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最新专利技术
  • 一种热流时序可编程芯片散热系统
    一种热流时序可编程芯片散热系统_山东浪潮科学研究院有限公司_202511758670.4
    本申请涉及芯片热管理技术领域，公开了一种热流时序可编程芯片散热系统，通过可编程的热二极管阵列、多级相变储热网络和预测式调度算法的融合将芯片散热提升到热流时序编程高度，实现了对热量在时空维度上的主动、精准、前瞻性管理，解决了现有芯片散热技术中...
    2026-04-23
  • 封装结构和功率模块
    封装结构和功率模块_杭州士兰微电子股份有限公司_202511821796.1
    本申请公开了一种封装结构和功率模块，该封装结构包括：第一基板；功率器件，位于第一基板的第一表面；塑封体，包覆第一基板和功率器件，塑封体包括相对的第一侧边和第二侧边；第一功率端，位于塑封体的第一侧边；第二功率端，位于塑封体的第二侧边；信号端，...
    2026-04-23
  • 一种芯片散热装置及其控制方法
    一种芯片散热装置及其控制方法_此芯科技(苏州)有限公司_202610336142.8
    本发明公开了一种芯片散热装置及其控制方法，芯片散热装置包括；基板，与基板形成封装腔体的壳体，壳体包括顶盖和多个侧壁，至少部分数量的侧壁上具有开口；多个压电薄膜，位于封装腔体中，且每一压电薄膜对应设置在一侧壁的开口处；压电薄膜的部分边缘固定于...
    2026-04-23
  • 一种用于TEC散热系统的冷凝水处理结构
    一种用于TEC散热系统的冷凝水处理结构_南方电网数字电网研究院股份有限公司_202610338096.5
    本申请涉及一种用于TEC散热系统的冷凝水处理结构，用于TEC散热系统的冷凝水处理结构包括制冷器、芯片、热沉件以及吸水件，所述制冷器包括热端与冷端。所述芯片贴合于所述冷端。所述热沉件贴合于所述制冷器的热端，所述吸水件贴合于所述芯片外表面并与所...
    2026-04-23
  • 一种基于热导率可调材料的多层基板及芯片封装结构
    一种基于热导率可调材料的多层基板及芯片封装结构_北京华封集芯电子有限公司_202511781228.3
    本申请公开了一种基于热导率可调材料的多层基板及芯片封装结构，多层基板包括导电层、热管理单元、控制单元和激励源，导电层至少设置有两层，相邻两层导电层之间布置有至少一层热管理单元，热管理单元包括层叠布置的上绝缘层、调温层和下绝缘层；控制单元包括...
    2026-04-23
  • 一种管座及其加工工艺
    一种管座及其加工工艺_日照旭日电子有限公司_202512014889.X
    本发明公开了一种管座及其加工工艺，涉及电子元器件技术领域。其中，管座包括基片一、基片二、银焊层、引脚和玻璃绝缘环。基片一由铜基材料制成。基片一包括片层一，以及与片层一一体相连的铜柱。片层一设有孔一。基片二由匹配玻璃封接的铁基合金制成，包括片...
    2026-04-23
  • 一种散热器及MOS管组件
    一种散热器及MOS管组件_杭州煦达新能源科技有限公司_202511758264.8
    本发明的实施例提供了一种散热器及MOS管组件，涉及散热器技术领域。该散热器包括基板和多个散热齿，基板具有相对设置的第一平面和第二平面；多个散热齿沿基板的长度方向X或宽度方向Y间隔设置；每个散热齿均包括齿体和多个延伸齿，齿体与第一平面连接；每...
    2026-04-23
  • 半导体器件及电子设备
    半导体器件及电子设备_南通尚阳通集成电路有限公司_202512033283.0
    本申请涉及功率器件技术领域，公开了一种半导体器件及电子设备，半导体器件包括封装体和层叠设置的引线框架、半导体芯片和连接夹片；引线框架包括基岛和第一管脚，第一管脚与外部电路电连接；半导体芯片的第一表面的第一电极通过第一结合层固定于基岛的表面，...
    2026-04-23
  • 半导体封装
    半导体封装_三星电子株式会社_202511342136.5
    一种半导体封装，包括第一半导体芯片，其中第一半导体芯片可以包括第一半导体层、位于第一半导体层上的上导线结构、位于上导线结构上的上连接焊盘以及位于上导线结构和上连接焊盘之间的第一上导电图案，其中第一上导电图案可以包括掺杂有金属材料的铝，该金属...
    2026-04-23
  • 半导体结构及其制备方法、电子设备
    半导体结构及其制备方法、电子设备_北京大学_202511888118.7
    本申请提供了一种半导体结构及其制备方法、电子设备；该半导体结构包括：晶体管组，包括第一晶体管和第二晶体管，第二晶体管与第一晶体管沿第一方向排布；正面互连层，沿第二方向位于晶体管组上方；其中，正面互连层包括第一电源轨，第一电源轨电连接第一晶体...
