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最新专利技术
  • 连线隔离性能改善方法及集成电路
    连线隔离性能改善方法及集成电路_普冉半导体(上海)股份有限公司_202512027278.9
    本发明提供了一种连线隔离性能改善方法及集成电路，包括：在晶圆片表面制备电路元件；在电路元件表面形成多层金属互联结构，实现电路元件各极性的电学连接；每层金属互联结构包括形成在低介电常数材质层中的金属连线，且低介电常数材质层和金属连线的侧壁接触...
    2026-04-19
  • 铜互连结构用的扩散阻挡层及其制备方法
    铜互连结构用的扩散阻挡层及其制备方法_重庆芯联微电子有限公司_202511897595.X
    本发明提供一种铜互连结构用的扩散阻挡层及其制备方法，通过在高熵合金靶材中集成金属铜，利用磁控溅射工艺同步形成高熵合金薄膜，对高熵合金薄膜进行一步退火工艺即可以同时形成高熵合金扩散阻挡层和铜种子层，相比于现有技术而言，制备工艺简单，降低生成成...
    2026-04-19
  • 半导体结构的制作方法
    半导体结构的制作方法_重庆芯联微电子有限公司_202511887895.X
    本发明提供了一种半导体结构的制作方法，应用于半导体技术领域。在本发明中，通过在钝化保护层中的两个子层之间增加一层黏附缓冲层，以利用黏附缓冲层的表层所包含的化学键及悬垂键与两个子层的表层所包含的化学键及悬垂键发生反应的方式，增强钝化保护层中两...
    2026-04-19
  • 铜互连结构的制备方法
    铜互连结构的制备方法_重庆芯联微电子有限公司_202511827353.3
    本发明提供一种铜互连结构的制备方法，在电镀完铜层后，通过设置升温阶段、恒温生长阶段和冷却阶段的多段式温度变化对电镀铜进行热退火过程，可促使更多的铜完成形核，晶核长大并使铜晶粒尺寸增长，使得目标尺寸的晶粒占比增加，晶粒尺寸分布更加均匀，同时晶...
    2026-04-19
  • 半导体结构及其制备方法
    半导体结构及其制备方法_重庆芯联微电子有限公司_202511730990.9
    本发明提供一种半导体结构及其制备方法，通过在含有铜层的互连结构上依次形成SiCN缓冲层和SiCN主体层，显著增强SiCN层与铜层之间的粘附性，同时保持SiCN层作为刻蚀停止层和扩散阻挡层的功能。对互连结构进行NH3等离子体处理，清洁铜层表面...
    2026-04-19
  • 沟槽隔离型PN结及其制备方法、沟槽隔离型半导体器件
    沟槽隔离型PN结及其制备方法、沟槽隔离型半导体器件_安徽大鹏半导体有限公司_202411357127.9
    本发明公开了一种沟槽隔离型PN结及其制备方法、沟槽隔离型半导体器件，其中，该方法包括：提供衬底；沿第一方向，在衬底的一侧形成外延层；第一方向为衬底的厚度方向；沿第一方向，对外延层远离衬底的一侧进行掺杂处理形成掺杂区；沿第二方向，在掺杂区的两...
    2026-04-19
  • 半导体器件的制备方法
    半导体器件的制备方法_思瑞浦微电子科技(苏州)股份有限公司_202512056187.8
    本发明公开了一种半导体器件的制备方法，包括以下步骤：提供半导体主体；在所述半导体主体中形成第一沟槽，并在第一沟槽中形成第一沟槽结构；在所述半导体主体中形成器件区域；至少在所述器件区域的部分表面处形成氧化隔离结构；在形成所述氧化隔离结构后的所...
    2026-04-19
  • 沟槽结构及其制备方法、半导体器件
    沟槽结构及其制备方法、半导体器件_无锡芯卓湖光半导体有限公司_202512051744.7
    本申请提供了一种沟槽结构及其制备方法、半导体器件，通过先在衬底中形成深度较深的第一沟槽，并在其内填充第一材料后，再形成深度较浅的第二沟槽和作为深沟槽头部的头部沟槽，从而可使得第二沟槽和头部沟槽采用一步填充工艺在同一工艺步骤中进行第二材料的填...
    2026-04-19
  • 应变半导体结构、绝缘体上半导体结构及制备方法
    应变半导体结构、绝缘体上半导体结构及制备方法_无锡芯卓湖光半导体有限公司_202512047546.3
    本申请提供了一种应变半导体结构、绝缘体上半导体结构及制备方法，通过将弛豫层的晶格常数大小分布设置为靠近应变层一侧的晶格常数小于靠近支撑衬底一侧的晶格常数，则弛豫层在可以在激发应变的同时，与应变层之间可以形成晶格常数差异较小的异质结界面，可降...
    2026-04-19
  • 一种高深宽比结构中填充层间介质层的方法
    一种高深宽比结构中填充层间介质层的方法_重庆芯联微电子有限公司_202511721596.9
    本发明提供一种高深宽比结构中填充层间介质层的方法中，在SiH4和O2的反应过程中使用重惰性气体Kr作为扩散添加剂，由于SiH4和O2的分子/原子质量小于惰性气体Kr，因此在相同的反应温度下，重惰性气体Kr能够提高SiH4和O2的分子扩散能力...
