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最新专利技术
  • 钙钛矿太阳能电池及其制备方法和其应用
    钙钛矿太阳能电池及其制备方法和其应用_天合光能股份有限公司_202511903134.9
    本申请公开了一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法、叠层太阳能电池、电池组件和用电装置。钙钛矿太阳能电池包括钙钛矿活性层，钙钛矿活性层包括钙钛矿结构物质和碱金属氟代酸盐。钙钛矿太阳能电池中钙钛矿活性层通过掺杂碱金属氟代酸盐，能够有效促进钙钛矿晶粒...
    2026-04-25
  • 卤代三苯乙烯修饰的反型钙钛矿太阳能电池及其制备方法
    卤代三苯乙烯修饰的反型钙钛矿太阳能电池及其制备方法_西安电子科技大学_202511878540.4
    本发明公开了一种卤代三苯乙烯修饰的反型钙钛矿太阳能电池及其制备方法，涉及太阳能电池技术领域，该反型钙钛矿太阳能电池的结构自下而上包括：衬底、阳极、空穴传输层、钙钛矿吸光层、界面修饰层、电子传输层和阴极。其中，界面修饰层的材料为三苯乙烯和/或...
    2026-04-25
  • 一种用于电场调控晶界缺陷的器件及其调控方法
    一种用于电场调控晶界缺陷的器件及其调控方法_南京大学_202610008857.0
    本发明公开了一种用于电场调控晶界缺陷的器件及其调控方法，所述器件包括衬底、绝缘层、有机半导体多晶薄膜及位于同一晶界两侧的源漏电极，且电极间的沟道长度互不相同。通过向这些具有不同沟道长度的电极对施加相同偏压，可在同一晶界处产生一系列强度不同的...
    2026-04-25
  • 一种三值源栅型晶体管及反相器
    一种三值源栅型晶体管及反相器_太原元芯碳基薄膜电子研究院有限公司_202411423421.5
    本发明涉及一种三值源栅型晶体管，包括一衬底，在衬底上具有一第一介质层，在第一介质层与衬底相对的一面内具有一底栅；在第一介质层上具有一漏极和一扩展源极，漏极和扩展源极之间具有半导体沟道层，半导体沟道层上具有一第二介质层；扩展源极在水平方向上具...
    2026-04-25
  • 电子装置
    电子装置_群创光电股份有限公司_202411415847.6
    本发明提供一种电子装置，具有多个显示区与环绕显示区的透明区，电子装置包括第一基板、多个发光单元、多个第一光学单元、第一封装层及第二封装层。发光单元设置于第一基板上、并分别位于显示区中；第一光学单元分别位于显示区中、并分别设置于发光单元上；第...
    2026-04-25
  • 发光模组以及显示设备
    发光模组以及显示设备_友达光电股份有限公司_202610038473.3
    一种发光模组，包括电路基板、多个发光元件以及填充层；该些发光元件配置于电路基板上；填充层包括一体成型的包覆部以及支撑部，其中包覆部包覆且直接接触各发光元件的至少一侧边，且支撑部的顶面与电路基板的距离大于各发光元件的顶面与电路基板的距离。一种...
    2026-04-25
  • 显示装置及其制备方法
    显示装置及其制备方法_京东方华灿光电(广东)有限公司_202511761571.1
    本公开提供了一种显示装置及其制备方法，属于半导体技术领域。显示装置包括驱动背板、阵列布置在驱动背板上的多个像素单元和多个透镜；每个像素单元包括蓝光像素单元、绿光像素单元和红光像素单元，蓝光像素单元、绿光像素单元和红光像素单元均与驱动背板电性...
    2026-04-25
  • 电子装置
    电子装置_群创光电股份有限公司_202411416029.8
    本发明提供一种电子装置，包括一基板、一电路层、一半导体芯片以及一感测组件。电路层设置于基板上，半导体芯片设置于基板与电路层之上并与电路层电性连接，半导体芯片包括一半导体管芯、围绕半导体管芯的一填充层、设置于填充层周围的反射层、以及设置于半导...
    2026-04-25
  • 一种IME贴合盖板模组及其制备方法和光源
    一种IME贴合盖板模组及其制备方法和光源_毅嘉电子(苏州)有限公司_202512059321.X
    本发明公开了一种IME贴合盖板模组及其制备方法和光源，涉及IME技术领域，IME贴合盖板模组，包括基板，具有发光元件；围坝胶层，沿基板具有发光元件的端面涂覆，具有注胶口和排气口；塑胶件，贴合在围坝胶层远离基板的面上；基板、围坝胶层、塑胶件围...
    2026-04-25
  • 显示屏以及显示屏的制作方法
    显示屏以及显示屏的制作方法_深圳市艾比森光电股份有限公司_202512031276.7
    本发明提供了一种显示屏以及显示屏的制作方法，该显示屏包括：PCB板、多个显示器件和面罩。每一显示器件包括基板、显示芯片和胶体；胶体包覆于显示芯片上，并盖设于部分装配面的上方；面罩上设有多个穿孔。每个显示器件的胶体能够分别穿设对应的穿孔，相邻...