    2026-04-23
  • 一种基于抑制TSV铜挤出晶圆键合结构与半导体制备方法
    一种基于抑制TSV铜挤出晶圆键合结构与半导体制备方法_太原科技大学_202610051503.4
    本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种基于抑制TSV铜挤出晶圆键合结构与半导体制备方法。旨在解决因硅通孔填充的铜与半导体衬底热膨胀系数差异过大导致的键合精度下降问题。基于硅通孔的晶圆键合结构包括：相键合的第一半导体结构和第二半导体结构。第一...
    2026-04-23
  • 一种半导体结构及其形成方法
    一种半导体结构及其形成方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202411402458.X
    本申请提供一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域以及分别位于所述第一区域和第二区域的半导体衬底中的第一开口和第二开口；掺杂导电层，位于所述第二开口的底部和侧壁的半导体衬底中以及相邻的...
    2026-04-23
  • 电熔丝器件及其制造方法、电路
    电熔丝器件及其制造方法、电路_上海积塔半导体有限公司_202610042926.X
    本发明提供了一种电熔丝器件及其制备方法、电路。电熔丝器件的制备方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成多晶硅层；对多晶硅层进行碳离子注入，以形成掺杂多晶硅层；在掺杂多晶硅层背离半导体衬底的一侧形成导电层。本发明通过在多晶硅层中掺杂碳，以...
    2026-04-23
  • 一种半导体器件的制造方法及半导体器件
    一种半导体器件的制造方法及半导体器件_无锡华润微电子有限公司_202411415779.3
    本申请涉及一种半导体器件的制造方法及半导体器件，所述方法包括：方法包括：提供衬底，其中衬底包括第一区域和第二区域，在第一区域的衬底内形成有源极；栅氧层位于第一区域，场氧层位于第二区域；形成栅电极层；形成氧化层覆盖栅氧层、栅电极层以及场氧层上...
    2026-04-23
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_长鑫科技集团股份有限公司_202411413818.6
    一种半导体结构及其制造方法。该制造方法包括：提供基底；在所述基底中形成插塞结构，所述插塞结构包括第一插塞和位于所述第一插塞上的第二插塞；所述第二插塞在所述基底上的投影面积大于所述第一插塞在所述基底上的投影面积；在所述基底中形成硅通孔结构，所...
    2026-04-23
  • 一种半绝缘碳化硅晶片及退火方法
    一种半绝缘碳化硅晶片及退火方法_浙江晶越半导体有限公司_202511747230.9
    本发明涉及碳化硅晶体制备领域，尤其涉及一种半绝缘碳化硅晶片及退火方法，所述退火方法包括以下步骤：(a)将待退火SiC晶片在富硅气相环境下进行退火，从而形成碳空位点缺陷；(b)快速降温，从而SiC晶片上的冻结碳空位浓度；(c)在真空环境下对S...
    2026-04-23
  • 基板处理方法和基板处理装置
    基板处理方法和基板处理装置_东京毅力科创株式会社_202511395093.7
    本发明提供一种能够提高在凹部内形成氮化硅膜时的循环速率的基板处理方法和基板处理装置。本公开的一技术方案的基板处理方法具有以下工序：准备在表面具有凹部的基板；向所述基板供给氯气，并在所述凹部内形成吸附阻碍层；向所述基板供给原料气体，并在所述凹...
    2026-04-23
  • 基板处理方法和基板处理装置
    基板处理方法和基板处理装置_东京毅力科创株式会社_202511394762.9
    本发明提供一种能够调整在凹部内形成氮化硅膜时的循环速率的基板处理方法和基板处理装置。本公开的一技术方案的基板处理方法具有以下工序：准备在表面具有凹部的基板；向所述基板供给氯气，并在所述凹部内形成吸附阻碍层；向所述基板供给原料气体，并在所述凹...
    2026-04-23
  • 提升AgMnGePbSbTe5高熵半导体材料电导率的方法、AgMnGe1-xPbSbTe5高熵半导体材料及其制备方法
    提升AgMnGePbSbTe5高熵半导体材料电导率的方法、AgMnGe1-xPbSbTe5高熵半导体材料及其制备方法_中核武汉核电运行技术股份有限公司_202511863310.0
    本公开属于核电技术领域，具体涉及一种提升AgMnGePbSbTe5高熵半导体材料电导率的方法、AgMnGe1‑xPbSbTe5高熵半导体材料及其制备方法。本公开提供的高熵半导体AgMnGe1‑xPbSbTe5的载流子浓度由x＝0时的10×1...
    2026-04-23
  • 碳化硅晶圆及其制备方法
    碳化硅晶圆及其制备方法_重庆奕欣科技有限公司_202511933408.9
    本申请提供了碳化硅晶圆及其制备方法，该制备方法包括：在碳化硅基底中形成改质层；在所述改质层处执行剥离操作，以获得碳化硅中间体；对所述碳化硅中间体进行磨削操作，以去除剥离表面损伤并修正几何形貌；将经磨削的所述碳化硅中间体进行双面抛光操作，以释...
    2026-04-23
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