    2026-04-19
  • 芯片修调方法、芯片修调平台和控制模块
    芯片修调方法、芯片修调平台和控制模块_重庆览山电子有限公司_202610213457.3
    本申请公开了一种芯片修调方法、芯片修调装置和控制模块，方法包括：控制模块识别芯片的接入，并向芯片发送修调指令；控制模块接收修调后的参数信号，并将修调后的参数信号存储在芯片中；其中修调后的参数信号是参数监测模块对待修调的参数信号进行修调操作后...
    2026-04-19
  • 复合衬底及其制备方法
    复合衬底及其制备方法_深圳平湖实验室_202511936304.3
    本公开提供了一种复合衬底及其制备方法，涉及半导体芯片技术领域，解决激光剥离的方法对坯料晶锭利用率较低的问题，该复合衬底的制备方法包括：第一键合、第一改质、第一剥离、第二键合和第二剥离；第一键合，将第一衬底与第二衬底键合；第一改质，在第一衬底...
    2026-04-19
  • 一种晶圆及其处理方法
    一种晶圆及其处理方法_湖北江城芯片中试服务有限公司_202512054267.X
    本申请公开了一种晶圆及其处理方法。晶圆处理方法，包括以下步骤：将晶圆置于第一环境温度T1，对晶圆的进行表面改性，得到表面改性后的晶圆；对表面改性后的晶圆旋涂光刻胶，得到涂覆有光刻胶的晶圆；将涂覆有光刻胶的晶圆置于第二环境温度T2，以使光刻胶...
    2026-04-19
  • 一种晶圆处理方法及处理装置
    一种晶圆处理方法及处理装置_湖北江城芯片中试服务有限公司_202512053964.3
    本申请公开了一种晶圆处理方法及处理装置。晶圆处理方法包括以下步骤：在晶圆表面旋涂光刻胶，得到涂覆有光刻胶的晶圆；将涂覆有光刻胶的晶圆置于环境温度T，以使光刻胶固化，得到光刻胶固化的晶圆；采用洗边溶液对光刻胶固化的晶圆进行清洗，以去除至少部分...
    2026-04-19
  • 底层组合物和制造半导体器件的方法
    底层组合物和制造半导体器件的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511740813.9
    本申请涉及底层组合物和制造半导体器件的方法。一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成抗蚀剂底层。所述抗蚀剂底层包括底层组合物，所述底层组合物包括：具有悬垂光致酸产生剂(PAG)基团、悬垂热致酸产生剂(TAG)基团或悬垂PAG基团和悬垂T...
    2026-04-19
  • 半导体衬底刻蚀方法和光刻胶抗刻蚀性能评价方法
    半导体衬底刻蚀方法和光刻胶抗刻蚀性能评价方法_张江国家实验室_202511359405.9
    本申请涉及半导体衬底刻蚀方法和光刻胶抗刻蚀性能评价方法。半导体衬底刻蚀方法包括：提供被金属基光刻胶图形层部分覆盖的半导体衬底；利用包含第一刻蚀气体和第二刻蚀气体的混合气体对被金属基光刻胶图形层部分覆盖的半导体衬底进行刻蚀，其中第一刻蚀气体包...
    2026-04-19
  • 组合分离装置、半导体设备及组合分离方法
    组合分离装置、半导体设备及组合分离方法_深圳市新凯来工业机器有限公司_202512047113.8
    本申请实施例提供一种组合分离装置、半导体设备及组合分离方法。组合分离装置包括固定台、寻边组件、翻转装置和移动组件，固定台包括底座和装于底座的固定支架，固定支架包括承载架；寻边组件装于固定支架，以对套件和组合件寻边定位，并定位图案模板和套件的...
    2026-04-19
  • 位置校正方法、装置、设备、存储介质及激光退火机台
    位置校正方法、装置、设备、存储介质及激光退火机台_深圳市鹏新旭技术有限公司_202610203950.7
    本申请公开了一种位置校正方法、装置、设备、存储介质及激光退火机台，涉及半导体技术领域，公开的方法应用于激光退火机台，激光退火机台包括工艺腔，所述工艺腔内设有运动平台，运动平台上设有晶圆，晶圆表面具有通过预设激光退火工艺形成的至少一个标定图案...
    2026-04-19
  • 晶圆缺陷检测方法、系统及介质
    晶圆缺陷检测方法、系统及介质_西安芯晖检测技术有限公司_202512043275.4
    本公开提供了晶圆缺陷检测方法、系统及介质，其中，方法包括：将待检测晶圆置于检测位，利用预处理光源对待检测晶圆进行热预处理，以使待检测晶圆的温度达到预设检测温度区间；当待检测晶圆的温度处于预设检测温度区间时，控制检测光源发射穿透光束，穿透光束...
    2026-04-19
  • 键合引线的长度测量方法
    键合引线的长度测量方法_河北博威集成电路有限公司_202511942459.8
    本发明提供了一种键合引线的长度测量方法，属于引线测量技术领域，包括以下步骤：确定键合引线在集成电路上与芯片和引脚连接处的切点，采用剪切机构自切点处切断的键合引线的两端；将键合引线粘结固定在收集板上，且保留键合引线的弯曲弧度；将收集板放置在测...
    2026-04-19
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