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  • 本公开涉及半导体技术,尤其涉及一种芯片封装结构的形成方法及一种芯片封装结构,芯片封装结构的形成方法首先在键合在基底晶圆上多个芯片的上表面设置掩膜,掩膜暴露出芯片的间隙以及芯片上临近间隙的部分上表面,之后对该暴露部分执行刻蚀,刻蚀会将间隙加工...
  • 本申请涉及一种复合衬底的制备方法及复合衬底,方法包括:提供第一晶圆和第二晶圆,第一晶圆和第二晶圆的基底为半导体材料,第二晶圆上形成有埋氧层;键合第一晶圆和第二晶圆,形成键合晶圆;在退火气氛下,对工艺腔室内的键合晶圆进行退火处理;退火处理包括...
  • 本发明实施例提供一种功率器件及采用所述功率器件的功率器件封装结构。所述功率器件例如包括:半导体基底以及设置在所述半导体基底上的栅极焊盘、栅极总线和正面金属层;所述栅极总线连接所述栅极焊盘、并共同将所述正面金属层分割为多个独立区块,所述正面金...
  • 本发明涉及半导体封装技术领域,具体涉及一种耐高温高湿的半导体器件封装结构,包括封装壳,所述封装壳包括固定相连的壳体与壳盖,所述壳体内设置有半导体芯片,所述壳体两侧均匀的设置有若干对引脚,所述壳体内对称的设置有两个锁定组件用于将若干引脚固定,...
  • 本公开涉及在微电子学中增加可靠性和提高产率的直接键合堆叠结构。提供了用于在微电子学中增加可靠性和提高产率的直接键合堆叠结构。针对存储器模块和3DIC提供了用于减少垂直堆叠管芯中的缺陷的结构特征和堆叠配置。例如,示例工艺减轻了较厚的顶部管芯与...
  • 本公开涉及在微电子学中增加可靠性和提高产率的直接键合堆叠结构。提供了用于在微电子学中增加可靠性和提高产率的直接键合堆叠结构。针对存储器模块和3DIC提供了用于减少垂直堆叠管芯中的缺陷的结构特征和堆叠配置。例如,示例工艺减轻了较厚的顶部管芯与...
  • 本发明属于集成电路电子封装,尤其是一种高可靠耐盐雾腐蚀平行缝焊合金盖板及其制备方法。本发明高可靠耐盐雾腐蚀平行缝焊合金盖板,包括合金盖板本体,合金盖板本体表面设置有WC‑Co/Ni层,WC‑Co/Ni层的表面设置有焊接层,焊接层的表面设置有...
  • 本申请实施例提供一种芯片封装结构及其制备方法、电子设备,涉及半导体技术领域,用于降低芯片封装结构的封装成本。芯片封装结构包括第一表面具有多个第一触点的晶片、设置于晶片第二表面上的芯片结构、覆盖于芯片结构表面和至少部分侧面的塑封膜以及覆盖塑封...
  • 本公开涉及一种具有湿气耗散通道的衬底封装。电子装置包含衬底(102)、嵌入所述衬底(102)的第一表面(104)中的第一金属层(108)和嵌入所述衬底(102)的与所述第一表面(104)相对的第二表面(106)中的第二金属层(110)。通孔...
  • 一种封装结构及其形成方法,方法包括:提供元器件模组,元器件模组包括引线框架以及位于引线框架上的电子元器件,电子元器件与引线框架电连接;形成覆盖电子元器件和引线框架的塑封层,塑封层露出电子元器件的顶面以及露出引线框架背向电子元器件的面,且塑封...
  • 一种用于功率器件的钝化方法,包括:形成衬底和位于所述衬底上的半导体器件;在所述衬底和所述半导体器件上形成介质层;在所述介质层上形成互连层,所述互连层具有缝隙;在形成所述互连层之后,进行氢钝化处理,所述氢钝化处理中,氢经所述缝隙扩散至所述衬底...
  • 本发明公开一种防止功率器件散热片溢料压伤的方法,涉及功率器件封装的技术领域,该方法包括:放大塑封模具与功率器件框架的散热片部位之间的配合间隙,直至配合间隙大于或等于第一预设阈值,形成溢料容纳槽;塑封模具包括上模具和下模具,功率器件框架在上模...
  • 本发明涉及半导体灌封相关技术领域,具体为一种半导体加工用灌封模具,包括台面、下模台、下模体和上模体,台面的左右侧均固定安装有导轨,且台面的前后侧均固定安装有丝杠安装座和导杆安装座,丝杠安装座之间转动安装有传动丝杠,传动丝杠通过台面后侧的伺服...
  • 本发明涉及二极管生成设备技术领域,提出了一种二极管自动生产用一贯机,包括第一基座,第一基座的一侧平行设置有第二基座,第二基座与第一基座之间固定安装有输送带,输送带的皮带上设置有若干模座,第一基座的顶部固定连接有第一安装架,第一安装架的内侧设...
  • 本发明公开了一种功率芯片封装结构及工艺,包括以下步骤:贴装刷胶:晶圆划片为裸片单元,将裸片正面朝向载板间隔均匀的贴装,在裸片背面分别粘附胶层,包封料包封裸片和胶层,并暴露出胶层顶面;一次电镀:在暴露胶层顶面的包封料上第一次电镀,形成焊盘一,...
  • 本发明涉及芯片封装技术领域,具体为芯片封装散热结构的制备方法,采用纳米晶陶瓷基材作为外框主体,通过低温共烧陶瓷工艺将银钯合金电极嵌入陶瓷框体内部,形成具备梯度热膨胀系数的电极结构;有益效果为:采用纳米晶陶瓷基材作为外框主体,通过低温共烧陶瓷...
  • 本发明涉及芯片封装技术领域,具体为一种多层堆叠芯片封装方法,包括以下步骤:芯片预处理,基板制备,芯片定位放置,电气连接,封装材料填充,固化处理,在封装体表面制作多功能集成防护层;有益效果为:运用等离子体浸没离子注入技术形成具有梯度掺杂结构的...
  • 本发明提供阵列传感器元件的制造方法,可实现下部电极层的低电阻化及金属化合物层的晶体取向性的提高这两者。阵列传感器元件的制造方法具有:第一工序,使用低电阻的第一金属在基板上成膜出下部电极层的第一层;第二工序,使第一层的表面氧化或氮化;第三工序...
  • 公开了用于半导体模块装置的铆钉及其制造方法。一种用于形成用于半导体模块装置的铆钉(44)的方法包括:提供圆盘(444),圆盘(444)包括孔或凹陷(446);以及将管状部件(442)的第一端插入到孔或凹陷(446)中。
  • 本公开提供一种电子装置及其制造方法。电子装置的制造方法包括以下步骤。提供基板结构,其中基板结构包括第一基板以及第二基板;提供第一抗翘曲层于基板结构的至少一侧上;形成第一电路结构于第一基板上;以及形成封装结构于第一电路结构上,其中第一基板设置...
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