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  • 本申请涉及半导体或光伏技术领域,尤其涉及一种上料设备、上料方法及电池片钝化工艺系统,以降低工艺系统的场地要求。该上料设备包括承载架、定位架和AGV,定位架设有第一通道、浮动平台和多个定位件,浮动平台用于支撑承载架,每个定位件与至少一个定位部...
  • 本发明公开了一种双槽入料机构及植入设备,其中,所述双槽入料机构包括下垫块、导向基座、第一前挡板、第二前挡板、第一后挡板及第二后挡板,所述导向基座与所述第一前挡板、所述第一后挡板配合形成第一入料槽,所述导向基座与所述第二前挡板、所述第二后挡板...
  • 本发明涉及晶圆搬运技术领域,具体为一种晶圆多片式机械手搬运设备,包括设于设备主体内部的X轴移栽平台,X轴移栽平台的上表面连接有防护壳,防护壳的内部固定安装有两组对称设置的伺服电机,每组伺服电机的输出端均固定安装有同步轮组,每组同步轮组的另一...
  • 本发明属于晶圆技术领域,特别涉及一种晶圆测试探针台装置及晶圆测试方法,包括底座和轴套以及卡块,所述轴套外壁均固定连接有连接板一和连接板二,所述连接板一内部固定连接有样品台,所述样品台内部开设有放置槽,所述放置槽与样品台相连通,所述样品台远离...
  • 本发明涉及半导体封装的技术领域,尤其涉及一种IGBT模组的电极螺丝组装与折弯一体式设备,包含有模组本体、折弯机构、移栽机构和螺母上料模块;所述模组本体上设置有若干安装孔,所述安装孔一侧设置有竖起且朝向相互垂直的端子;所述移栽机构穿过折弯机构...
  • 本发明公开了一种基于单一离子源的多路残余气体分析协同检测系统,主要包括离子源组件、四极杆质量分析器、检测系统、控制与数据融合模块;离子源组件包括1个灯丝模块和2个传输透镜,残余气体被灯丝模块电离成离子,离子通过传输透镜流入四极杆质量分析器并...
  • 本发明适用于芯片封装设备技术领域,提供了一种芯片封装用芯片拾取与定位设备,包括第一皮带输送机构、第二皮带输送机构、U型框架、电动吸盘、驱动组件、传动组件、联动组件和胶封组件。驱动组件通过电机驱动锥齿轮组带动凸轮正反转动,使推拉杆控制电动吸盘...
  • 本发明提供了一种准分子激光退火系统及其控制方法,涉及激光退火技术领域,包括主控单元、激光发生单元、能量检测模块、运动平台、基板承载台和位置检测模块,所述运动平台上设有驱动基板承载台运动的驱动部件,所述位置检测模块用于采集运动平台的位置信息,...
  • 本发明涉及硅片清洗技术领域,具体地说,涉及一种减少同频共振的超声波清洗器,包括清洗箱,两个升降板之间装配有弹性吊装结构,所述弹性吊装结构中横向连杆用于对托举结构的支撑,所述托举结构用于对晶舟的支撑托举,通过将对晶舟的刚性承载转换成弹性承载,...
  • 本发明涉及元器件加工领域,公开了一种晶圆切割与二流体清洗一体化装置,包括链式牵引件位于对置机架,用于提供闭环状态的往复牵引力;承载往复机构位于对置机架,配合对置中心导框的内侧导条以及链式牵引件用于为晶圆的切割以及清洗提供承载平台;联动切割机...
  • 本申请提供了一种晶片脱胶分片设备,属于晶片脱胶清洗技术领域,解决了现有技术晶片脱胶的稳定性欠佳的问题。本申请的晶片脱胶分片设备包括脱胶装置,所述脱胶装置包括脱胶槽,所述脱胶槽内用于晶片脱胶,所述脱胶槽上设有加热单元,且所述加热单元作用于所述...
  • 本申请涉及一种边缘环及半导体设备。边缘环包括环状本体和多个温控部件;环状本体包括多个温控子区;多个温控部件位于环状本体的背面,且位于对应的温控子区中,每个温控部件内置有温度传感装置和温度控制装置;多个温度传感装置用于同步采集对应的温控子区的...
  • 本发明公开了一种芯片自动化测试方法、设备及存储介质,该方法包括:向机械手发送放置指令将芯片放置到测试位置;接收响应信号后向下位机发送测试指令以完成校验流程;校验通过后依次发送不同测试指令并接收测试结果;当测试项目通过时为芯片添加质量标签;根...
  • 本发明涉及石英键合技术领域,公开了一种石英腔低温键合设备及工艺,石英腔低温键合设备,包括箱体,所述箱体内部设置有紫外灯,所述紫外灯用于将氧气转换为臭氧;键合箱,所述键合箱用于提供密封环境;键合箱底部安装有支撑块,所述支撑块顶部还设置有推动机...
  • 本发明提供了一种先进制程控制系统及方法,包括:如果基线变更,记录未完成第N膜层的批次号,并从中记录未完成第一膜层的批次号;以变更后的基线更新第一膜层对应的群组,以新群组的模拟数据作为反馈信息或前馈信息,将变更时间未完成第一膜层的批次分到新群...
  • 本申请涉及半导体加工设备领域,为一种半导体检测设备,具体而言,涉及一种物料错位检测装置、系统及检测方法。本发明提供的技术方案中,沿物料传输空间的第一方向依次设置有物料放置位、物料检测位和物料导出位,在物料传输空间内设置有沿第一方向往复移动的...
  • 本发明涉及阀和腔室匹配。用于提供用于控制辅真空阀的辅控制参数的方法,其包括以下步骤:通过以下步骤生成用于控制主真空阀的主控制参数:提供目标处理信息,提供包括主真空阀的第一处理腔室,以控制流入或流出第一处理腔室的流体流量;运行参考处理循环,其...
  • 本发明涉及一种去除晶圆片表面Hg残留的方法,所述方法包括以下步骤:MCV测试后的晶圆片浸入SPM溶液中进行第一次清洗;将第一次清洗后的晶圆片采用逐片方式放入SC1溶液中进行兆声清洗,得到清洗后的晶圆片。本发明采用逐片(一次一片)对MCV测试...
  • 本申请公开了一种酸腐蚀后硅片的清洗方法,包括以下步骤:1)使用碱液清洗硅片1~10min,清洗温度50~80℃,得到第一硅片;2)纯水常温超声清洗第一硅片,溢流量为5~15L/min,清洗时间3~8min,得到第二硅片;3)酸液常温清洗第二...
  • 本申请涉及硅片清洗领域,具体公开了一种无端面处理硅片的清洗方法,包括以下步骤:1)使用纯水清洗硅片,得到第一硅片;2)使用第一药液清洗第一硅片,得到第二硅片,所述第一药液为NH4OH、H2O2和H2O的混合液;3)使用纯水清洗第二硅片,得到...
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