿第一方向并排设置...
    2026-04-22
  • 一种镀金薄膜电路的低成本制备方法
    一种镀金薄膜电路的低成本制备方法_四川科尔威光电科技有限公司_202511913663.7
    本发明公开了一种镀金薄膜电路的低成本制备方法，属于集成电路制造领域，包括以下步骤：S1, 在基板的表面形成种子层，形成中间产品一，其中，种子层包括打底金属层和扩散阻挡金属层，打底金属层覆盖在基板上，扩散阻挡金属层覆盖在打底金属层上，种子层的...
    2026-04-22
  • 半导体器件结构及其形成方法
    半导体器件结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511742109.7
    本公开的实施例提供了半导体器件结构及其形成方法。半导体器件结构包括：多个半导体纳米结构；围绕每个半导体纳米结构的栅极堆叠；沿栅极堆叠的侧壁延伸的栅极间隔件；第一源极/漏极区域，电连接到多个半导体纳米结构中的第一半导体纳米结构；设置在第一源极...
    2026-04-22
  • 半导体器件、电子设备和制造半导体器件的方法
    半导体器件、电子设备和制造半导体器件的方法_三星电子株式会社_202511390454.9
    半导体器件包括包含二维半导体材料的沟道、分别电连接到沟道的两端的源极电极和漏极电极、沟道上的二维材料氧化物层、二维材料氧化物层上的偶极子氧化物层、偶极子氧化物层上的介电层以及介电层上的栅极电极。
    2026-04-22
  • 半导体装置和制造半导体装置的方法
    半导体装置和制造半导体装置的方法_三星电子株式会社_202511404347.7
    提供了半导体装置和制造半导体装置的方法。所述半导体装置可包括：多个第1沟道层；第1源极/漏极区域，在所述多个第1沟道层上；以及栅极结构，包括所述多个第1沟道层上的第1逸出功金属层，其中，第1逸出功金属层包括所述多个第1沟道层之间的第1层和所...
    2026-04-22
  • 包括堆叠晶体管的集成电路器件及其制造方法
    包括堆叠晶体管的集成电路器件及其制造方法_三星电子株式会社_202510994881.1
    提供了集成电路器件及其形成方法。集成电路器件可以包括：衬底；在衬底的上表面上的绝缘体；在衬底和绝缘体之间的晶体管，晶体管包括：沟道层，在垂直于衬底的上表面的第一方向上彼此间隔开；以及在沟道层和绝缘体上的栅极结构，其中绝缘体在与衬底的上表面平...
    2026-04-22
  • 电子装置
    电子装置_群创光电股份有限公司_202411378219.5
    本发明提供一种电子装置，包括：基板；第一晶体管，设置于基板上，具有第一操作电压；以及第二晶体管，设置于基板上，具有第二操作电压。第一晶体管包括第一半导体层、第一栅极、以及第一绝缘结构，第一绝缘结构设置于第一半导体层与第一栅极之间。第二晶体管...
    2026-04-22
  • 基于P型掺杂台面结构的碳化硅CMOS器件及制作方法
    基于P型掺杂台面结构的碳化硅CMOS器件及制作方法_山东大学_202610028291.8
    本发明属于电子技术领域，涉及基于P型掺杂台面结构的碳化硅CMOS器件及制作方法，该制作方法包括对碳化硅P型轻掺杂外延层进行刻蚀形成P型掺杂台面结构，并暴露出下方掩埋的碳化硅N型轻掺杂外延层，使用牺牲氧化层方法修复刻蚀损伤；进行两次低能量离子...
    2026-04-22
  • N型衬底BCD工艺全隔离器件结构及其制作方法
    N型衬底BCD工艺全隔离器件结构及其制作方法_中国电子科技集团公司第二十四研究所_202610000822.2
    本发明公开了一种N型衬底BCD工艺全隔离器件结构及其制作方法，所述制作方法包括以下步骤：提供N型衬底，在所述衬底上形成外延层并在所述外延层中形成全隔离结构；在所述外延层上形成有源区和浅沟槽隔离；在所述外延层上形成双阱区；在所述外延层上形成栅...
    2026-04-22
  • 半导体器件及其制备方法和电子设备
    半导体器件及其制备方法和电子设备_摩尔线程智能科技(北京)股份有限公司_202512061508.3
    本公开涉及一种半导体器件及其制备方法和电子设备，包括在第一半导体结构上形成由第一介质层延伸至第一衬底的第一孔洞结构；在第一孔洞结构内形成材料成分由第一半导体材料渐变至第二半导体材料延柱结构；在第一介质层上方制备第二半导体结构，第二半导体结构...
    2026-04-22
  • 一种半导体结构的制备方法及半导体器件
    一种半导体结构的制备方法及半导体器件_无锡沧海云帆电子科技有限公司_202512013011.4
    本发明涉及半导体技术领域，公开了一种半导体结构的制备方法及半导体器件，包括：提供基底层以及在基底层上形成外延层；外延层包括第一器件区域和第二器件区域；在外延层上形成第一多晶硅层；第一多晶硅层同时覆盖第一器件区域和第二器件区域；在第一多晶硅层...
    2026-04-22
  • 一种栅极高度调整方法及半导体结构
    一种栅极高度调整方法及半导体结构_重庆芯联微电子有限公司_202511901688.5
    本发明公开了一种栅极高度调整方法及半导体结构，所述方法包括，提供一沉积有PMOS栅极结构以及NMOS栅极结构的基底；所述PMOS栅极区域以及所述NMOS栅极区域沉积有硬掩膜层；所述硬掩膜层由厚度不同的硬掩膜层A以及硬掩膜层B两个部分组成；去...
    2026-04-22
  • 半导体器件的制造方法
    半导体器件的制造方法_重庆芯联微电子有限公司_202511732284.8
    本发明提供一种半导体器件的制造方法，先形成第一介质层，第一介质层填充于第一栅极与第二栅极之间并延伸覆盖第一硬掩膜层，第二栅极上的第一介质层的顶表面高于第一栅极上的第一介质层的顶表面；对第二栅极上的第一介质层进行刻蚀，以去除第二栅极上的第一介...
    2026-04-22
  • 一种BCD平台和HV平台的集成方法及半导体集成器件
    一种BCD平台和HV平台的集成方法及半导体集成器件_重庆芯联微电子有限公司_202511728929.0
    本发明提供一种BCD平台和HV平台的集成方法及半导体集成器件，方法包括：在衬底中形成第一隔离结构和第二隔离结构，第一隔离结构定义用于形成LDMOS器件/HVMOS器件/CMOS器件的第一区/第二区/第三区，第二隔离结构在第二区中；通过局部热...
    2026-04-22
  • 一种BCD中制备不同开启电压的IO器件的方法及BCD器件
    一种BCD中制备不同开启电压的IO器件的方法及BCD器件_重庆芯联微电子有限公司_202511706499.2
    本发明提供一种BCD中制备不同开启电压的IO器件的方法及BCD器件，方法包括：在衬底中形成隔离结构，定义第一区、第二区和第三区，第一区/第二区用于形成具有第一开启电压/第二开启电压的IO器件，第三区用于形成LDMOS器件；在第一阱区和第二阱...
    2026-04-22
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511785783.3
    本申请提供了一种半导体器件及其制备方法，其中，制备方法包括：提供一半导体衬底，包括低压区、中压区和高压区，低压区上形成有第一栅极，中压区上形成有第二栅极，高压区上形成有第三栅极，依次形成第一侧墙材料层和第二侧墙材料层，采用第一掩膜板进行第一...
    2026-04-22
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