Document
拖动滑块完成拼图
专利交易 商标交易 积分商城 国际服务 IP管家助手 科技果 科技人才 会员权益 需求市场 关于龙图腾 更多
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 一种无端面处理硅片的清洗方法
    一种无端面处理硅片的清洗方法_上海中欣晶圆半导体科技有限公司_202511896055.X
    本申请涉及硅片清洗领域，具体公开了一种无端面处理硅片的清洗方法，包括以下步骤：1)使用纯水清洗硅片，得到第一硅片；2)使用第一药液清洗第一硅片，得到第二硅片，所述第一药液为NH4OH、H2O2和H2O的混合液；3)使用纯水清洗第二硅片，得到...
    2026-04-24
  • 一种基于硅中介层的晶圆结构切割方法和切割系统
    一种基于硅中介层的晶圆结构切割方法和切割系统_盛合晶微半导体(江阴)有限公司_202610049144.9
    本发明提供一种基于硅中介层的晶圆结构切割方法和切割系统，硅中介层晶圆结构依次包括硅基板、功能层和连接基板；切割方法包括以下步骤：S1、采用V形刀片对硅基板进行两次预设错位偏移量的V形切割，在硅基板上形成拼接槽；S2、采用激光烧蚀技术，透过拼...
    2026-04-24
  • 一种InP衬底的化学机械抛光方法及抛光液
    一种InP衬底的化学机械抛光方法及抛光液_西安立芯光电科技有限公司_202512030690.6
    本发明涉及一种半导体材料的抛光方法，具体涉及一种InP衬底的化学机械抛光方法，目的是解决现有抛光方法中抛光液配方复杂、成本高昂、工艺参数与InP材料适配性差以及表面缺陷率高的问题。本发明方法包括1)制备抛光液；2)准备圆形InP衬底；3)设...
    2026-04-24
  • 硅片刻蚀方法和硅片刻蚀设备
    硅片刻蚀方法和硅片刻蚀设备_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202610079762.8
    本发明提供一种硅片刻蚀方法和硅片刻蚀设备，硅片刻蚀方法包括以下步骤：将硅片浸入第一刻蚀槽内的刻蚀溶液中，进行初步刻蚀；将经过初步刻蚀的硅片浸入到第二刻蚀槽内的刻蚀溶液中，进行剩余刻蚀量的刻蚀，直至达到对硅片的目标刻蚀量；其中，第一刻蚀槽内的...
    2026-04-24
  • 湿法刻蚀装置
    湿法刻蚀装置_甬江实验室_202610105810.6
    本发明公开了一种湿法刻蚀装置，包括：刻蚀槽；进水单元选择性地将供水装置内的去离子水引入刻蚀槽内；刻蚀液注入单元选择性地向刻蚀槽内注入刻蚀液；浓度检测结构用于检测刻蚀槽内刻蚀液的刻蚀液浓度信息；控制单元配置为根据刻蚀液浓度信息控制进水单元的工...
    2026-04-24
  • 一种二维材料的直接图案化方法
    一种二维材料的直接图案化方法_中国科学院上海微系统与信息技术研究所_202511842720.7
    本发明涉及一种二维材料的直接图案化方法，包括如下步骤：将具有金属图案层的石英掩模与均匀分布有二维材料的基底对准装载，得到基底‑掩模组合体；利用紫外光激发氧气生成臭氧对所述基底‑掩模组合体进行刻蚀，即完成二维材料的直接图案化。本发明提供了一种...
    2026-04-24
  • 一种半导体湿法刻蚀工艺改善方法及装置
    一种半导体湿法刻蚀工艺改善方法及装置_西安电子科技大学芜湖研究院_202511839403.X
    本发明公开了一种半导体湿法刻蚀工艺改善方法及装置，包括：将喷淋口阵列的喷淋角度调整至垂直于晶圆上表面的待图形化掩膜后，对待图形化掩膜中心的第一预设尺寸的中心区域喷淋刻蚀剂，得到初步喷淋后的掩膜；将喷淋口阵列的喷淋角度调整至预设角度后，对初步...
    2026-04-24
  • 薄膜及其制备方法、薄膜晶体管、显示装置
    薄膜及其制备方法、薄膜晶体管、显示装置_广州新视界光电科技有限公司_202411414949.6
    本申请公开了一种薄膜及其制备方法、薄膜晶体管、显示装置，涉及显示技术领域。薄膜的制备方法包括如下步骤：提供预制膜，预制膜的材料包括金属氧化物；对预制膜进行紫外处理，形成中间膜；对中间膜进行加热处理，得到薄膜。本申请提供的薄膜的制备方法可以显...
    2026-04-24
  • LPCVD炉体结构和硅层制备方法
    LPCVD炉体结构和硅层制备方法_拉普拉斯新能源科技股份有限公司_202512042830.1
    本申请涉及光伏技术领域，尤其涉及一种LPCVD炉体结构和硅层制备方法，以降低硼掺杂工艺的温度以及缩短硼掺杂工艺的时长，降低光伏电池的生产成本。该LPCVD炉体结构包括炉管和等离子体发生装置，炉管具有工艺腔室和进气口，工艺腔室被配置为容纳承载...
    2026-04-24
  • 一种超高介电及低漏电流的四元非晶金属氧化物薄膜及其制备与应用
    一种超高介电及低漏电流的四元非晶金属氧化物薄膜及其制备与应用_华南理工大学_202511853037.3
    本发明公开了一种超高介电及低漏电流的四元非晶金属氧化物薄膜及其制备与应用。本发明将Al3+、Mg2+、Zr4+和Y3+对应的无机金属盐溶于有机溶剂中，得到前驱体溶液；再将前驱体液旋涂于衬底上，经预退火处理和热退火处理，得到四元金属氧化物介电...