    2026-04-25
  • 一种发光器件、发光二极管及显示装置
    一种发光器件、发光二极管及显示装置_泉州三安半导体科技有限公司_202511934977.5
    本申请提供一种发光器件、发光二极管及显示装置，发光器件中，发光二极管和基板之间的键合层包括第一键合胶层和第二键合胶层，二者具有不同的厚度以及粘结性等特征。上述双层键合胶层设置，可以在形成第一键合胶层之后，对其上的发光二极管进行检测、筛选，将...
    2026-04-25
  • 一种发光二极管及发光装置
    一种发光二极管及发光装置_泉州三安半导体科技有限公司_202511840945.9
    本发明公开了一种发光二极管及发光装置，该发光二极管包括第一半导体层及N个台面结构。第一半导体层包括N个台面区及设置于相邻台面区之间的N‑1个电流阻断区，N≥2，N取正整数，台面区的导电类型为第一导电类型，电流阻断区的导电类型为与第一导电类型...
    2026-04-25
  • 发光面板及其制作方法
    发光面板及其制作方法_京东方华灿光电(广东)有限公司_202511733403.1
    本公开提供了一种发光面板及其制作方法。所述发光面板包括：多个外延单元、驱动背板、金属挡光结构、多个聚光结构、钝化层和透明导电层；多个外延单元阵列间隔分布在驱动背板上，多个外延单元的第一面与驱动背板电连接，钝化层覆盖多个外延单元的侧壁，且钝化...
    2026-04-25
  • 转移装置、制造方法、微发光二级管转移方法和显示面板
    转移装置、制造方法、微发光二级管转移方法和显示面板_成都辰显光电有限公司_202411418931.3
    本申请公开了转移装置、制造方法、微发光二级管转移方法和显示面板。本申请公开转移装置，转移装置包括衬底和保护层，衬底包括基板和位于基板一侧的至少一个第一粘性凸起；保护层与衬底连接且与第一粘性凸起位于基板的同一侧，保护层上设有沿转移装置的厚度方...
    2026-04-25
  • 原位集成方法及单片集成器件
    原位集成方法及单片集成器件_中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所_202610341636.5
    本发明公开了一种原位集成方法及单片集成器件，原位集成方法包括以下步骤：提供一衬底，在衬底上生长外延结构；刻蚀外延结构；在台阶上制备第一电极；在外延结构上形成钝化层，并对第一钝化层进行开孔；在第二通孔中制备第二电极，以及在钝化层上制备第三电极...
    2026-04-25
  • 微型发光器件及其制作方法
    微型发光器件及其制作方法_厦门思坦集成科技有限公司_202610067936.9
    本申请涉及一种微型发光器件及其制作方法，微型发光器件的方法包括：提供发光阵列结构，发光阵列结构包括衬底和设于衬底一侧上的发光结构；通过掩膜结构对衬底背离发光结构的一侧进行激光照射，掩膜结构具有第一透光区和第二透光区，且第一透光区对激光的透过...
    2026-04-25
  • 一种集成Ag反射镜的垂直结构Micro-LED芯片制备方法
    一种集成Ag反射镜的垂直结构Micro-LED芯片制备方法_南昌大学_202511784759.8
    本发明公开了一种集成Ag反射镜的垂直结构Micro‑LED芯片制备方法，包括以下步骤：提供LED外延晶圆，LED外延晶圆包含衬底和GaN基外延层；在GaN基外延层上制备MgO阵列；刻蚀GaN基外延层形成Micro‑LED像素阵列；制备钝化层...
    2026-04-25
  • 一种LED背光源制造生产工艺
    一种LED背光源制造生产工艺_深圳市惠程鑫科技有限公司_202511199109.7
    本申请涉及LED背光源制造技术领域，尤其是一种LED背光源制造生产工艺，S1、目检灯带以及灯珠条，设置定位装置；S2、通过定位装置将灯珠条和灯带精准贴合在一起；S3、将背光电源组件的金属背板、反光板、扩散膜、增光膜关组成部件按设定的次序组装...
    2026-04-25
  • 电子装置
    电子装置_新加坡商群丰骏科技股份有限公司_202411431677.0
    本公开的电子装置包括基板、多个发光元件以及多个挡墙。多个发光元件阵列排列于基板上。多个挡墙设置于基板上且围绕多个发光元件设置，其中多个挡墙包括沿第一方向延伸的多个第一挡墙以及沿第二方向延伸的多个第二挡墙，且第一方向垂直于第二方向。在电子装置...
    2026-04-25
  • 一种发光元件
    一种发光元件_淮安澳洋顺昌光电技术有限公司_202512024383.7
    本申请公开了一种发光元件，包括LED芯片，具有第一表面，与第一表面相对的第二表面，以及连接第一表面和第二表面的侧壁；波长转换层，至少设于所述LED芯片的第一表面；电极扩大结构，设于所述LED芯片的第二表面；封装层，至少围设于所述LED芯片、...
    2026-04-25
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