    2026-04-24
  • 半导体结构的制备方法及半导体结构
    半导体结构的制备方法及半导体结构_上海积塔半导体有限公司_202610070892.5
    本发明涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构。方法包括：提供衬底，并于衬底上形成金属层；于金属层上依次形成绝缘层及光刻胶层；去除部分光刻胶层，以暴露出绝缘层的部分顶面；基于预设改性元素，采用预设改性工艺处理绝缘层，以于绝缘层内形成改性层；...
    2026-04-24
  • 一种间隙特征的填充方法
    一种间隙特征的填充方法_上海稷以科技有限公司_202610304541.6
    本发明公开了一种间隙特征的填充方法。该填充方法包括以下步骤：在第一温度下，通入含卤素基团的表面反应抑制剂，以使其可逆地吸附于间隙特征的活性位点形成钝化层；经由钝化层的阻隔，调整通入的第一前驱体和/或第二前驱体在间隙特征内的沉积区域；以及响应...
    2026-04-24
  • 一种低压制备厘米级二硫化钼薄膜的方法
    一种低压制备厘米级二硫化钼薄膜的方法_电子科技大学_202311668052.1
    本发明公开了一种低压制备厘米级二硫化钼薄膜的方法，属于半导体材料制备技术领域。本发明中，设计了一种快速加热反应物的方式，使得五氯化钼首先融入熔融态的钠钙玻璃作为钼源，然后在钠离子的催化下，硫粉和五氯化钼在熔融态钠钙玻璃内部反应生成二硫化钼，...
    2026-04-24
  • 一种Cu2O-AlN-ZnSnN2异质结的制备方法
    一种Cu2O-AlN-ZnSnN2异质结的制备方法_深圳大学_202511983001.7
    本发明公开了一种Cu2O‑AlN‑ZnSnN2异质结及其制备方法，其中，所述方法包括步骤：在流动的氧气及氩气气氛中，在400℃环境中，将铜金属靶通过直流磁控溅射法沉积在衬底上，得到Cu2O薄膜。在流动的氮气及氩气气氛中，通过射频磁控溅射铝金...
    2026-04-24
  • 一种提升键合均匀性的低温键合方法及其键合片
    一种提升键合均匀性的低温键合方法及其键合片_达波科技(上海)有限公司_202610329432.X
    本发明提供了一种提升键合均匀性的低温键合方法及其键合片，涉及晶片键合技术领域。低温键合方法包括以下步骤：(1)准备待键合的第一晶圆和第二晶圆；(2)在高真空环境下，进行第一次活化处理；(3)在中真空环境下，进行第二次活化处理；(4)在低真空...
    2026-04-24
  • 一种基于多模感知忆阻器阵列及其制备方法
    一种基于多模感知忆阻器阵列及其制备方法_东北师范大学_202512025843.8
    本发明公开了一种基于多模感知忆阻阵列与制备方法，属于微电子材料器件领域。其结构由传感器阵列和忆阻器阵列两部分组成。传感器阵列包括传感器阵列电极层和传感器阵列压阻层，忆阻器阵列包括忆阻器阵列底电极层、忆阻器阵列阻变层和忆阻器阵列顶电极层；所述...
    2026-04-24
  • 一种基于新型脉冲编程方式的锑碲基全光相变类脑计算器件
    一种基于新型脉冲编程方式的锑碲基全光相变类脑计算器件_西安交通大学_202610082515.3
    本发明公开了一种基于新型脉冲编程方式的锑碲基全光相变类脑计算器件，自下而上依次为衬底、波导介质层；波导介质层包括底面的方形结构和位于底面上方的脊型中心凸起；相变材料层与保护层依次位于中心凸起的上方；相变材料层为锑碲合金，化学式为SbxTe1...
    2026-04-24
  • 一种基于InP纳米片表面态调制的光电突触晶体管及其制备方法和应用
    一种基于InP纳米片表面态调制的光电突触晶体管及其制备方法和应用_西北工业大学_202512027281.0
    本发明公开了一种基于InP纳米片表面态调制的光电突触晶体管及其制备方法和应用，属于光电探测与神经形态计算技术领域。本发明公开的基于InP纳米片表面态调制的光电突触晶体管从下至上包括依次设置的绝缘衬底、InP纳米片和金属电极；所述InP纳米片...
    2026-04-24
  • 一种基于自支撑单晶氧化物薄膜组装的人工突触忆阻器件的方法和人工突触忆阻器件
    一种基于自支撑单晶氧化物薄膜组装的人工突触忆阻器件的方法和人工突触忆阻器件_武汉科技大学_202511827481.8
    本发明公布了一种基于自支撑单晶氧化物薄膜组装人工突触忆阻器件的方法及人工突触忆阻器件。包括步骤：(1)在单晶外延衬底上依次外延沉积水溶性牺牲层、下层膜和上层膜，在上层膜表面负载Au/Ti顶电极；(2)通过湿法剥离技术从外延衬底剥离得到无衬底...
    2026-04-24
  • 一种基于钪-碲二元合金的相变存储器件
    一种基于钪-碲二元合金的相变存储器件_西安交通大学_202610068163.6
    本发明公开了一种基于钪‑碲二元合金的相变存储器件，结构自下而上依次为底层电极、相变层、缓冲层、选通层和顶层电极；其中，选通层与相变层均由钪‑碲(Sc‑Te)二元合金构成，选通层材料的化学式为ScxTe100‑x，其中0
    2026-04-24
首页 上一页 20 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证